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双向可控硅有 1

型号：MOC3082SVM 编号：C899863

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥9.765 ￥13.95
10+
￥7.146 ￥11.91
30+
￥5.315 ￥10.63
100+
￥4.66 ￥9.32
500+
￥4.36 ￥8.72
1000+
￥4.235 ￥8.47

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL0601 编号：C891327

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

数据手册

1+
￥10.16
10+
￥8.44
50+
￥7.49

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD3120TV 编号：C899242

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

数据手册

1+
￥10.295 ￥14.5
10+
￥7.5457 ￥12.37
50+
￥5.6304 ￥11.04
100+
￥4.9368 ￥9.68
500+
￥4.6206 ￥9.06
1000+
￥4.488 ￥8.8

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3081TVM 编号：C899859

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

数据手册

1+
￥10.3994 ￥17.93
10+
￥7.344 ￥15.3
30+
￥5.1908 ￥13.66
100+
￥4.5486 ￥11.97
500+
￥4.2598 ￥11.21
1000+
￥4.1344 ￥10.88

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：FODM8801CR2 编号：C903721

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

OptoHiT FODM8801 是一款全新光电晶体管，利用安森美半导体先进的专属工艺技术，可实现高运行温度特性，最高可达 125°C。该光耦合器在紧凑的半间距、微型扁平、4 引脚封装中包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED),与光电晶体管进行光耦合。它以极低输入电流提供高电流传输率。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3750 VACRMS。

数据手册

1+
￥10.54
10+
￥8.84
30+
￥7.9

有货

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DC输入隔离电压(rms):7500V

型号：H11F1SM 编号：C899457

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM 系列由一个与对称双向硅光电检测器耦合的砷铝镓红外发光二极管组成。该检测器可与输入进行电气隔离，就好像一个理想隔离的 FET，适用于低电平交流和直流模拟信号的无失真控制。H11FXM 系列器件安装在双线内封装内。

数据手册

1+
￥11.78
10+
￥10.05
30+
￥8.63

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：MCT5211SR2M 编号：C899741

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MCT52XXM 系列在六引脚双列直插封装内包括一个与 NPN 光电晶体管耦合的高能效 AlGaAs 红外发光二极管。MCT52XXM 适用于 CMOS 与 LSTT/TTL 的接口，提供 250% CTR CE(SAT)，LED 输入电流为 1mA。提供 1.6mA 的 LED 输入电流时，数据速率可达 20K bits/s。MCT52XXM 可将 LSTTL 轻松接口 LSTTL/ TTL，使用外部基极-射极电阻时，数据速率可达 100K bits/s。

数据手册

1+
￥15.9
10+
￥13.57
30+
￥12.11

有货

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DC输入 2通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL0638 编号：C891330

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。此类器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由 CMOS 工艺上的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制。

数据手册

1+
￥31.62
10+
￥27.34
50+
￥22.79

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD817A 编号：C900909

封装：PDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.6002
50+
￥1.2704
200+
￥1.129

有货

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AC.DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD814S 编号：C900898

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动4引脚双列直插封装中的硅光电晶体管输出。 FOD817 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动 4 引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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1+
￥2.63
10+
￥2.57
30+
￥2.53

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD852 编号：C900931

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

数据手册

1+
￥4.32
10+
￥3.44
30+
￥3
100+
￥2.57

有货

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DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：MOC206R2M 编号：C232858

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类器件由光耦合到单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

数据手册

1+
￥5.05
10+
￥4.08
30+
￥3.59

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：FODM217C 编号：C891187

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM217 系列单沟道直流感应输入光耦合器在一个紧凑的半间距微型扁平 4 引脚封装中包含了一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3,750 VACRMS。

数据手册

1+
￥5.07
10+
￥4.18
30+
￥3.74

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3073SM 编号：C899853

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3071M、MOC3072M 和 MOC3073M 由与非零交叉硅双向交流开关（三端双向可控硅元件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。这些器件将低电压逻辑与 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。这些器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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1+
￥5.56
10+
￥5.43
50+
￥5.35

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3053SM 编号：C899829

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

数据手册

1+
￥7.83
10+
￥6.53
30+
￥5.82

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：MCT6SD 编号：C899751

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。

数据手册

1+
￥8.17
10+
￥6.86
30+
￥6.13

有货

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DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：MOCD211M 编号：C555490

