安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：MOC213R2M 编号：C184158

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此类器件由光耦合到单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

数据手册

1+
￥4.2
10+
￥3.35
30+
￥2.93

有货

立即购买

型号：FOD852SD 编号：C258252

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

数据手册

1+
￥4.29
10+
￥3.49
30+
￥3.1
100+
￥2.7

有货

立即购买

型号：MCT6 编号：C258260

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。

数据手册

1+
￥4.65
10+
￥3.81
50+
￥3.32

有货

立即购买

型号：H11AA4M 编号：C258254

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。

数据手册

1+
￥4.7
10+
￥4.6
50+
￥4.14

有货

立即购买

型号：H11AA4SR2M 编号：C258234

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。

数据手册

1+
￥4.93
10+
￥3.96
30+
￥3.48
100+
￥2.99

有货

立即购买

型号：MOC3052TVM 编号：C899827

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

数据手册

1+
￥5.109 ￥7.86
10+
￥3.608 ￥6.56
50+
￥2.6325 ￥5.85
100+
￥2.268 ￥5.04
500+
￥2.106 ￥4.68
1000+
￥2.034 ￥4.52

有货

立即购买

型号：MOC3061TVM 编号：C899834

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥5.2452 ￥5.64
10+
￥4.5733 ￥5.51
30+
￥3.9639 ￥5.43
100+
￥3.9055 ￥5.35

有货

立即购买

型号：H11L1VM 编号：C899476

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

数据手册

1+
￥5.5445 ￥8.53
10+
￥3.916 ￥7.12
50+
￥2.853 ￥6.34
100+
￥2.4615 ￥5.47
500+
￥2.286 ￥5.08
1000+
￥2.205 ￥4.9

有货

立即购买

型号：MOC3052VM 编号：C899828

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

数据手册

1+
￥5.9488 ￥11.44
10+
￥4.0992 ￥9.76
30+
￥2.7872 ￥8.71
100+
￥2.4448 ￥7.64
500+
￥2.288 ￥7.15
1000+
￥2.2208 ￥6.94

有货

立即购买

型号：FODM452R2V 编号：C903713

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM452和FODM453光电耦合器包含光学耦合至高速光电检测晶体管的AlGaAs LED。器件封装于一个紧凑型5引脚微型扁平封装，以实现最佳安装密度。 FODM453具有高CMR额定值，以最大程度上防止共用模式瞬态。

数据手册

1+
￥8.2784 ￥15.92
10+
￥5.7036 ￥13.58
30+
￥3.8784 ￥12.12
100+
￥3.4016 ￥10.63
500+
￥3.184 ￥9.95
1000+
￥3.0912 ￥9.66

有货

立即购买

型号：MOC3082SVM 编号：C899863

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥9.0675 ￥13.95
10+
￥6.5505 ￥11.91
30+
￥4.7835 ￥10.63
100+
￥4.194 ￥9.32
500+
￥3.924 ￥8.72
1000+
￥3.8115 ￥8.47

有货

立即购买

型号：MOC3081TVM 编号：C899859

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

数据手册

1+
￥9.5029 ￥17.93
10+
￥6.579 ￥15.3
30+
￥4.5078 ￥13.66
100+
￥3.9501 ￥11.97
500+
￥3.6993 ￥11.21
1000+
￥3.5904 ￥10.88

有货

立即购买

型号：H11F1M 编号：C899456

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM 系列由一个与对称双向硅光电检测器耦合的砷铝镓红外发光二极管组成。该检测器可与输入进行电气隔离，就好像一个理想隔离的 FET，适用于低电平交流和直流模拟信号的无失真控制。H11FXM 系列器件安装在双线内封装内。

数据手册

1+
￥9.66
10+
￥7.91
50+
￥6.95
100+
￥5.86

有货

立即购买

型号：FODM3083R2 编号：C903712

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM306X 和 FODM308X 系列由于单片式硅检测器进行光耦合的红外发光二极管组成，执行零电压较差双向三端可控硅的功能，采用紧凑型的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。它们与双向三端可控硅一起用于逻辑系统与 115/240 VAC 线路供电设备的接口中，如固态继电器、工业控制器、电机、电磁装置和消费设备。

数据手册

1+
￥12.4992 ￥19.53
10+
￥8.9964 ￥16.66
30+
￥6.5428 ￥14.87
100+
￥5.7332 ￥13.03
500+
￥5.3724 ￥12.21
1000+
￥5.214 ￥11.85

有货

立即购买

型号：HCPL0638 编号：C891330

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。此类器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由 CMOS 工艺上的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制。

数据手册

1+
￥28.67
10+
￥24.59
50+
￥20.24

有货

立即购买

型号：HCPL062N 编号：C84467

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL062N光电耦合器包含一个AlGaAs LED，它在CMOS工艺中光学耦合至由双极性晶体管组成的超高速集成式光电探测器逻辑门，以便降低功耗。输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

数据手册

1+
￥30.62
10+
￥25.95
50+
￥23.17

有货

立即购买

型号：FOD4108SDV 编号：C899280

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

数据手册

1+
￥37.27
10+
￥31.72
30+
￥28.34

有货

立即购买

型号：FOD817SD 编号：C232853

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.0335
50+
￥1.0094
150+
￥0.9934

有货

立即购买

型号：FOD817B 编号：C243068

封装：PDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.3837
50+
￥1.0914
200+
￥0.9661

有货

立即购买

型号：FOD817CSD 编号：C139542

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.7264
50+
￥1.3388
150+
￥1.1727

有货

立即购买

型号：FODM1009 编号：C900938

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM100x 系列单沟道直流感应输入光耦合器采用拉伸体 SOP 4 引脚封装，其中包含一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管，它与一个光电晶体管进行光耦合。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 5,000 VACRMS。

数据手册

1+
￥2.5
10+
￥1.98
30+
￥1.76
100+
￥1.49

有货

立即购买

型号：FOD814S 编号：C900898

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动4引脚双列直插封装中的硅光电晶体管输出。 FOD817 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动 4 引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

数据手册

1+
￥2.63
10+
￥2.57
30+
￥2.53

有货

立即购买

型号：MOC3052SVM 编号：C899826

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

数据手册

1+
￥4.14
10+
￥3.38
50+
￥3
100+
￥2.62

有货

立即购买

型号：MOC3052SR2VM 编号：C899825

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

数据手册

1+
￥4.32
10+
￥3.5
30+
￥3.1
100+
￥2.69
500+
￥2.14

有货

立即购买

型号：4N35SM 编号：C258228

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

1+
￥4.86
10+
￥3.96
50+
￥3.47
100+
￥3.02

有货

立即购买

型号：MOC3082M 编号：C136560

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥5.6
10+
￥4.62
50+
￥3.82

有货

立即购买

型号：MOC3021SM 编号：C108500

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

数据手册

1+
￥5.95
10+
￥4.8
50+
￥4.23
100+
￥3.66

有货

立即购买

型号：FODM1009R2V 编号：C891171

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM100x 系列单沟道直流感应输入光耦合器采用拉伸体 SOP 4 引脚封装，其中包含一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管，它与一个光电晶体管进行光耦合。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 5,000 VACRMS。

数据手册

1+
￥6.5
10+
￥5.29
30+
￥4.68
100+
￥4.08

有货

立即购买

型号：MOC3042M 编号：C16037

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

数据手册

单价：
￥2.16384 / 个

我要订货

型号：HCPL2531M 编号：C899497

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

数据手册

1+
￥8.55
10+
￥7.8
50+
￥7.33
100+
￥6.84
500+
￥6.63
1000+
￥6.53

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示