安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：4N27M 编号：C136568

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.2396 / 个

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型号：H11G1M 编号：C258236

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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1000+
￥1.9264
2000+
￥1.892

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型号：4N33VM 编号：C898964

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.64832 / 个

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型号：FODM124 编号：C87103

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM121、FODM124 和 FODM2701 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动紧凑型 4 引脚微型扁平封装中的光电晶体管。引脚节距是 2.54 mm。FODM2705 系列包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，用于交流运行。

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单价：
￥1.04652 / 个

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型号：4N33SR2M 编号：C898962

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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2090+
￥0.991778
4180+
￥0.958719
8360+
￥0.942189
16720+
￥0.90913

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型号：4N29SR2M 编号：C898954

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.8942 / 个

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型号：4N35VM 编号：C898968

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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单价：
￥1.30896 / 个

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型号：FOD4108SDV 编号：C899280

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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单价：
￥12.57024 / 个

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型号：HCPL0639R2 编号：C184745

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

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单价：
￥5.08464 / 个

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型号：HCPL0501R2 编号：C257710

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL05XX和HCPL04XX光电耦合器包含一个砷化铝镓LED，它光耦合到紧凑型8引脚小尺寸封装中一个高速光电探测器晶体管。

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单价：
￥2.66376 / 个

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型号：6N135SM 编号：C188671

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥3.3054 / 个

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型号：6N135SVM 编号：C188657

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥3.4962 / 个

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型号：H11L3SM 编号：C899483

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥2.14212 / 个

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型号：MOC213M 编号：C891765

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此类器件由光耦合到单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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单价：
￥1.40652 / 个

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型号：6N138SM 编号：C188667

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分割达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED。该分割达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内提供了卓越的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。内部噪声屏蔽提供卓越的 10 kV/us 共模抑制。

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单价：
￥3.09288 / 个

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型号：FOD8314R2 编号：C411211

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8314 系列是一个 1.0 A 的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动中等功率的 IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制变频应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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单价：
￥3.85584 / 个

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型号：MCT62 编号：C899746

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。

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单价：
￥1.81752 / 个

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型号：FOD3182SDV 编号：C899265

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.59632 / 个

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型号：HCPL2531SD 编号：C184117

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥10.98
10+
￥10.79
30+
￥10.66
100+
￥10.53

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型号：FOD3182 编号：C899263

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.25972 / 个

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型号：FODM8061R2V 编号：C411198

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM8061 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出（开路集电极）光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。此光耦合器在输入处包含一个 AlGaAS LED，与高速集成式光电检测器逻辑门级进行光耦合。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。耦合参数在 -40°C 至 +110°C 的宽温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。

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单价：
￥7.88472 / 个

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型号：HCPL2531 编号：C124473

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥17.89
10+
￥15.3
50+
￥12.49
100+
￥10.83
500+
￥10.08
1000+
￥9.76

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型号：FOD8333R2V 编号：C132710

封装：SOP-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8333 是一款先进的 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光电耦合器，可驱动高达 1,200 V 和 150 A 的中型功率 IGBT。适用于电机控制变频器应用和高性能电力系统中 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 FOD8333 为您提供必要的保护功能，避免发生故障，从而确保 IGBT 不会由于热逃逸而损坏。

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