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首页 > 热门关键词 > 5730光耦
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由高输出红外LED与高增益、高速光电探测器耦合而成。它在单个SO8封装中内置了两个电路,可减少安装面积。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和电流吸收能力。具有内部法拉第屏蔽,可保证±10kV/μs 的共模瞬态抗扰度。有缓冲输出。
  • 1+

    ¥12.83
  • 10+

    ¥11.02
  • 30+

    ¥9.89
  • 100+

    ¥8.73
  • 500+

    ¥8.21
  • 1000+

    ¥7.98
  • 有货
  • HCMOS兼容型,高CMR,10MBd光电耦合器
    数据手册
    • 1+

      ¥15.61
    • 10+

      ¥13.29
    • 30+

      ¥11.84
    • 100+

      ¥9.44
    • 500+

      ¥8.77
    • 1500+

      ¥8.48
  • 有货
  • ACPL-333J(AT) 具有一个AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光学糯合。非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBTs 和 MOSFETs。广泛应用于:隔离型IGBT或隔离型功率MOSFET的栅极驱动、交流和无刷式直流电机驱动器、工业逆变器、不间断电源(UPS)。
    • 1+

      ¥16.23
    • 10+

      ¥13.82
    • 30+

      ¥12.32
    • 100+

      ¥10.77
    • 500+

      ¥10.07
    • 850+

      ¥9.77
  • 有货
  • ACNT - H61L是一款拉伸型宽体光耦合器,它将发光二极管与集成高增益光电探测器相结合,以满足隔离接口的低功耗需求。该光耦合器功耗极低,在全温度范围内最大电流仅为2 mA。LED正向电流从4.5 mA开始工作
    数据手册
    • 1+

      ¥16.63
    • 10+

      ¥13.95
    • 30+

      ¥12.27
    • 100+

      ¥10.55
    • 500+

      ¥9.78
    • 1000+

      ¥9.44
  • 有货
    • 1+

      ¥16.63
    • 10+

      ¥14.09
    • 30+

      ¥12.5
    • 100+

      ¥10.36
    • 500+

      ¥9.62
    • 850+

      ¥9.3
  • 有货
  • 适用于表面贴装组装,由与串联光电二极管阵列光耦合的GaAs红外发光二极管组成,适用于MOSFET栅极驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.59
    • 10+

      ¥14.91
    • 30+

      ¥13.31
    • 100+

      ¥11.7
    • 500+

      ¥10.95
    • 1000+

      ¥10.62
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.81
    • 10+

      ¥17.84
    • 30+

      ¥16.08
    • 100+

      ¥12.63
    • 500+

      ¥11.8
  • 有货
    • 1+

      ¥22.99
    • 10+

      ¥20.59
    • 30+

      ¥19.17
    • 100+

      ¥16.14
    • 500+

      ¥15.34
  • 有货
  • 特性:微型封装 (SSOP),采用新型扁平引脚端子形状,与以前的型号 (SOP 4 引脚) 相比,安装面积可减少约 53%,有助于改善输出信号传输特性。 低导通电阻 (R 型) 和低电容 (C 型) 均具有出色的 CxR10 特性。应用:测量和测试设备:半导体测试设备、探针卡、数据记录器、电路板测试仪和其他测试设备。 电信和广播设备
    • 1+

      ¥28.03
    • 10+

      ¥24.95
    • 30+

      ¥20.58
    • 100+

      ¥19.06
    • 500+

      ¥18.03
    • 1000+

      ¥17.57
  • 有货
  • 是单通道功率MOSFET光耦合器,采用8引脚密封双列直插陶瓷封装。该器件的工作和存储温度范围广,可作为商用产品购买,也可通过MIL-PRF-38534不同等级测试。
    • 1+

      ¥910.62
    • 25+

      ¥878.08
  • 有货
  • PC357B是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。 四引脚封装 ( SOP) 。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。
    • 10+

      ¥0.28197 ¥0.3133
    • 100+

      ¥0.22149 ¥0.2461
    • 300+

      ¥0.19125 ¥0.2125
    • 3000+

      ¥0.17469 ¥0.1941
    • 6000+

      ¥0.15651 ¥0.1739
    • 9000+

      ¥0.14742 ¥0.1638
  • 有货
  • 接收端电压:80V CTR:200%~400%
    • 10+

      ¥0.333545 ¥0.3511
    • 100+

      ¥0.265145 ¥0.2791
    • 300+

      ¥0.230945 ¥0.2431
    • 3000+

      ¥0.205295 ¥0.2161
    • 6000+

      ¥0.184775 ¥0.1945
    • 9000+

      ¥0.174515 ¥0.1837
  • 有货
  • 新版本
    • 10+

      ¥0.3626
    • 100+

      ¥0.2858
    • 300+

      ¥0.2474
    • 1000+

      ¥0.214228 ¥0.2186
    • 5000+

      ¥0.191688 ¥0.1956
    • 10000+

      ¥0.18032 ¥0.184
  • 有货
  • EL1019是一款由一个GaAs发光二极管和一个NPN光电晶体管组成的光电耦合器。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。
    • 10+

      ¥0.37791 ¥0.4199
    • 100+

      ¥0.30015 ¥0.3335
    • 300+

      ¥0.26127 ¥0.2903
    • 3000+

      ¥0.22455 ¥0.2495
    • 6000+

      ¥0.20124 ¥0.2236
    • 9000+

      ¥0.18954 ¥0.2106
  • 有货
  • 由一个红外发光二极管和一个光电晶体管组成;光耦器件可实现不同电路之间的电气隔离和信号传输,产品广泛应用于电源设备上,例如手机充电器,家电产品电源供应器等。
    • 10+

