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双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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型号：NCV7710DQBR2G 编号：C5826160

封装：SSOP-36-EP

品牌：onsemi(安森美)

是一款用于汽车车身控制系统的驱动IC，设计用于控制车辆车门中的锁止电机。借助单片全桥驱动级，该IC能够控制锁止电机，并通过带有帧内响应的24位SPI接口进行控制。

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型号：L6227PD 编号：C1556897

封装：PowerSO-36

双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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型号：L6207D013TR 编号：C221482

封装：SO-24-300mil

双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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型号：PT2470-MS 编号：C22462579

封装：ESOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款PT2470电机驱动芯片,是一款全桥DMOS有刷电机驱动芯片，宽电压供电，6.5V-40V RDS(ON)电阻为600mΩ 3.6A峰值驱动输出，2A持续输出能力支持欠压锁定保护、低功耗休、眠模式PWM电流整流/限流/调向后面-MS代表品牌，是你PCB电路设计的最佳选择。

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型号：AH5772-P-B 编号：C151386

封装：SIP-4

品牌：DIODES(美台)

AH5772 是一款用于驱动单线圈无刷直流（BLDC）风扇和电机的单芯片解决方案。集成的全桥驱动器输出级采用软开关技术，以最大限度降低可听开关噪声和电磁干扰（EMI），提供低噪声解决方案。为简化系统电路并减少外部元件数量，该器件集成了稳定的高灵敏度霍尔效应传感器、经过电压和温度补偿的内部参考源、放大器以及具有低导通电阻（RDoN）的输出 H 桥功率开关

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型号：FAN73932MX 编号：C457776

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73932 是一款半桥门极驱动器集成电路，带有关断和死区时间功能，可驱动最高在 +600V 下运行的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于各种半桥和全桥逆变器；如电机驱动逆变器、开关模式电源、直感加热和大功率 DC-DC 转换器应用。

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型号：TB6569FTG,8,EL 编号：C2150806

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB6569FG/FTG是一款采用MOS输出晶体管的全桥直流电机驱动器。低导通电阻MOS工艺和PWM控制可实现高热效率的直流电机驱动。可通过IN1和IN2选择四种运行模式：顺时针（CW）、逆时针（CCW）、短路制动和停止

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型号：BD6231F-E2 编号：C253180

封装：SOP-8-175mil

这些H桥驱动器是用于有刷电机应用的全桥驱动器。每个集成电路可在较宽的电源电压范围（6V至32V）内工作，输出电流最高可达2A。输出级的MOS晶体管支持PWM调速

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型号：BD6232FP-E2 编号：C3681104

封装：HSOP-25

这些H桥驱动器是用于有刷电机应用的全桥驱动器。每个IC可在宽范围的电源电压（6V至32V）下工作，输出电流高达2A。输出级的MOS晶体管支持PWM速度控制。集成的VREF电压控制功能可直接替代停产的电机驱动IC。这些高效的H桥驱动IC有助于低功耗设计。

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型号：6EDL04I06NT 编号：C3655021

封装：DSO-28

品牌：Infineon(英飞凌)

英飞凌6ED系列第二代产品是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的耐用性。器件中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象。六个独立的驱动器在低端使用CMOS或LSTTL兼容信号进行控制，逻辑电压低至3.3 V。该器件包括一个具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测功能。过流水平可通过选择电阻值和ITRIP引脚的阈值电平来调节。两种错误情况（欠压和过流）都会导致所有六个开关明确关断。故障信号通过FAULT开漏输出引脚提供。过流后的阻断时间可通过RCIN引脚处的RC网络进行调节。输入引脚RCIN内置一个2.8 μA的电流源。因此，电阻RRCIN是可选的。典型输出电流为上拉165 mA和下拉375 mA。出于系统安全考虑，实现了310 ns的互锁时间。输入引脚EN的功能可通过使用外部NTC电阻进行过温检测来扩展。引脚VCC和VBx之间的单片集成自举二极管结构可用于高端电源供电。

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型号：BD6222HFP-TR 编号：C2653486

封装：TO-263-8

这些 H 桥驱动器是用于有刷电机应用的全桥驱动器。每个 IC 可在 6V 至 15V 的电源电压范围内工作，输出电流高达 2A。输出级的 MOS 晶体管可实现 PWM 速度控制。

