5730光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：GTLP3555 编号：C19271984

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)

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￥5.48
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￥4.4
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型号：ISOM8600DFGR 编号：C41368623

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM8600 是一款具有光耦仿真器输入的 80V 单极常开开关。光耦仿真器输入可控制背对背 MOSFET，在次级侧无需使用任何电源。该器件是许多传统光耦合器的引脚兼容、可直接替换器件，无需重新设计 PCB 即可增强业界通用封装。

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型号：ACPL-P480-500E 编号：C74380

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器包含 GaAsP 发光二极管和内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化，通过减少开关死区时间提高逆变器效率。

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型号：APY215G1S 编号：C42444463

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光继电器是可靠且技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：APY212G2EH 编号：C42444456

封装：SMD-4P

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过移动光子来实现其开关功能，不会产生机械磨损，可提供一致可靠的开关。

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￥6.29
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型号：HCPL-M601-500E 编号：C45920

封装：SOP-5

品牌：Broadcom(博通)

这些小型高速逻辑门光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装轮廓不需要在PCB上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。光耦合门结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光子探测器，探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-M601提供了5000V/μs的共模瞬态抗扰度保证，为HCPL-M611提供了10000V/μs的共模瞬态抗扰度保证

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型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：ACPL-M60L-500E 编号：C53441

封装：SOP-5

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - M60L是一款光耦合门电路，它将砷化镓磷（GaAsP）发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。探测器IC的输出为集电极开路的肖特基钳位晶体管。内部屏蔽层确保在3.3V工作电压下，共模瞬态抗扰度指标达到15 kV/μs

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型号：BCY211S 编号：C5348920

封装：SOP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：2mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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型号：QX3901-CuH-S 编号：C49023649

封装：SOP-4

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP4封装光电池 3750V隔离电压，开路电压：≥7V，短路电流：≥12uA

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型号：APY412GS 编号：C42444485

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光电继电器是可靠的、技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光电继电器具有显著优势，包括长寿命、无触点抖动开关、更高的开关速度和高频性能、更高的灵敏度、抗电磁干扰（EMI）或射频干扰（RFI）、无电弧、无触点抖动和噪声、更强的抗振动和抗冲击能力、可进行交流或直流负载开关操作，以及封装尺寸小等特点

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型号：TLP241A(TP1,F 编号：C2152214

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP241A和TLP241AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用

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型号：GAQW214S 编号：C7435121

封装：SOP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：CPC1035NTR 编号：C2653895

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1035N 是一款微型常开单极（1-Form-A）固态继电器，采用 4 引脚 SOP 封装，采用光耦合 MOSFET 技术，可提供 1500Vrms 的输入输出隔离。高效的 MOSFET 开关和光伏管芯采用了 IXYS 集成电路事业部的专利 OptoMOS 架构，而光耦合输出则由高效红外 LED 控制。IXYS 集成电路事业部先进的双模垂直结构封装使 CPC1035N 成为最小的继电器之一

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￥5.16
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型号：TLP124(BV-TPL,F) 编号：C7083

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝小型扁平耦合器TLP124是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压：最小80 V

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￥9.41
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￥5.89

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型号：LT218D 编号：C2691608

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Letex(丽太)

LT218D是一款采用4引脚SOP封装的微型1-Form A固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，可提供1500V的输入 - 输出隔离。光耦合输入由一个高效的GaAlAs红外LED控制，输出端采用MOSFET。

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￥5.26
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型号：AQY212EHAX 编号：C29276

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

光耦继电器

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￥10.02
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￥8.14
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￥7.12
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型号：AT332J-CuH-S 编号：C20612783

封装：SOP-16

品牌：AOTE(奥特)

AT332J 贴片SOP-16智能栅极驱动光耦车规级IGBT高性能驱动芯片

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￥11.3715 ￥11.97
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型号：ACPL-061L-500E 编号：C2985493

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

超低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗极低，在整个温度范围内，每通道IDD2电流最大为1.3mA。LED正向电流低至1.6mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的AC和DC电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的宽温度范围内保证AC和DC性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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1+
￥11.44
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￥8.68
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￥7.26
500+
￥6.77
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￥6.56

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型号：AT333J-CuH-S 编号：C22372854

封装：SOP-16

品牌：AOTE(奥特)

AT333J具有一个AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光学耦合。AT333J非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBTs和MOSFETs。

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￥11.4855 ￥12.09
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￥10.4975 ￥11.05
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￥9.88 ￥10.4
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￥9.2435 ￥9.73
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￥8.835 ￥9.3

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型号：ACNT-H61L-500E 编号：C691914

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACNT - H61L是一款拉伸型宽体光耦合器，它将发光二极管与集成高增益光电探测器相结合，以满足隔离接口的低功耗需求。该光耦合器功耗极低，在全温度范围内最大电流仅为2 mA。LED正向电流从4.5 mA开始工作

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1+
￥17.48
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￥14.8
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￥13.13
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￥11.41
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￥10.63
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￥10.29

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型号：AQV258HAXC88 编号：C3018704

封装：SMD-5P

品牌：PANASONIC(松下)

应用：BMS电压监测和绝缘检测

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￥24.17
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￥21.61
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￥20.08
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￥17.26
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￥16.88

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型号：QCPL-A58JV-500E 编号：C3010671

封装：SO-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

是一款用于汽车应用的高压光电MOSFET，由AIGaAs红外发光二极管（LED）输入级与高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。光电MOSFET在通过输入LED的最小输入电流为7 mA时开启（触点闭合），在输入电压为0.4V或更低时关闭（触点断开）。提供增强绝缘和可靠性，可实现安全的信号隔离，适用于汽车和高温工业应用。采用16引脚SOIC封装。

数据手册

1+
￥24.95
10+
￥21.34
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￥18.57
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￥16.4
500+
￥15.4

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型号：AQZ102 编号：C425163

封装：SIP-4

品牌：PANASONIC(松下)

特性：超薄SIL4引脚封装（W）3.5×（D）21.0×（H）12.5mm （W）138×（D）827×（H）492inch，4引脚SIL封装尺寸紧凑，可实现高密度安装。极低导通电阻。控制低电平信号，光电MOS具有极低的闭路失调电压，可无失真地控制低电平模拟信号。低电平关态泄漏电流最大为10μA。高I/O隔离电压2,500V。无需在输入侧驱动电路中使用反电动势保护二极管。无需电源驱动功率MOSFET。安装方向无限制。低热电动势。触点无噪音和电弧。也提供插座（PA1a-PS，PA1a-PS-H）。可安装在RT-3继电器端子上（功率光电MOS类型）

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