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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：FODM3063R2 编号：C258233

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM306X 和 FODM308X 包含一个红外发光二极管，该二极管与执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器功能的单片硅检测器进行光耦合并采用紧凑型 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥11.42
10+
￥9.72
30+
￥8.65

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD8482 编号：C900930

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥11.91
10+
￥11.62
30+
￥11.42

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3073SVM 编号：C899855

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3071M、MOC3072M 和 MOC3073M 由与非零交叉硅双向交流开关（三端双向可控硅元件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。这些器件将低电压逻辑与 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。这些器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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1+
￥12.46
10+
￥10.46
30+
￥9.21
100+
￥7.93

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD2741AS 编号：C899225

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

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1+
￥13.07
10+
￥11.1
50+
￥9.87

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：6N138SDM 编号：C188666

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分割达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED。该分割达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内提供了卓越的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。内部噪声屏蔽提供卓越的 10 kV/us 共模抑制。

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1+
￥14.74
10+
￥12.51
30+
￥11.11

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DC输入 2通道隔离电压(rms):2500V

型号：HCPL2531SDVM 编号：C899501

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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1+
￥15.81
10+
￥15.41
30+
￥15.14

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高速10 MBit/s逻辑门光耦合器

型号：HCPL0611 编号：C463505

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

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1+
￥16.39
10+
￥15.97
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DC输入 1通道隔离电压(rms):2500V

型号：HCPL0731R2 编号：C903766

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL-0700、HCPL-0701、HCPL-0730和HCPL-0731光电耦合器包含AlGaAs LED，该LED光学耦合至紧凑型8引脚小型封装中的高增益分离式达灵顿光电探测器。 HCPL-0730和HCPL-0731器件每个封装有两个通道，以获得最佳安装密度。分离式达灵顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管分开，相对于传统的达灵顿光电晶体管光电耦合器，可降低输出饱和电压，提高运行速度。0.5mA的低输入电流和2000%的高电流传送率相结合，使此系列特别适用于与MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的输入接口，同时确保与CMOS的输出兼容以及满足高扇出TTL要求。

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1+
￥16.71
10+
￥16.32
30+
￥16.06

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FODM1007 编号：C900936

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM100x 系列单沟道直流感应输入光耦合器采用拉伸体 SOP 4 引脚封装，其中包含一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管，它与一个光电晶体管进行光耦合。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 5,000 VACRMS。

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1+
￥2.02
10+
￥1.98
30+
￥1.95

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DC 3.75kV

型号：HMHA2801C 编号：C891338

封装：SO-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

HMHA281、HMHA2801 系列包括一个砷化镓红外发光二极管，用以驱动紧凑型 4 引脚微型扁平封装中的硅光电晶体管。引线间距为1.27mm。

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1+
￥2.17
10+
￥2.12
30+
￥2.08
100+
￥2.04

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD8173SD 编号：C463969

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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5+
￥2.2496
50+
￥1.8049
150+
￥1.6143

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FOD817C3S

型号：FOD817C3S 编号：C243070

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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1+
￥2.43
10+
￥2.37
30+
￥2.34
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￥2.3

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AC.DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD8143SD 编号：C899327

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动4引脚双列直插封装中的硅光电晶体管输出。 FOD817 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动 4 引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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1+
￥2.45
10+
￥2.39
30+
￥2.35

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：CNY172M 编号：C899072

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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1+
￥2.8
10+
￥2.25
50+
￥2.02

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：4N26M 编号：C89367

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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1+
￥2.97
10+
￥2.39
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￥2.02

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：4N37SM 编号：C898972

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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1+
￥3.08
10+
￥3.01
30+
￥2.96
100+
￥2.92

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4170V

型号：H11L1TVM 编号：C899475

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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1+
￥3.17
10+
￥3.09
30+
￥3.04

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FOD8173S

型号：FOD8173S 编号：C462756

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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1+
￥3.19
10+
￥3.12
30+
￥3.07

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DC 4.17kV

型号：4N26SM 编号：C898944

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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1+
￥3.59
10+
￥2.89
50+
￥2.58

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：FODM217CV 编号：C891190

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM217 系列单沟道直流感应输入光耦合器在一个紧凑的半间距微型扁平 4 引脚封装中包含了一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3,750 VACRMS。

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1+
￥3.81
10+
￥3.74
50+
￥3.69

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：4N27SR2M 编号：C898948

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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1+
￥3.81
10+
￥3.08
30+
￥2.71

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AC,DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：FODM214R2 编号：C891179

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM214 系列单沟道直流感应输入光耦合器采用紧凑的半间距微型扁平 4 引脚封装，其中包含两个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管，它们以反向、并联方式与一个光电晶体管进行光耦合。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3,750 VACRMS。

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1+
￥3.89
10+
￥3.8
30+
￥3.74
100+
￥3.69

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：MOC8050SR2VM 编号：C899881

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。

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1+
￥4.2
10+
￥4.09
30+
￥4.02

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：4N37SR2VM 编号：C898974

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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1+
￥4.21
10+
￥4.12
30+
￥4.06

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：CNY173SM 编号：C899078

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

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1+
￥4.72
10+
￥3.91
50+
￥3.51

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DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：MOCD207R2VM 编号：C904293

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD207M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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1+
￥4.77
10+
￥4.65
30+
￥4.56
100+
￥4.48

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3022SR2VM 编号：C899789

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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1+
￥4.93
10+
￥4.82
30+
￥4.74

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD852S 编号：C900935

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

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1+
￥5.03
10+
￥4.92
30+
￥4.85

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：H11B1SR2M 编号：C899447

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

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1+
￥5.06
10+
￥4.94
30+
￥4.87
100+
￥4.79

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：CNY17F3SR2M 编号：C899100

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

数据手册

1+
￥5.13
10+
￥5.02
30+
￥4.94

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