安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：H11G1SR2M 编号：C463995

封装：PDIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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型号：MOC3061SR2VM 编号：C899832

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：CNY17F4SR2VM 编号：C899106

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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型号：FODM8801BR2 编号：C903719

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

OptoHiT FODM8801 是一款全新光电晶体管，利用安森美半导体先进的专属工艺技术，可实现高运行温度特性，最高可达 125°C。该光耦合器在紧凑的半间距、微型扁平、4 引脚封装中包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED),与光电晶体管进行光耦合。它以极低输入电流提供高电流传输率。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3750 VACRMS。

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型号：FODM8801CR2 编号：C903721

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

OptoHiT FODM8801 是一款全新光电晶体管，利用安森美半导体先进的专属工艺技术，可实现高运行温度特性，最高可达 125°C。该光耦合器在紧凑的半间距、微型扁平、4 引脚封装中包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED),与光电晶体管进行光耦合。它以极低输入电流提供高电流传输率。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3750 VACRMS。

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型号：FOD060L 编号：C891157

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此类光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。器件包含可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽具有出色的共模抑制性能，在 1,000V 共模下通常为 50 kV/us。

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型号：FODM8071 编号：C463484

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM8071 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。此高速逻辑门极输出光耦合器封装在紧凑的 5 引脚小扁平封装中，在输入处包含一个高速 AlGaAs LED 与输出处的 CMOS 检测集成电路进行耦合。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、20ns 脉冲宽度失真）。

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型号：HCPL0637 编号：C891329

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。这些器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由采用 CMOS 工艺的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制。

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型号：FOD3180S 编号：C899258

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：FOD817A 编号：C900909

封装：PDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：CNY173M 编号：C391249

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

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型号：CNY17F3M 编号：C258229

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

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型号：MCT2EM 编号：C258259

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MCT2XXX 系列光绝缘体包括一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双线内封装。

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型号：4N37SM 编号：C898972

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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型号：MCT9001 编号：C899753

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MCT9001 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅平面光电晶体管。

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￥2.82

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型号：CNY172SM 编号：C899073

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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型号：MOCD223M 编号：C463095

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD223M 由光耦合到单片硅光达林顿检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。MOCD223M 是 MOC223M 的双通道版本。它们非常适合高密度应用，并且不需要通过板安装。

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型号：MCT62SD 编号：C258242

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。

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型号：FODM217AV 编号：C891182

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器（包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管，与一个光电晶体管进行光耦合），采用紧凑型、半间距、4 针封装输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。

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型号：MOC206R2M 编号：C232858

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类器件由光耦合到单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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型号：FODM217C 编号：C891187

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM217 系列单沟道直流感应输入光耦合器在一个紧凑的半间距微型扁平 4 引脚封装中包含了一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3,750 VACRMS。

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￥4.18
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￥3.74

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型号：FOD814A300 编号：C457687

封装：PDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动4引脚双列直插封装中的硅光电晶体管输出。 FOD817 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动 4 引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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￥5.47
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￥4.49
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￥4

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型号：FODM214A 编号：C891177

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

FODM214 系列单沟道直流感应输入光耦合器采用紧凑的半间距微型扁平 4 引脚封装，其中包含两个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管，它们以反向、并联方式与一个光电晶体管进行光耦合。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3,750 VACRMS。

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￥5.73
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￥4.64
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￥4.09
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￥3.54

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型号：4N32SM 编号：C898957

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

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￥6.13
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￥4.98
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￥4.41

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型号：MOC207M 编号：C719819

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这些器件由砷化镓红外线发光二极管组成，二极管以光学方式耦合到单片硅光电晶体管检测器上，采用可表面帖装的小型塑料封装。它们非常适合高密度应用，并且无需通过电路板安装。

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￥6.19
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￥5.08
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￥4.29
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￥3.74

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型号：H11A1SM 编号：C899422

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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￥6.21
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￥5.06
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￥4.48

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型号：FODM8801AR2 编号：C903717

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

OptoHiT 系列的FODM8801器件是第一款此类光电晶体管，它采用飞兆半导体领先的专利工艺技术生产，可实现高达125°C的工作温度特性。光电耦合器是由与光电晶体管进行光耦合的铝砷化镓(AlGaAs)红外发光二极管组成，它采用紧凑型的半间距、4引脚微型扁平封装。它可以在极低的输入电流下提供高电流传输比。输入输出隔离电压V

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￥6.54
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￥5.31
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￥4.69

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型号：MOC3053SM 编号：C899829

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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￥7.83
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￥6.53
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￥5.82

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型号：6N137SDVM 编号：C898988

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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￥8.11
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型号：MCT6SD 编号：C899751

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。

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