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首页 > 热门关键词 > 安森美光耦
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6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接,改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。
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  • HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED,该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门(单通道器件)。 这些器件采用紧凑型小尺寸封装。 该输出具有开路集电极,从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管,而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管,以降低功耗。 在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。 内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。
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  • 高速晶体管光耦合器由AlGaAs LED与高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过为光电二极管的偏置提供单独连接,减少输入晶体管的基极-集电极电容,使速度比传统光电晶体管光耦合器提高几个数量级。内部噪声屏蔽提供了10kV/μs的出色共模抑制能力。改进的封装允许出色的绝缘,与220V的行业标准相比,工作电压可达480V。
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  • FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器,能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计,可实现高抗扰性,具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器,带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管,可将 IGBT 在轨之间驱动,还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装,满足 8 毫米漏电和间距要求。
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      ¥21.99 ¥36.65
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  • FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器,能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计,可实现高抗扰性,具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器,带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管,可将 IGBT 在轨之间驱动,还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装,满足 8 毫米漏电和间距要求。
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  • FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管,反相并联,驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。
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  • CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成,采用双列直插封装。
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  • CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管,与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。
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  • FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管,反相并联,驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。
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  • MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关,功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口,以控制 115 V
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  • HMHA281 和 HMHA2801 系列器件在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。引线间距为 1.27 mm。
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  • FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器(包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管,与一个光电晶体管进行光耦合),采用紧凑型、半间距、4 针封装 输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。
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  • MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管,该二极管光学耦合至单片硅检测器,可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。
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  • MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。
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      ¥3.5145 ¥10.65
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      ¥0.9243 ¥7.11
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      ¥0.8658 ¥6.66
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      ¥0.8398 ¥6.46
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  • MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关,其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口,可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。
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      ¥4.065 ¥5.42
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      ¥1.617 ¥2.94
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  • MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管,该二极管光学耦合至单片硅检测器,可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。
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      ¥4.6176 ¥8.88
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      ¥1.6928 ¥5.29
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      ¥1.6352 ¥5.11
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  • MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.9384 ¥11.42
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      ¥4.0908 ¥9.74
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      ¥2.2176 ¥6.93
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  • FOD3125 是一款 2.5 A 输出电流门极驱动光耦合器,能够在高达 125°C 温度条件下驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 它利用安森美半导体的共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度,具有高共模抑制规定特性。 它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管,该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.606 ¥22.02
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      ¥3.792 ¥18.96
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      ¥1.714 ¥17.14
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      ¥1.531 ¥15.31
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      ¥1.446 ¥14.46
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      ¥1.408 ¥14.08
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  • 6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比,分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来,使得输出饱和电压更低,运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中,集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口,同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.62
    • 10+

      ¥5.35
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      ¥4.71
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      ¥4.09
    • 500+

      ¥3.71
  • 有货
  • MOCD223M 由光耦合到单片硅光达林顿检测器的砷化镓红外发光二极管组成,采用表面贴装小型塑料封装。MOCD223M 是 MOC223M 的双通道版本。它们非常适合高密度应用,并且不需要通过板安装。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.66
    • 10+

      ¥5.57
    • 30+

      ¥4.97
  • 有货
  • 6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接,改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.17
    • 10+

      ¥7.45
    • 30+

      ¥7.01
    • 100+

      ¥6.55
    • 500+

      ¥6.34
    • 1000+

      ¥6.25
  • 有货
  • CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成,采用双列直插封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.69
    • 10+

      ¥7.22
    • 30+

      ¥6.4
  • 有货
  • FOD3184 是一款 3A 输出电流,高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中,可兼容 260°C 回流工艺,用于实现无引线焊接机合规性。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.9746 ¥19.51
    • 10+

      ¥6.048 ¥16.8
    • 50+

      ¥3.9494 ¥15.19
    • 100+

      ¥3.5256 ¥13.56
    • 500+

      ¥3.3306 ¥12.81
    • 1000+

      ¥3.2422 ¥12.47
  • 有货
  • HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED,该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门(单通道器件)。 这些器件采用紧凑型小尺寸封装。 该输出具有开路集电极,从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管,而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管,以降低功耗。 在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。 内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.7
    • 10+

      ¥8.06
    • 50+

      ¥7.16
    • 100+

      ¥6.14
  • 有货
  • H11FXM 系列由一个与对称双向硅光电检测器耦合的砷铝镓红外发光二极管组成。该检测器可与输入进行电气隔离,就好像一个理想隔离的 FET,适用于低电平交流和直流模拟信号的无失真控制。H11FXM 系列器件安装在双线内封装内。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.29
    • 10+

      ¥9.63
    • 30+

      ¥8.27
  • 有货
  • HCPL05XX 和 HCPL04XX 光耦合器由与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED 组成,采用紧凑的 8 引脚小外形封装。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL04XX 器件没有与引线结合的基板,可实现更大噪声裕度。HCPL053X 器件的每个封装有两个沟道,具有最佳安装密度。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.25
    • 10+

      ¥16.35
    • 30+

      ¥14.53
    • 100+

      ¥12.66
  • 有货
  • 该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.65
    • 10+

      ¥1.5134 ¥1.61
    • 50+

      ¥1.3356 ¥1.59
    • 100+

      ¥1.3104 ¥1.56
  • 有货
  • MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关,功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口,以控制 115 V
    数据手册
    • 1+

      ¥1.7856 ¥5.58
    • 10+

      ¥0.9988 ¥4.54
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      ¥0.4824 ¥4.02
    • 100+

      ¥0.42 ¥3.5
    • 500+

      ¥0.3828 ¥3.19
    • 1000+

      ¥0.3636 ¥3.03
  • 有货
  • MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。
    数据手册
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      ¥2.96
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      ¥1.86
    • 500+

      ¥1.65
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  • FODM301X、FODM302X和FODM305X系列包括一个砷化镓红外发光二极管,用以驱动紧凑型4引脚微型扁平封装中的硅双向开关。 引脚间距为2.54mm。 它们专为电子控件与功率三端双向可控硅开关之间的接口而设计,用以控制115V/240V运行的阻性和感性负载。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.0872 ¥7.86
    • 10+

      ¥2.7552 ¥6.56
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      ¥1.872 ¥5.85
    • 100+

      ¥1.6128 ¥5.04
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      ¥1.4976 ¥4.68
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      ¥1.4464 ¥4.52
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