安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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描述

价格(含税)

库存

操作

逻辑输入 1通道隔离电压(rms):4243V

型号：FOD8316R2V 编号：C132699

封装：SOP-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。

数据手册

1+
￥23.71
10+
￥22.42
30+
￥21.66
100+
￥20.89
750+
￥20.53
1500+
￥20.37

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：CNY171SR2M 编号：C899067

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

数据手册

1+
￥1.9203 ￥5.19
10+
￥1.1394 ￥4.22
30+
￥0.6358 ￥3.74
100+
￥0.5542 ￥3.26
500+
￥0.5049 ￥2.97
1000+
￥0.4794 ￥2.82

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：CNY173M 编号：C391249

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

数据手册

5+
￥1.9973
50+
￥1.4949
150+
￥1.3091
500+
￥1.0772
2000+
￥0.974
5000+
￥0.912

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：CNY172TVM 编号：C899076

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

数据手册

1+
￥2.26
10+
￥1.99
50+
￥1.85
100+
￥1.72
500+
￥1.64

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：4N25SM 编号：C258246

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.84
50+
￥2.38

有货

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MOCD211R2M

型号：MOCD211R2M 编号：C463826

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD211M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

数据手册

1+
￥3.92
10+
￥3.16
30+
￥2.78
100+
￥2.41
500+
￥2.08
1000+
￥1.96

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD852SD 编号：C258252

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

数据手册

1+
￥4.91
10+
￥4.11
30+
￥3.72
100+
￥3.32
500+
￥2.85

有货

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DC输入 2通道隔离电压(rms):2500V@AC

型号：HCPL0531 编号：C891324

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL05XX 和 HCPL04XX 光耦合器由与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED 组成，采用紧凑的 8 引脚小外形封装。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL04XX 器件没有与引线结合的基板，可实现更大噪声裕度。HCPL053X 器件的每个封装有两个沟道，具有最佳安装密度。

数据手册

1+
￥19.59
10+
￥16.63
30+
￥14.78
100+
￥12.88

有货

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DC输入 2通道隔离电压(rms):2500V

型号：HCPL062N 编号：C84467

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL062N光电耦合器包含一个AlGaAs LED，它在CMOS工艺中光学耦合至由双极性晶体管组成的超高速集成式光电探测器逻辑门，以便降低功耗。输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

数据手册

1+
￥33.27
10+
￥28.6
50+
￥25.82

有货

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输出电流2.5 A，带退饱和检测和隔离故障检测功能的IGBT驱动光耦

型号：FOD8316 编号：C899337

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。

数据手册

1+
￥33.8352 ￥40.28
10+
￥28.5418 ￥38.57
50+
￥24.0128 ￥37.52
100+
￥23.456 ￥36.65

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：CNY171M 编号：C899065

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

数据手册

1+
￥1.1052 ￥3.07
10+
￥0.6344 ￥2.44
50+
￥0.3472 ￥2.17
100+
￥0.2928 ￥1.83
500+
￥0.2688 ￥1.68
1000+
￥0.2544 ￥1.59

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：CNY173TVM 编号：C899081

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

数据手册

1+
￥1.1286 ￥3.42
10+
￥0.6256 ￥2.72
50+
￥0.3146 ￥2.42
100+
￥0.2652 ￥2.04
500+
￥0.2431 ￥1.87
1000+
￥0.2301 ￥1.77

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD817CSD 编号：C139542

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.5893
50+
￥1.2617
150+
￥1.1213

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：CNY17F3TVM 编号：C899101

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

数据手册

1+
￥2.028 ￥5.07
10+
￥1.236 ￥4.12
50+
￥0.73 ￥3.65
100+
￥0.636 ￥3.18
500+
￥0.58 ￥2.9
1000+
￥0.55 ￥2.75

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：CNY174SM 编号：C899083

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

数据手册

1+
￥2.65
10+
￥2.09
50+
￥1.85
100+
￥1.56

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：H11AV1SM 编号：C899441

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

数据手册

1+
￥2.8535 ￥4.39
10+
￥1.9635 ￥3.57
50+
￥1.422 ￥3.16
100+
￥1.242 ￥2.76
500+
￥1.1295 ￥2.51
1000+
￥1.0755 ￥2.39

