安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：FOD814AS 编号：C900897

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动4引脚双列直插封装中的硅光电晶体管输出。 FOD817 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动 4 引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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单价：
￥0.90036 / 个

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型号：CNY174SM 编号：C899083

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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单价：
￥1.30824 / 个

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型号：MCT62S 编号：C899749

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。

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单价：
￥1.8966 / 个

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型号：FOD8343TR2 编号：C411210

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

该系列是 4.0 A 最大峰值输出电流栅极驱动光耦合器，能够驱动中功率 IGBT/MOSFET。它非常适合用于电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动，以及高性能电源系统。该系列采用拉伸体封装，以实现 8 mm 的爬电距离和电气间隙（FOD8343T），并通过优化的 IC 设计实现可靠的高绝缘电压和高抗噪性。该系列由一个砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管 (LED) 组成，该二极管与一个带有推挽 MOSFET 输出级的高速驱动器的集成电路光耦合。该器件采用拉伸体、6 引脚、小外形塑料封装。

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单价：
￥4.92684 / 个

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型号：MOC3012M 编号：C124434

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光绝缘三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。适用于电子控件与电源三端双向可控硅开关元件之间的接口，以在 115 VAC 条件下控制电阻负载和电感负载。

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单价：
￥1.65984 / 个

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型号：FODM121A 编号：C605165

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

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单价：
￥0.99324 / 个

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型号：H11A1TVM 编号：C899425

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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单价：
￥1.28436 / 个

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型号：HCPL0700 编号：C891332

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL-0700、HCPL-0701、HCPL-0730 和 HCPL-0731 光耦合器包括一个与高增益分离达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED，采用紧凑型 8 引脚小外形封装。HCPL-0730 和 HCPL-0731 器件每个封装有两个沟道，可实现最佳安装密度。该分离达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和压和更高的运行速度。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。

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单价：
￥3.36924 / 个

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型号：FOD817B300W 编号：C258251

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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单价：
￥0.68796 / 个

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型号：H11AV1M 编号：C184261

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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单价：
￥1.36596 / 个

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型号：4N28M 编号：C4067

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.254 / 个

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型号：H11AV1AM 编号：C258235

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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单价：
￥1.36596 / 个

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型号：4N27M 编号：C136568

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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100+
￥1.2204
500+
￥1.13904
2000+
￥1.1187

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型号：H11G1M 编号：C258236

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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单价：
￥2.05884 / 个

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型号：H11L1SVM 编号：C899474

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥2.14212 / 个

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型号：FODM124 编号：C87103

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM121、FODM124 和 FODM2701 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动紧凑型 4 引脚微型扁平封装中的光电晶体管。引脚节距是 2.54 mm。FODM2705 系列包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，用于交流运行。

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单价：
￥1.04652 / 个

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型号：MOC217M 编号：C457696

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这些器件由光耦合到单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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单价：
￥1.33536 / 个

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型号：FODM611R2 编号：C463974

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM611是一款5V高速逻辑门输出（开路集电极）光电耦合器，支持隔离式通信，允许数字信号在不传导接地环路或危险电压的情况下在系统间通信。该器件采用飞兆专有的共面封装技术，Optoplanar，优化了IC设计，通过高共模瞬变抑制规格特点实现了高抗噪能力。该光电耦合器在输入端包括一个AlGaAS LED，该LED光耦合至一个高速集成光电检测器逻辑门。检测器IC输出是一个开路集电极肖特基箝位晶体管。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。 5mA的最大输入信号将提供13mA的最小输出灌电流（扇出为8）。

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单价：
￥3.51228 / 个

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型号：MOC3011M 编号：C232860

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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单价：
￥1.54464 / 个

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型号：4N25SR2VM 编号：C898941

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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单价：
￥1.38996 / 个

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型号：FOD8001 编号：C463968

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD8001 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。此高速逻辑门极光耦合器封装在 8 引脚小型封装中，包含一个高速 AlGaAs LED，由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（40ns 传播延迟、6ns 脉冲宽度失真）。

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单价：
￥6.27612 / 个

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型号：FOD3180 编号：C899257

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.03916 / 个

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型号：HCPL0639R2 编号：C184745

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

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单价：
￥5.08464 / 个

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型号：FOD8012A 编号：C891163

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD8012A 是一款半工、双向、高速逻辑门极光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar, 和优化的集成电路设计，可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此高速逻辑门极光耦合器与布置为双向配置的 2 个光耦合沟道进行高度集成，采用紧凑的 8 引脚小型封装。每个光耦合器沟道都包含一个高速 AlGaAs LED，由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、15ns 脉冲宽度失真）。

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