安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：H11D3SR2M 编号：C899455

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。

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型号：MOC8204M 编号：C899887

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。

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型号：FOD3120SDV 编号：C605156

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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型号：MOC3063SVM 编号：C899842

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：FOD8482 编号：C900930

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

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型号：HCPL2731SM 编号：C899542

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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型号：HCPL2530 编号：C410940

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

由一个与高速光电探测器晶体管光耦合的AlGaAs LED组成。光电二极管偏置的独立连接通过减少输入晶体管的基极-集电极电容，比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级的速度。内部噪声屏蔽提供了10kV/µs的卓越共模抑制能力。改进的封装允许480V的工作电压，而行业标准为220V。

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型号：FOD3120TV 编号：C899242

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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型号：HCPL2531SDVM 编号：C899501

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：HCPL3700SM 编号：C5208631

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

HCPL3700M 电压/电流阈值检测光耦合器包括一个联接阈值感应输入缓冲集成电路的 AlGaAs LED，该集成电路与高增益达灵顿输出进行光耦合。输入缓冲芯片能够使用单个电阻在较宽的输入电压范围内控制阈值水平。该输出可兼容 TTL 和 CMOS。

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型号：HCPL0731R2 编号：C903766

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL-0700、HCPL-0701、HCPL-0730和HCPL-0731光电耦合器包含AlGaAs LED，该LED光学耦合至紧凑型8引脚小型封装中的高增益分离式达灵顿光电探测器。 HCPL-0730和HCPL-0731器件每个封装有两个通道，以获得最佳安装密度。分离式达灵顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管分开，相对于传统的达灵顿光电晶体管光电耦合器，可降低输出饱和电压，提高运行速度。0.5mA的低输入电流和2000%的高电流传送率相结合，使此系列特别适用于与MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的输入接口，同时确保与CMOS的输出兼容以及满足高扇出TTL要求。

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型号：FOD3182V 编号：C899269

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：FODM8801C 编号：C891209

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

OptoHiT FODM8801 是一款全新光电晶体管，利用安森美半导体先进的专属工艺技术，可实现高运行温度特性，最高可达 125°C。该光耦合器在紧凑的半间距、微型扁平、4 引脚封装中包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED),与光电晶体管进行光耦合。它以极低输入电流提供高电流传输率。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3750 VACRMS。

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型号：MID400M 编号：C5207629

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

是一种光隔离交流线路到逻辑接口设备，采用8引脚塑料双列直插式封装。交流线路电压由两个与外部电阻串联的背对背砷化镓发光二极管监测。高增益检测电路感应发光二极管电流，并将输出门驱动到逻辑低电平状态。专为用作交流线路监测器而设计，推荐用于任何需要出色的光隔离、固态可靠性、TTL兼容性、小尺寸、低功耗和低频操作的交直流控制应用。

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型号：FOD4208S 编号：C899304

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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