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：CNY174SR2M 编号：C391246

封装：PDIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

数据手册

1+
￥2.9106 ￥2.94
10+
￥2.5938 ￥2.62
30+
￥2.4354 ￥2.46
100+
￥2.2671 ￥2.29
500+
￥1.9107 ￥1.93
1000+
￥1.8711 ￥1.89

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD3150S 编号：C899250

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。

数据手册

1+
￥3.42 ￥11.4
10+
￥1.946 ￥9.73
50+
￥0.868 ￥8.68
100+
￥0.761 ￥7.61
500+
￥0.713 ￥7.13
1000+
￥0.692 ￥6.92

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：H11AV1SR2M 编号：C899442

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

数据手册

1+
￥3.9045 ￥6.85
10+
￥3.1749 ￥5.57
30+
￥2.8101 ￥4.93
100+
￥2.451 ￥4.3
500+
￥2.2344 ￥3.92
1000+
￥2.1204 ￥3.72

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3052SVM 编号：C899826

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

数据手册

1+
￥3.91
10+
￥3.15
50+
￥2.77
100+
￥2.39

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3052SM 编号：C899824

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

数据手册

1+
￥4.047 ￥10.65
10+
￥2.5452 ￥9.09
50+
￥1.4598 ￥8.11
100+
￥1.2798 ￥7.11
500+
￥1.1988 ￥6.66
1000+
￥1.1628 ￥6.46

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3081SM 编号：C899856

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

数据手册

1+
￥4.51
10+
￥3.65
30+
￥3.22
100+
￥2.79
500+
￥2.53

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3062TVM 编号：C899839

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

数据手册

1+
￥4.75
10+
￥3.81
30+
￥3.34
100+
￥2.75

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3041SR2VM 编号：C899806

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥4.91
10+
￥3.97
30+
￥3.5
100+
￥3.03
500+
￥2.76
1000+
￥2.61

有货

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DC 4.17kV

型号：MOC8204SR2M 编号：C899888

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。

数据手册

1+
￥5.04
10+
￥4.5
30+
￥4.24
100+
￥3.97
500+
￥3.22
1000+
￥3.14

有货

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AC,DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：H11AA4SR2M 编号：C258234

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。

数据手册

1+
￥5.11
10+
￥4.14
30+
￥3.66

有货

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DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：MOCD223R2M 编号：C232861

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD223M 由光耦合到单片硅光达林顿检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。MOCD223M 是 MOC223M 的双通道版本。它们非常适合高密度应用，并且不需要通过板安装。

数据手册

1+
￥6.26
10+
￥5.18
30+
￥4.58

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：FODM3083R2 编号：C903712

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM306X 和 FODM308X 系列由于单片式硅检测器进行光耦合的红外发光二极管组成，执行零电压较差双向三端可控硅的功能，采用紧凑型的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。它们与双向三端可控硅一起用于逻辑系统与 115/240 VAC 线路供电设备的接口中，如固态继电器、工业控制器、电机、电磁装置和消费设备。

数据手册

1+
￥6.4449 ￥19.53
10+
￥5.4978 ￥16.66
30+
￥4.9071 ￥14.87
100+
￥4.2999 ￥13.03
500+
￥4.0293 ￥12.21
1000+
￥3.9105 ￥11.85

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD3125SD 编号：C899245

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3125 是一款 2.5 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够在高达 125°C 温度条件下驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

数据手册

1+
￥7.0464 ￥22.02
10+
￥4.1712 ￥18.96
30+
￥2.0568 ￥17.14
100+
￥1.8372 ￥15.31
500+
￥1.7352 ￥14.46
1000+
￥1.6896 ￥14.08

有货

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DC输入 2通道隔离电压(rms):2500V

型号：FOD073LR2 编号：C903689

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD073L光耦合器包含与与高增益分离式达灵顿光电检测器光耦合的AlGaAs LED。此器件指定在3.3V电压的条件下运行。分离式达灵顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管分开，相对于传统的达灵顿光电晶体管光耦合器，可降低输出饱和电压，提高运行速度。集成的发射极-基极电阻提供一流的耐温稳定性。0.5mA的极低输入电流和2000%的高电流传送率相结合，使此器件特别适用于与MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的输入接口，同时确保与LVCMOS的输出兼容以及满足高扇出LVTTL要求。内部噪声屏蔽可提供10 kV/us的出色共模抑制性能。

数据手册

1+
￥7.51
10+
￥6.2
30+
￥5.49
100+
￥4.68
500+
￥4.32
1000+
￥4.16

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
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科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

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降低成本

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