1204光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP290-4(TP,E 编号：C5221832

封装：SOIC-16-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP290 - 4光耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于其在 -55至110°C的宽工作温度范围内性能有保障，因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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型号：APW214E 编号：C42444403

封装：DIP-8

品牌：APSEMI(先进光)

光电继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光电继电器具有明显优势，包括：长寿命（机械和电气寿命无限制）、无跳变开关、更高的速度和高频开关、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗电磁干扰或射频干扰、无电弧、无跳变和无噪声、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小。

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型号：6N136-560E 编号：C691905

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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型号：GAQY414EH 编号：C19188666

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳、无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：ACPL-W343-560E 编号：C364870

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与带有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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型号：KAQY212A 编号：C194713

封装：SMD-4P

品牌：Cosmo(冠西)

特性：常开，单刀单掷。可控制60V交流或直流电压。可切换400mA负载。 LED控制电流为5mA。低导通电阻。 dv/dt >500V/ms。隔离测试电压为3750V/ACrms

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型号：TLP3052A(TP1,F 编号：C7068807

封装：SO-6,5LEAD

品牌：TOSHIBA(东芝)

光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值）。因此，该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：GAQV212G1EH 编号：C7435165

封装：SMD-6P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：APW211G2EH 编号：C42444435

封装：SMD-8P

品牌：APSEMI(先进光)

是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：TLP151A(TPR,E) 编号：C143953

封装：SOIC-5-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管（LED）与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可提供有保证的共模瞬态抗扰度。适用于小容量IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

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型号：SL214S 编号：C5155353

封装：SMD-8P

品牌：Slkor(萨科微)

SL214X用于代替继电器许多应用。它使用GaAlAs LED发光来驱动控制和集成单片模具开关输出。用高压制造的模具介电隔离技术由以下部分组成光电二极管阵列、开关控制电路和光MOSFE开关耦合组成。

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型号：HCPL-0452-500E 编号：C692008

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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型号：HCNW137-500E 编号：C188685

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

高CMR、高速10MBd、TTL兼容光电耦合器

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型号：APY414S 编号：C42444402

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光电继电器是可靠的、技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。

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型号：AQY210S 编号：C132163

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

特性：控制低电平模拟信号：光电MOS具有极低的闭路失调电压，能够无失真地控制低电平模拟信号。小型SOP4引脚封装：设备采用微型SOP4引脚类型，尺寸为 (W)4.3×(L)4.4×(H)2.1mm (W).169×(L).173×(H).083 英寸。低电平关态泄漏电流最大为 1μA。提供 60V、350V 和 400V 负载电压类型。应用：电信（PC、电子记事本）。测量和测试设备

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型号：TLP700F(ABB-TP,F) 编号：C50214854

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：BCW211GS 编号：C42434368

封装：SOP-8

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：2mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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型号：ISOM8116DFGRQ1 编号：C43317183

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x-Q1 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x-Q1 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。

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型号：ISOM8116DFHRQ1 编号：C43317184

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x-Q1 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x-Q1 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。

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型号：TLP2770(TP,E 编号：C150160

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款20Mbps的低功耗光耦合器，采用小型SO6L封装。封装厚度最大为2.3mm，保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。在-40℃至125℃的整个工作温度范围内，最大电源电流仅为0.4mA，可在低至2.7V的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。输入正向电流最大可小于1mA，允许由微控制器直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和电流吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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￥10.7
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型号：ACPL-W50L-500E 编号：C691972

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

低功率、低输入电流、1MBd数字光耦合器使用发光二极管和集成光子探测器之间的绝缘层，在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在1500V的共模电压下，在-40℃至105℃的温度范围内，具有至少15kV/μs的增强型共模瞬态抗扰度。电流传输比（CTR）在正向电流为3mA时，某型号典型值为140%，其他型号典型值为130%。该数字光耦合器可用于任何TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用。

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1+
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型号：CNY65AGRST 编号：C5345074

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

光晶体管输出型光耦合器由一个光晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离大于3mm，以满足最高安全要求。

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￥11.2575 ￥11.85
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￥9.557 ￥10.06
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￥6.688 ￥7.04

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型号：HCPL-0721-500E 编号：C188707

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL-772X 或 HCPL-072X 光耦合器分别提供 8 引脚 DIP 或 SO-8 封装形式，采用最新的 CMOS IC 技术，在实现出色性能的同时，功耗极低。HCPL-772X/072X 仅需两个旁路电容即可完全兼容 CMOS。

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￥11.38
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￥8.44
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￥7.21
500+
￥6.68

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型号：SFH6916 编号：C506471

封装：SOP-16-4.6mm

品牌：VISHAY(威世)

SFH6916采用了砷化镓（GaAs）红外发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个16引脚、引脚间距为50密耳的迷你扁平封装中。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

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￥11.59
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￥9.83
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￥8.74
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型号：CPC1009NTR 编号：C2152217

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

是微型低压、低导通电阻、低关态泄漏、常开 (1-Form-A) 固态继电器，采用 4 引脚 SOP 封装。MOSFET 开关和光伏管芯采用专利 OptoMOS 架构，提供 1500Vrms 的输入到输出隔离。光耦合输出由高效红外 LED 控制。采用先进的双模垂直结构，生产出世界上最小的 4 引脚继电器之一，比竞争对手更大的 4 引脚 SOP 继电器节省 20% 的电路板空间。

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1+
￥11.78
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￥9.89
30+
￥8.7
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￥7.48
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￥6.93
1000+
￥6.7

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型号：ACPL-W483-500E 编号：C691971

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

1+
￥11.81
10+
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30+
￥9.05
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￥6.1936 ￥6.32
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￥5.9878 ￥6.11

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型号：HCNW136-500E 编号：C2985492

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高了多达一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO 8和宽体封装配置。6N135、HCPL 0500和HCNW135适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用

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￥6.6836 ￥6.82

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型号：LTV-316J-TP1 编号：C2944028

封装：-

品牌：LITEON(光宝)

包含AlGaAs LED，LED与带功率输出级的集成电路光耦合。适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，其提供的电压和电流适合直接驱动额定值高达1200V和150A的IGBT，对于更高额定值的IGBT，可用于驱动分立功率级来驱动IGBT栅极。绝缘电压为V_IOM = 1414V_peak，光耦合器的工作参数在-40°C至 + 100°C的温度范围内得到保证。是一种易于使用的智能栅极驱动器，使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。用户可配置输入、集成VCE检测、欠压锁定（UVLO）、“软”IGBT关断和隔离故障反馈等功能，提供了最大的设计灵活性和电路保护。是一种高度集成的功率控制设备，将具有故障保护和反馈功能的完整隔离IGBT栅极驱动电路所需的所有组件集成到一个SO-16封装中

1+
￥12.76
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￥9.52
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型号：KAQW212S 编号：C194894

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Cosmo(冠西)

特性：常开，单刀单掷。可控制60V交流或直流电压。可切换400mA负载。 LED控制电流为5mA。低导通电阻。 dv/dt >500V/ms。隔离测试电压为1500VACrms

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1+
￥12.97
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￥11.22
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型号：CPC1018NTR 编号：C133069

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1018N是一款采用4引脚SOP封装的微型单刀常开（1-Form-A）固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，可实现1500Vrms的输入输出隔离。高效的MOSFET开关和光伏管芯采用了IXYS集成电路事业部的专利OptoMOS架构，而光耦合输出则由高效红外LED控制。与竞争对手更大尺寸的4引脚SOP继电器相比，它至少可节省20%的电路板空间

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