安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：FOD817C300W 编号：C900911

封装：PDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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￥1.2239
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￥0.9511
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￥0.8342
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2000+
￥0.6235
4000+
￥0.5845

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型号：FOD817B3SD 编号：C327483

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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￥1.5819
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￥1.2728
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￥1.1404
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￥0.9248
2000+
￥0.8512
5000+
￥0.807

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型号：FODM1008R2 编号：C891167

封装：LSOP-4-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FODM100x 系列，单通道，直流感应输入，光耦合器包括一个砷化镓红外线放射晶体管，与光耦合至一个光电晶体管，采用 SOP 4 引脚的延展体封装。输入输出隔离电压 VISO 额定值为 5,000 VACRMS。

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￥2.58
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￥2.06
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￥1.83
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￥1.55
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￥1.43
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￥1.35

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型号：FODM3022-NF098 编号：C479732

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM301X、FODM302X 和 FODM305X 系列由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。适用于电子控件与电源三端双向可控硅开关元件之间的接口，以在 115V/240V 条件下控制电阻负载和电感负载。

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￥3.2037 ￥5.43
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￥2.4206 ￥4.94
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￥1.8174 ￥4.66
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￥1.6965 ￥4.35
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￥1.6458 ￥4.22
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￥1.6185 ￥4.15

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型号：FOD3120 编号：C119030

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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￥6.35
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￥5.2
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￥4.57
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￥3.85
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￥3.53
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￥3.39

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型号：FOD3182SD 编号：C479708

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥7.86
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￥6.37
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￥5.63
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￥4.33
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￥3.89
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￥3.66

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型号：HCPL0600 编号：C891326

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。此类器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由 CMOS 工艺上的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制。

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￥9.54
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￥7.93
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￥7.05
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￥6.05
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￥5.61

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型号：FOD3184SDV 编号：C899272

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥11.86
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￥11.02
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￥10.49
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￥7.51
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型号：MOC8050M 编号：C97210

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。

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￥3.16
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￥2.51
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￥2.23
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￥1.88
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￥1.73
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￥1.63

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型号：FOD814SD 编号：C479718

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动4引脚双列直插封装中的硅光电晶体管输出。 FOD817 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动 4 引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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￥3.5
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￥2.8
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￥2.45
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￥2.11
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￥1.8

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型号：H11L1SR2VM 编号：C274632

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥3.58
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￥2.85
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￥2.48
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￥2.12
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￥1.9

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型号：MOC3081SM 编号：C899856

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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￥4.51
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￥3.65
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￥3.22
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￥2.79
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￥2.53

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型号：FOD8342R2V 编号：C899348

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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￥4.88
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￥3.9
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￥3.41
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￥2.93
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￥2.64
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￥2.49

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型号：MOCD213M 编号：C258243

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD213M 器件包含两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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￥5.14
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￥4.16
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￥3.47
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￥2.99

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型号：TIL113SM 编号：C900043

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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￥5.96
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￥4.75
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￥4.14
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￥3.54
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￥3.18
1000+
￥2.99

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型号：MOC3051SR2VM 编号：C184543

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。这些器件将来自 115 V

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￥6.04
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￥4.81
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￥4.19
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￥3.58
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￥3.21
1000+
￥3.03

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型号：4N25SM 编号：C258246

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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1+
￥6.08
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￥4.97
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￥4.06
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￥3.51

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型号：FOD3150 编号：C899246

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。

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￥7.14
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￥6.03
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￥4.47
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￥3.78
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￥3.48
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￥3.34

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型号：FODM3083 编号：C462758

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM306X 和 FODM308X 系列由于单片式硅检测器进行光耦合的红外发光二极管组成，执行零电压较差双向三端可控硅的功能，采用紧凑型的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。它们与双向三端可控硅一起用于逻辑系统与 115/240 VAC 线路供电设备的接口中，如固态继电器、工业控制器、电机、电磁装置和消费设备。

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1+
￥7.4
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￥6.17
30+
￥5.5
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￥4.75
500+
￥4.41

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型号：H11G1SM 编号：C899466

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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1+
￥7.66
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￥6.39
50+
￥5.7

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型号：HCPL2530SDM 编号：C899495

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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￥8.82
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￥7.36
30+
￥6.55
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￥5.64
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￥5.24
1000+
￥5.05

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型号：FOD8333R2 编号：C898492

封装：SO-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8333 是一款先进的 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光电耦合器，可驱动高达 1,200 V 和 150 A 的中型功率 IGBT。适用于电机控制变频器应用和高性能电力系统中 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 FOD8333 为您提供必要的保护功能，避免发生故障，从而确保 IGBT 不会由于热逃逸而损坏。

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1+
￥36.73
10+
￥32.04
30+
￥24.79
100+
￥22.39

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型号：CNY172TVM 编号：C899076

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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1+
￥1.5872 ￥2.56
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￥1.1908 ￥2.29
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￥0.903 ￥2.15
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￥0.8484 ￥2.02
500+
￥0.8148 ￥1.94
1000+
￥0.7938 ￥1.89

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型号：FODM2701 编号：C891194

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个驱动光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个反相并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于 AC 运行。

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5+
￥2.0244
50+
￥1.5974
200+
￥1.4144
500+
￥1.186

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型号：HMHAA280R2 编号：C258258

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

HMHAA280 包括两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管，用于驱动一个硅光电晶体管，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 1.27mm。

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1+
￥2.67
10+
￥2.62
30+
￥2.58
100+
￥2.54

有货

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型号：4N33SR2M 编号：C898962

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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1+
￥4.06
10+
￥3.34
30+
￥2.98
100+
￥2.62
500+
￥2.25
1000+
￥2.14

有货

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型号：MOC3063SM 编号：C899841

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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1+
￥4.59
10+
￥3.78
50+
￥3.09

有货

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型号：MOC3041SR2VM 编号：C899806

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥4.91
10+
￥3.97
30+
￥3.5
100+
￥3.03
500+
￥2.76

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型号：MOC8204SR2M 编号：C899888

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。

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1+
￥5.04
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￥4.5
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￥4.24
100+
￥3.97
500+
￥3.22
1000+
￥3.14

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型号：FODM3053R2V-NF098 编号：C413944

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM301X、FODM302X 和 FODM305X 系列由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。它们适合用作电子控件与功率三端双向可控硅开关元件之间的接口，可控制 115V/240V 运行的电阻和电感负载。

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1+
￥9.3002 ￥9.49
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￥6.9696 ￥7.92
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￥5.5068 ￥7.06
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￥4.7424 ￥6.08
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￥4.407 ￥5.65
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