安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：CNY17F1SR2M 编号：C899090

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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型号：H11A1SR2M 编号：C899423

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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型号：FODM1007R2V 编号：C891166

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM100x 系列单沟道直流感应输入光耦合器采用拉伸体 SOP 4 引脚封装，其中包含一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管，它与一个光电晶体管进行光耦合。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 5,000 VACRMS。

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型号：MOCD223R2VM 编号：C904296

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD223M 由光耦合到单片硅光达林顿检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。MOCD223M 是 MOC223M 的双通道版本。它们非常适合高密度应用，并且不需要通过板安装。

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型号：FOD814A300 编号：C457687

封装：PDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动4引脚双列直插封装中的硅光电晶体管输出。 FOD817 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动 4 引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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型号：FODM611R2 编号：C463974

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM611是一款5V高速逻辑门输出（开路集电极）光电耦合器，支持隔离式通信，允许数字信号在不传导接地环路或危险电压的情况下在系统间通信。该器件采用飞兆专有的共面封装技术，Optoplanar，优化了IC设计，通过高共模瞬变抑制规格特点实现了高抗噪能力。该光电耦合器在输入端包括一个AlGaAS LED，该LED光耦合至一个高速集成光电检测器逻辑门。检测器IC输出是一个开路集电极肖特基箝位晶体管。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。 5mA的最大输入信号将提供13mA的最小输出灌电流（扇出为8）。

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型号：H11L3SR2VM 编号：C899485

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：FOD8523S 编号：C900934

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

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型号：HMHA2801CR2 编号：C903770

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

HMHA281、HMHA2801 系列包括一个砷化镓红外发光二极管，用以驱动紧凑型 4 引脚微型扁平封装中的硅光电晶体管。引线间距为1.27mm。

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型号：MOC3062SM 编号：C899836

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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型号：MOC3023SM 编号：C899792

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

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型号：MOC3041VM 编号：C899809

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：TIL113SM 编号：C900043

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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型号：4N29M 编号：C898952

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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型号：FODM3023R2-NF098 编号：C606129

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM301X、FODM302X和FODM305X系列包括一个砷化镓红外发光二极管，用以驱动紧凑型4引脚微型扁平封装中的硅双向开关。引脚间距为2.54mm。它们专为电子控件与功率三端双向可控硅开关之间的接口而设计，用以控制115V/240V运行的阻性和感性负载。

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型号：FOD8802A 编号：C2902031

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD8802双通道光耦合器是一款一流的光电晶体管光耦合器，采用前沿的专有工艺技术，可实现高达125°C的高工作温度性能。它由两个铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管与两个光电晶体管进行光耦合组成，采用小外形8引脚SOIC封装。在极低的输入电流和不同温度条件下，它能提供稳定的电流传输比

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型号：H11L3M 编号：C899482

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：4N36SM 编号：C898970

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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型号：MOC3061SVM 编号：C899833

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：FOD8523SD 编号：C463971

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

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型号：FOD8173T 编号：C900908

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8173 系列采用拉伸体 6 引脚小型塑料封装，由镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和 CMOS 检测器集成电路组成，该检测器集成电路包括集成光电二极管、高速互阻抗放大器和带有图腾柱输出驱动器的电压比较器。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VDD 范围内得以保证。

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型号：FODM3053R2V-NF098 编号：C413944

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM301X、FODM302X 和 FODM305X 系列由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。它们适合用作电子控件与功率三端双向可控硅开关元件之间的接口，可控制 115V/240V 运行的电阻和电感负载。

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型号：H11D3SR2M 编号：C899455

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。

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型号：MOC3053M 编号：C603333

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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￥9.78
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￥7.27

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型号：4N32VM 编号：C898960

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

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￥10.22
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￥8.53
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型号：FODM452 编号：C463482

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM452和FODM453光电耦合器包含光学耦合至高速光电检测晶体管的AlGaAs LED。器件封装于一个紧凑型5引脚微型扁平封装，以实现最佳安装密度。 FODM453具有高CMR额定值，以最大程度上防止共用模式瞬态。

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￥11.1
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￥9.48
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￥8.46

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型号：FODM8801CR2V 编号：C903722

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

OptoHiT FODM8801 是一款全新光电晶体管，利用安森美半导体先进的专属工艺技术，可实现高运行温度特性，最高可达 125°C。该光耦合器在紧凑的半间距、微型扁平、4 引脚封装中包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED),与光电晶体管进行光耦合。它以极低输入电流提供高电流传输率。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3750 VACRMS。

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￥11.23
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￥10.99
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型号：MOC3163SM 编号：C464221

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥11.94
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￥11.67
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型号：HCPL2731SM 编号：C899542

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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型号：MOC3163SR2M 编号：C899874

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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