      ¥0.3895
    • 100+

      ¥0.3079
    • 300+

      ¥0.2671
    • 3000+

      ¥0.2365
    • 6000+

      ¥0.212
    • 9000+

      ¥0.1998
  • 有货
  • 晶体管光耦,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用输入电压类型:AC, 正向压降Max:1.35V,输出类型:交流晶体管,输出电流:50mA,隔离电压:3.75KV.
    • 1+

      ¥0.39312 ¥0.4368
    • 10+

      ¥0.32022 ¥0.3558
    • 30+

      ¥0.28377 ¥0.3153
    • 300+

      ¥0.24885 ¥0.2765
    • 600+

      ¥0.22698 ¥0.2522
    • 900+

      ¥0.216 ¥0.24
  • 有货
  • 包含两个红外发射二极管,反向并联连接,与封装有绿色化合物的光电晶体管进行光耦合。采用4引脚小外形贴片封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5542
    • 50+

      ¥0.4408
    • 150+

      ¥0.3824
    • 500+

      ¥0.3344
    • 2500+

      ¥0.3176
    • 6000+

      ¥0.3063
  • 有货
  • 特性:电流传输比(CTR):在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%。 高输入输出隔离电压(Viso = 3750Vrms)。 高集电极-发射极电压(VEO = 35V)。应用:要求高密度安装的混合基板
    • 5+

      ¥0.6745
    • 50+

      ¥0.5397
    • 150+

      ¥0.4724
    • 500+

      ¥0.4218
    • 3000+

      ¥0.3814
    • 6000+

      ¥0.3612
  • 有货
  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7851
    • 50+

      ¥0.6891
    • 130+

      ¥0.593
    • 520+

      ¥0.5416
    • 2470+

      ¥0.5188
    • 6500+

      ¥0.505
  • 有货
  • ATM305X 系列器件是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。
    • 5+

      ¥1.00278 ¥1.1142
    • 50+

      ¥0.79866 ¥0.8874
    • 150+

      ¥0.71118 ¥0.7902
    • 500+

      ¥0.6021 ¥0.669
    • 3000+

      ¥0.5535 ¥0.615
    • 6000+

      ¥0.52425 ¥0.5825
  • 有货
  • FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管,反相并联,驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2706
    • 50+

      ¥0.9972
    • 150+

      ¥0.8801
    • 1000+

      ¥0.7117
    • 2000+

      ¥0.6466
    • 5000+

      ¥0.6076
  • 有货
  • UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    • 5+

      ¥1.3596
    • 50+

      ¥1.0659
    • 130+

      ¥0.9401
    • 520+

      ¥0.7831
    • 2470+

      ¥0.7132
    • 6500+

      ¥0.6712
  • 有货
  • UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3596
    • 50+

      ¥1.0356
    • 130+

      ¥0.8967
    • 520+

      ¥0.7235
    • 2080+

      ¥0.6463
    • 4160+

      ¥0.6
  • 有货
  • VOL618A采用砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚宽体小外形封装(LSOP)。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.68 / 个
  • 有货
  • MOC3041M是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。
    • 5+

      ¥1.68372 ¥1.8708
    • 50+

      ¥1.33902 ¥1.4878
    • 130+

      ¥1.19124 ¥1.3236
    • 520+

      ¥1.00692 ¥1.1188
    • 2470+

      ¥0.92484 ¥1.0276
    • 6500+

      ¥0.87552 ¥0.9728
  • 有货
  • UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 2+

      ¥1.7222
    • 20+

      ¥1.3656
    • 60+

      ¥1.2127
    • 200+

      ¥0.937
    • 1000+

      ¥0.8521
    • 2000+

      ¥0.8011
  • 有货
  • ACPL-214(AT)是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。 四引脚封装 ( SSOP4)。广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。
    • 5+

      ¥1.895936 ¥2.0608
    • 50+

      ¥1.501808 ¥1.6324
    • 150+

      ¥1.332896 ¥1.4488
    • 500+

      ¥1.122216 ¥1.2198
    • 2500+

      ¥1.028376 ¥1.1178
    • 5000+

      ¥0.972072 ¥1.0566
  • 有货
  • 110℃额定的VO618A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器具有一个GaAs红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料DIP-4封装中。 这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2739
    • 50+

      ¥1.7959
    • 150+

      ¥1.5911
    • 1000+

      ¥1.1933
    • 2000+

      ¥1.0795
  • 有货
  • HMHA281 和 HMHA2801 系列器件在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。引线间距为 1.27 mm。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.44
    • 10+

      ¥1.89
    • 30+

      ¥1.66
    • 100+

      ¥1.36
    • 500+

      ¥1.23
    • 1000+

      ¥1.16
  • 有货
  • CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器,可用于驱动MOSFET、IGBT 和SiC 器件。隔离等级达到5.7kV_RMS,芯片可提供5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。 高达30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动IGBT 和SiC 功率FET。
    • 1+

      ¥2.62
    • 10+

      ¥2.02
    • 30+

      ¥1.76
    • 100+

      ¥1.44
    • 500+

      ¥1.29
    • 1000+

      ¥1.2
  • 有货
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