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具有集成去饱和 (VCE) 检测和故障状态反馈的2.5A栅极驱动光耦合器,使IGBTVCE故障保护紧凑、经济且易于实施,同时满足全球安全和监管要求。是一种易于使用的智能栅极驱动器,使IGBTVCE故障保护紧凑、经济且易于实施。用户可配置输入、集成VCE检测、欠压锁定 (UVLO)、“软”IGBT关断和隔离故障反馈等功能,提供了最大的设计灵活性和电路保护。是一种高度集成的功率控制设备,将完整的、带故障保护和反馈的隔离式IGBT栅极驱动电路所需的所有组件集成到一个SO-16封装中。TTL输入逻辑电平允许直接与微控制器接口,光隔离功率输出级驱动功率额定值高达150A和1200V的IGBT。高速内部光链路可最大限度地减少微控制器和IGBT之间的传播延迟,同时允许两个系统在工业电机驱动器和其他功率开关应用中常见的非常大的共模电压差下运行
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  • 该产品由高性能AlGaAs LED组成,可照亮两个紧密匹配的光电二极管。输入光电二极管可用于监测并稳定LED的光输出,从而几乎消除LED的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与LED光输出线性相关的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性度和稳定的增益特性。该产品可用于在各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号。它非常灵活,通过适当设计应用电路,能够以多种不同模式工作,包括单极/双极、交流/直流和反相/同相。该产品是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。
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  • 光耦合门,结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。 使能输入允许对探测器进行选通。 探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。 内部屏蔽可保证在Vcm = 1000V时,共模瞬态抗扰度规格高达15,000V/μs。 这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。 光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C至 +85°C范围内得到保证,确保系统无故障运行。
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  • HCNR200/201 高线性模拟光耦合器由一个高性能的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)和两个紧密匹配的光电二极管组成。输入光电二极管可用于监测并稳定 LED 的光输出。因此,LED 的非线性和漂移特性几乎可以消除
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  • 是先进的2.5A输出电流、易于使用的智能栅极驱动器,使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。集成VCE检测、欠压锁定(UVLO)、“软”IGBT关断、隔离集电极开路故障反馈、有源米勒钳位和自动故障复位等功能,提供最大的设计灵活性和电路保护。包含AlGaAs LED,LED与带功率输出级的集成电路光耦合。非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V和150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。绝缘电压为VIOM = 1414VPEAK
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  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
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  • 超低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管(LED)和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗极低,每个通道的IDD电流在整个温度范围内最大为1.3 mA。输入电流低至1.6 mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了最低20 kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时,实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3 V和5 V电源电压下工作,在-40°C至+105°C的宽温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
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  • 15MBd,5mA低输入电流,3.3V/5V数字光电耦合器
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  • 6N137、HCPL - 26xx/06xx/4661、HCNW137/26x1 是光耦合门,其将 GaAsP 发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。使能输入可对探测器进行选通。探测器集成电路的输出是集电极开路的肖特基钳位晶体管
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  • IGBT栅极驱动IC,最大峰值输出电流2.5A
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  • 3.3V/5V数字光电耦合器系列,15MBd
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  • 鸥翼脚
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  • ACPL - 227是一款直流输入双通道半间距光电晶体管光耦合器,包含两个与两个独立光电晶体管进行光耦合的发光二极管。它采用8引脚SO封装。ACPL - 247是一款直流输入四通道半间距光电晶体管光耦合器,包含四个与四个独立光电晶体管进行光耦合的发光二极管
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  • 有货
  • ACPL - 332J是一款先进的2.5 A输出电流、易于使用的智能栅极驱动器,它使IGBT VCE故障保护变得紧凑、经济且易于实现。集成VCE检测、欠压锁定(UVLO)、IGBT“软”关断、隔离集电极开路故障反馈和有源米勒钳位等特性,提供了最大的设计灵活性和电路保护。ACPL - 332J包含一个AlGaAs LED
    数据手册
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      ¥11.65
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      ¥10.87
    • 850+

      ¥10.53
  • 有货
  • 高CMR,高速TTL兼容的光电耦合器
    数据手册
    • 1+

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    • 10+

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    • 500+

      ¥2.57
    • 1000+

      ¥2.42
  • 有货
  • HCNR200/201 高线性模拟光耦合器由一个高性能的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)和两个紧密匹配的光电二极管组成。输入光电二极管可用于监测并稳定 LED 的光输出。因此,LED 的非线性和漂移特性几乎可以消除
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    • 420+

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    • 840+

      ¥6.79
  • 有货
  • 是一款先进的1.5 A输出电流、易于使用的智能栅极驱动器,可使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。具有集成Vce检测、欠压锁定(UVLO)、“软”IGBT关断、隔离集电极开路故障反馈和有源米勒钳位等功能,提供最大的设计灵活性和电路保护。包含一个AlGaAs LED,该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V和100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。绝缘电压为VIOM = 1414 VPEAK。
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    • 1+

      ¥18.26
    • 10+

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    • 100+

      ¥11.41
    • 500+

      ¥10.67
    • 850+

      ¥10.34
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证,确保系统无故障运行。
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    • 1+

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    • 10+

      ¥24.59
    • 30+

      ¥22.2
    • 100+

      ¥17.52
    • 500+

      ¥16.41
    • 1500+

      ¥15.91
  • 有货
  • 这些小尺寸、高共模抑制比(CMR)、高速的二极管-晶体管光耦合器是单通道设备,采用五引脚微型封装。SO-5 JEDEC注册(MO-155)封装外形无需在印刷电路板(PCB)上打“通孔”,该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的四分之一,引脚轮廓设计与标准表面贴装工艺兼容。这些二极管-晶体管光耦合器在发光二极管(LED)和集成光子探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极-集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍
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    • 1+

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      ¥3.2
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      ¥2.56
    • 1500+

      ¥2.5
  • 有货
  • 包含一个AlGaAs LED,它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,该光耦合器可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中,其绝缘电压分别最高可达VIOM = 891Vpeak和VIOM = 1140Vpeak。
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    • 1+

      ¥6.13
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