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD211M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

数据手册

1+
￥8.33
10+
￥6.91
50+
￥6.13
100+
￥5.26

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：H11A1TVM 编号：C899425

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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1+
￥8.6
10+
￥7.18
50+
￥6.15

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：FODM8801BR2 编号：C903719

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

OptoHiT FODM8801 是一款全新光电晶体管，利用安森美半导体先进的专属工艺技术，可实现高运行温度特性，最高可达 125°C。该光耦合器在紧凑的半间距、微型扁平、4 引脚封装中包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED),与光电晶体管进行光耦合。它以极低输入电流提供高电流传输率。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3750 VACRMS。

数据手册

1+
￥9.91
10+
￥8.22
30+
￥7.3

有货

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HCPL0501

型号：HCPL0501 编号：C463998

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL05XX和HCPL04XX光电耦合器包含一个砷化铝镓LED，它光耦合到紧凑型8引脚小尺寸封装中一个高速光电探测器晶体管。

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1+
￥13.14
10+
￥11.21
30+
￥10.01

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：FOD060L 编号：C891157

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此类光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。器件包含可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽具有出色的共模抑制性能，在 1,000V 共模下通常为 50 kV/us。

数据手册

1+
￥13.88
10+
￥11.75
30+
￥10.42

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD3120SDV 编号：C605156

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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1+
￥15.56
10+
￥13.18
30+
￥11.69

有货

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HCPL3700M: 交流/直流到逻辑接口光耦合器

型号：HCPL3700SM 编号：C5208631

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

HCPL3700M 电压/电流阈值检测光耦合器包括一个联接阈值感应输入缓冲集成电路的 AlGaAs LED，该集成电路与高增益达灵顿输出进行光耦合。输入缓冲芯片能够使用单个电阻在较宽的输入电压范围内控制阈值水平。该输出可兼容 TTL 和 CMOS。

数据手册

1+
￥16.73
10+
￥16.32
30+
￥16.04

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：FODM8071 编号：C463484

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM8071 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。此高速逻辑门极输出光耦合器封装在紧凑的 5 引脚小扁平封装中，在输入处包含一个高速 AlGaAs LED 与输出处的 CMOS 检测集成电路进行耦合。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、20ns 脉冲宽度失真）。

数据手册

1+
￥17.6
10+
￥17.21
30+
￥16.95

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：FODM8801C 编号：C891209

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

OptoHiT FODM8801 是一款全新光电晶体管，利用安森美半导体先进的专属工艺技术，可实现高运行温度特性，最高可达 125°C。该光耦合器在紧凑的半间距、微型扁平、4 引脚封装中包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED),与光电晶体管进行光耦合。它以极低输入电流提供高电流传输率。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3750 VACRMS。

数据手册

1+
￥19.92
10+
￥17.07
30+
￥15.37

有货

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停产 AC/DC 到逻辑接口光耦合器

型号：HCPL3700 编号：C463757

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

电压/电流阈值检测光耦合器由一个与阈值感应输入缓冲IC相连的AlGaAs LED组成，该IC与一个高增益达林顿输出进行光耦合。输入缓冲芯片能够通过单个电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输出与TTL和CMOS兼容。

1+
￥31.4685 ￥49.95
10+
￥27.2538 ￥43.26
50+
￥24.6897 ￥39.19
100+
￥22.5351 ￥35.77

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：FOD4208S 编号：C899304

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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1+
￥35.28
10+
￥30.16
25+
￥27.04

有货

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逻辑输入 2通道隔离电压(rms):3750V

型号：FOD8012A 编号：C891163

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD8012A 是一款半工、双向、高速逻辑门极光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar, 和优化的集成电路设计，可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此高速逻辑门极光耦合器与布置为双向配置的 2 个光耦合沟道进行高度集成，采用紧凑的 8 引脚小型封装。每个光耦合器沟道都包含一个高速 AlGaAs LED，由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、15ns 脉冲宽度失真）。

数据手册

1+
￥36.21
10+
￥35.41
30+
￥34.87

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：4N36M 编号：C898969

封装：PDIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

数据手册

1+
￥1.65
10+
￥1.61
50+
￥1.59

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD817 编号：C900904

封装：PDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.8361
50+
￥1.435
200+
￥1.2631

有货

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