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型号：BD6237FM-E2 编号：C2150633

封装：HSOP-28-300mil

这些H桥驱动器是用于有刷电机应用的全桥驱动器。每个集成电路可在较宽的电源电压范围（6V至32V）内工作，输出电流最高可达2A。输出级的MOS晶体管支持PWM调速

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型号：TMC246B-PA 编号：C1523903

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：TRINAMIC

特性：双全桥驱动IC，适用于双极步进电机控制应用。集成独特的无传感器失速检测（专利申请中）stallGuard™。能够预测过载，适用于对可靠性要求高的驱动器。采用HVCMOS技术与低RDS-ON高效MOSFET（专利申请中）相结合。即使在高温环境下也能驱动高达1500mA的线圈电流。低电流消耗和高效率，搭配微型封装，适用于嵌入式运动控制和电池供电设备

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型号：A5988GJPTR-T 编号：C2150768

封装：LQFP-48-EP(7x7)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一款能够驱动多达两个步进电机或四个直流电机的四通道 DMOS 全桥驱动器。每个全桥输出的额定电流高达 1.6 A，额定电压为 40 V。包含固定关断时间的脉冲宽度调制 (PWM) 电流调节器，以及 2 位非线性 DAC（数模转换器），允许对步进电机进行全步、半步和四分之一步控制，对直流电机进行正向、反向和滑行模式控制。PWM 电流调节器采用混合衰减模式，可降低电机噪音、提高步进精度并降低功耗

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型号：LMD18245T/NOPB 编号：C117012

封装：TO-220

LMD18245 3A，55V DMOS 全桥电机驱动器

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￥67.1 / 个

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型号：L6206PD013TR 编号：C65383

封装：PowerSO-36

DMOS双全桥驱动器

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￥30.52 / 个

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型号：TLE4205G 编号：C5157949

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE 4205G是一款适用于宽温度范围的集成式功率全桥直流电机驱动器，例如汽车应用中就有这样的需求。该电路包含两个功率比较器，可组合成一个全桥电路。对于感性负载，有集成的续流二极管连接到+ΔVS和地。输出端在高达18 V的电源电压下对地短路保护，并且在出现过热时会关闭。这款IC特别适用于汽车的前照灯光束调节。

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￥15.29
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型号：A3922KLPTR-T 编号：C3681470

封装：TSSOP-28-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3922是一款N沟道功率MOSFET驱动器，能够控制以全桥（H桥）形式连接的MOSFET，专为驱动高功率感性负载的汽车应用而设计，如有刷直流电机、螺线管和执行器。其独特的电荷泵稳压器可为低至7V的电池电压提供可编程栅极驱动电压，使A3922在低至5.5V的栅极驱动电压下仍可工作。自举电容用于为N沟道MOSFET提供高于电池的电源电压

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￥83.67876
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￥73.506048
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￥67.68135

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型号：MP6508GF-Z 编号：C3681372

封装：TSSOP-16-EP

品牌：MPS(芯源)

MP6508 是一款双极性步进电机驱动器，内置两个由 N 沟道功率 MOSFET 组成的全桥。它的工作电源电压范围为 2.7V 至 18V，每通道可提供高达 1.2A 的电机电流。内部安全特性包括过流保护（OCP）、欠压锁定保护（UVLO）和热关断功能

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￥16.6308
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型号：MAX14870ETC+T 编号：C194048

封装：DFN-12(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

紧凑的4.5V至36V全桥式直流电机驱动器、业内最小的4.5V–36V有刷直流电机驱动器/继电器驱动器

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￥11.1375
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￥8.25
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￥7.7004

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型号：L6227Q 编号：C222198

封装：QFN-32(5x5)

双全桥驱动器采用PWM电流控制器

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单价：
￥34.210124 / 个

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型号：LM5045MH/NOPB 编号：C205984

封装：HTSSOP-28-EP-4.5mm

LM5045 具有集成 MOSFET 驱动器的全桥接 PWM 控制器

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￥24.15744 / 个

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型号：UCC27200ADRMR 编号：C2677000

封装：VSON-8-EP(4x4)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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单价：
￥7.547629 / 个

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型号：UCC27200ADR 编号：C2676996

封装：SOIC-8

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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￥7.547629 / 个

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型号：L6226PD 编号：C1556922

封装：PowerSO-36

DMOS双全桥驱动器

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￥25.24
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￥9.77
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￥9.43
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型号：L6202 编号：C262899

封装：PowerDIP-18

DMOS全桥驱动器

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￥29.38
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￥25.3
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￥22.88
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￥20.43
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￥19.3
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￥18.79

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型号：L6205D 编号：C1556865

封装：SOIC-20-300mil

DMOS双全桥驱动器

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单价：
￥51.765319 / 个

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型号：VNH3SP30-E 编号：C1556955

封装：MultiPowerSO-30