安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：FOD8343TV 编号：C900924

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

4.0 A Output Current, High Speed Gate Drive Optocoupler in Stretched Body

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型号：FOD8343R2 编号：C899350

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

4.0 A Output Current, High Speed Gate Drive Optocoupler in Stretched Body

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型号：HCPL2731SDM 编号：C899541

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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型号：FOD3180SDV 编号：C899259

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：FOD3182SV 编号：C899266

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：FOD8482T 编号：C605164

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

是低功率光耦合器，支持与智能功率模块 (IPM) 的隔离接口，将数字控制信号从控制器传输到 IPM，而不会传导接地回路或危险电压。采用拉伸体 6 引脚小外形塑料封装，由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成高增益光电探测器组成。探测器具有带迟滞的探测器阈值，可提供差模抗噪性并消除输出信号抖动的可能性。其同相输出设计为图腾柱结构，无需任何上拉电阻

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型号：HCPL4503TSVM 编号：C899554

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：FOD8160R2V 编号：C899329

封装：SOIC-5-9.2mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8160 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门输出（开路集电极输出）光电耦合器，支持隔离式通信，允许数字信号在不传导接地环路或危险电压的情况下在系统间通信。该器件采用飞兆专有的 Optoplanar 共面封装技术，优化了 IC 设计，通过高共模抑制规格特点实现了高抗噪能力。

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型号：H11N1M 编号：C463996

封装：PDIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：FOD4208SD 编号：C899305

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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型号：FOD8320R2V 编号：C899341

封装：SOIC-5-9.2mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8320 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的 Optoplanar 共面封装封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED) 组成，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。该器件采用宽体，5 引脚，小外形塑料封装。

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型号：H11F1SR2M 编号：C463503

封装：PDIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM 系列由一个与对称双向硅光电检测器耦合的砷铝镓红外发光二极管组成。该检测器可与输入进行电气隔离，就好像一个理想隔离的 FET，适用于低电平交流和直流模拟信号的无失真控制。H11FXM 系列器件安装在双线内封装内。

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型号：FODM121BR2 编号：C903697

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

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型号：FOD817AS 编号：C243067

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：HMHA2801A 编号：C258256

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

HMHA281、HMHA2801 系列包括一个砷化镓红外发光二极管，用以驱动紧凑型 4 引脚微型扁平封装中的硅光电晶体管。引线间距为1.27mm。

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￥1.22652 / 个

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型号：MOC3010SR2M 编号：C899771

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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型号：FOD819 编号：C479729

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD819 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管，驱动带有集成的基极发射电阻 RBE 的硅光电达林顿输出。当绝缘数据信号传输中需要更高速度性能时，它适用于以更高性能替代受欢迎的 FOD817 系列。

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型号：MOC3043SM 编号：C899815

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：FODM3052-NF098 编号：C457811

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM301X、FODM302X 和 FODM305X 系列由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。适用于电子控件与电源三端双向可控硅开关元件之间的接口，以在 115V/240V 条件下控制电阻负载和电感负载。

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型号：H11L2SR2M 编号：C899478

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

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型号：FODM3053-NF098 编号：C891198

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM301X、FODM302X 和 FODM305X 系列由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。它们适合用作电子控件与功率三端双向可控硅开关元件之间的接口，可控制 115V/240V 运行的电阻和电感负载。

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型号：MOC3051SR2M 编号：C899821

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。这些器件将来自 115 V

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型号：MOC3073M 编号：C899852

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3071M、MOC3072M 和 MOC3073M 由与非零交叉硅双向交流开关（三端双向可控硅元件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。这些器件将低电压逻辑与 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。这些器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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型号：MOC3063TVM 编号：C899843

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：FOD420 编号：C463480

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关由两个逆向并联 SCR 构成，具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管，具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。

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型号：HCPL0601V 编号：C891328

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

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型号：FOD4118SD 编号：C899298

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关使用两个逆向并联 SCR 形成，构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高效红外发光二极管，可提高触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。

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型号：HCPL062NR2 编号：C464183

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL062N光电耦合器包含一个AlGaAs LED，它在CMOS工艺中光学耦合至由双极性晶体管组成的超高速集成式光电探测器逻辑门，以便降低功耗。输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

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型号：FOD4108S 编号：C899278

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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型号：FOD8332 编号：C462757

封装：SO-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，用于进行故障感应。

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