5730光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：ICPL-343W-500EAXW 编号：C42432178

封装：LSOP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流5A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6,宽体

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￥3.717 ￥4.13
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￥3.006 ￥3.34
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￥2.097 ￥2.33
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￥1.989 ￥2.21

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型号：MOC3082M(UMW) 编号：C2842969

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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￥1.7222
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￥0.937
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￥0.8011

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型号：ACPL-214(AT) 编号：C48686293

封装：SSOP-4

品牌：AOTE(奥特)

ACPL-214(AT)是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装 ( SSOP4)。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。

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￥1.895936 ￥2.0608
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￥1.501808 ￥1.6324
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￥1.332896 ￥1.4488
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￥1.028376 ￥1.1178
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￥0.972072 ￥1.0566

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型号：TLP5701P-AXW 编号：C42432182

封装：LSOP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流1.5A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，宽体

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￥2.223 ￥2.47
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￥1.755 ￥1.95
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￥1.557 ￥1.73
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￥1.197 ￥1.33
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￥1.134 ￥1.26

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型号：VO618A-3X017T 编号：C143748

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

110℃额定的VO618A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器具有一个GaAs红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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￥1.0795

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型号：HMHA2801R2 编号：C457670

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

HMHA281 和 HMHA2801 系列器件在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。引线间距为 1.27 mm。

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型号：CA-IS3211VBJ 编号：C7422552

封装：SOIC-6-300mil

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器，可用于驱动MOSFET、IGBT 和SiC 器件。隔离等级达到5.7kV_RMS，芯片可提供5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。高达30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动IGBT 和SiC 功率FET。

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￥2.62
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￥1.29
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￥1.2

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型号：MOC207R2M 编号：C274700

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

这些器件由砷化镓红外线发光二极管组成，二极管以光学方式耦合到单片硅光电晶体管检测器上，采用可表面帖装的小型塑料封装。它们非常适合高密度应用，并且无需通过电路板安装。

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￥3.44
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￥2.78
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￥2.51
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型号：FOD3184(UMW) 编号：C53114916

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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￥3.44
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型号：TLP560J(C,F) 编号：C516862

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅与红外发光二极管光耦合，采用六引脚塑料DIP封装。

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￥4.13
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￥3.29
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￥2.87
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型号：PC365NJ0000F 编号：C3015397

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：SHARP(夏普)

包含一个与光电晶体管光耦合的红外发射二极管。它采用4引脚迷你扁平封装。低输入电流类型。输入-输出隔离电压（rms）为3.75kV，在输入电流为0.5mA时，电流传输比（CTR）最小为600%。

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￥4.29
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￥3.01
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￥2.2

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型号：APY217S 编号：C42444466

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光继电器具有以下明显优势：长寿命（机械和电气寿命无限制）、无弹跳开关、更高的速度和高频开关、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗EMI或RF干扰、无电弧、无弹跳和无噪音、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小。

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￥4.48
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￥2.75
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￥2.36

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型号：MOC3082SR2M 编号：C899862

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥4.9
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￥3.93
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￥3.44
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￥2.96
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￥2.52

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型号：GAQY212G1EH 编号：C19188658

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥5.08
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￥2.6

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型号：SL214N 编号：C5330375

封装：SSOP-16

品牌：Slkor(萨科微)

SL214N 是一款由发光二极管和光电晶体管组成的四通道光电耦合器。引脚封装（SSOP16）。

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￥5.08
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￥2.66
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型号：TLP2368(TPL,E 编号：C7493926

封装：SO6

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥5.41
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￥3.2
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￥2.7

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型号：LTV-063L 编号：C571215

封装：SOP-8

品牌：LITEON(光宝)

该系列由高效的铝镓砷发光二极管和高速光电探测器组成。这种设计在光耦合器的输入和输出侧之间提供了出色的交流和直流隔离。光探测器的输出采用集电极开路肖特基钳位晶体管。使能功能允许对光探测器进行选通。内部屏蔽确保了高共模瞬态抗扰度。在3.3V时，保证的共模瞬态抗扰度高达10kV/μs。光耦合器的工作参数在-40°C至+85°C的温度范围内得到保证。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。

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￥5.5
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￥2.73

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型号：TP3120 编号：C47326391

封装：DIP-8

品牌：拓朴微

集成电路

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￥5.931 ￥6.59
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￥4.806 ￥5.34
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￥4.239 ￥4.71
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￥3.681 ￥4.09
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￥3.348 ￥3.72
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￥3.168 ￥3.52

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型号：QX175-CuH-S 编号：C52164477

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光继电器 3750V隔离电压，负载电压：200V，负载电流：0.18A

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￥5.99
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￥3.2

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型号：ACPL-M50L-500E 编号：C54677

封装：SOP-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

单通道（SO-5封装）、双通道（SO-8封装）、单通道（拉伸SO-6封装）和双通道（拉伸SO-8封装）是低功耗、低输入电流、1MBd的数字光耦合器。这种数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在温度范围为-40至105°C，VCM = 1500V时，最小共模瞬态抗扰度为15kV/μs

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