高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

HCPL062N光电耦合器包含一个AlGaAs LED，它在CMOS工艺中光学耦合至由双极性晶体管组成的超高速集成式光电探测器逻辑门，以便降低功耗。输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

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型号：HCPL-3180-300 编号：C17475296

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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型号：ACFL-6212U-500E 编号：C6795977

封装：SO-12

品牌：Broadcom(博通)

ACFL - 6211U和ACFL - 6212U是双通道、双向、高速数字CMOS光耦合器。拉伸型SO - 12封装外形设计为与标准表面贴装工艺兼容，且与单通道拉伸型SO8封装占用相同的焊盘面积。这种数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间采用绝缘层，以实现输入和输出之间的电气绝缘

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型号：ACPL-K63L-000E 编号：C6795982

封装：SSO-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 3.3V 时提供 15kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 LVTTL/LVCMOS 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +100°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：HCPL-092J-000E 编号：C6796010

封装：SOIC-16

品牌：Broadcom(博通)

CMOS数字隔离器具有高速性能和出色的瞬态抗扰度规格。对称磁耦合屏障使这些器件的典型脉冲宽度失真为2 ns，典型传播延迟偏差为4 ns，数据速率为100 Mbaud，使其成为行业中最快的数字隔离器。单通道数字隔离器具有低电平有效逻辑输出使能。双通道数字隔离器配置为单向和双向，以全双工模式运行，非常适合数字现场总线应用

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型号：HCPL-0611-000E 编号：C6795888

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：PS9123-F3-AX 编号：C6358724

封装：SOIC-5-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS9123 是一款光耦合高速图腾柱输出隔离器，其输入侧为 GaAlAs 发光二极管（LED），输出侧为光电二极管和信号处理电路，它们集成在同一芯片上。PS9123 具有高共模抑制比（CMR）、高电流传输比（CTR），且脉冲宽度失真随工作温度变化的特性。

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型号：HCPL-0500-000E 编号：C6795948

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在 LED 和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。部分产品适用于 TTL/CMOS、TTL/LSTTL 或宽带模拟应用，在 IF = 16mA 时，电流传输比 (CTR) 最小为 7%

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型号：PS9513-AX 编号：C7030197

封装：DIP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS9513、PS9513L1、PS9513L2和PS9513L3是光耦合隔离器，在单芯片的输入侧包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，输出侧包含一个光电二极管和一个信号处理电路。PS9513专为实现高共模瞬态抗扰度（CMR）和随工作温度变化的低脉冲宽度失真而设计，适用于智能功率模块（IPM）驱动。

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型号：HCPL-2630-300E 编号：C6795930

封装：SMD-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：HCPL-2631-300E 编号：C6795947

封装：SMD-8,P=2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：HCPL-4504-300E 编号：C6795886

封装：SMD-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4504和HCPL - 0454采用GaAsP LED，而HCPL - J454和HCNW4504采用AlGaAs LED。该LED与集成高增益光电探测器进行光耦合。HCPL - 4504系列具有短传播延迟和高电流传输比（CTR）

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型号：ACPL-M71T-500E 编号：C691957

封装：SO-5

品牌：Broadcom(博通)

是高温数字CMOS光耦合器，采用SOIC-5封装。适用于混合动力和电动汽车应用，采用最新的CMOS IC技术，实现了出色的性能和极低的功耗。所有器件均符合AEC-Q100标准，工作温度范围为-40°C至125°C。

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型号：HCPL-M611-000E 编号：C6795899

封装：SOP-5-175mil-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

这些小尺寸、高共模抑制比（CMR）、高速逻辑门光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。它们在电气上等同于以下安华高（Avago）光耦合器（除了没有输出使能功能）。 SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形不需要在PCB上打“通孔”。

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￥31.36
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型号：PS9821-1-F3-AX 编号：C5334515

封装：SSOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是有源低电平型高速光电耦合器，输入侧使用AlGaAs发光二极管，输出侧使用包含光电二极管和信号处理器的光电探测器IC在同一芯片上。专为高共模瞬态抗扰度（CMR）和低脉冲宽度失真而设计，适用于高密度应用。

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型号：ACPL-W454-500E 编号：C6795908

封装：SSO-6

品牌：Broadcom(博通)

与其他高速晶体管输出光耦合器类似，但具有更短的传播延迟和更高的电流传输比 (CTR)，还保证了传播延迟差 (tPLH-tPHL)。这些特性使其成为IPM逆变器死区时间和其他开关问题的理想解决方案。CTR、传播延迟和共模抑制比 (CMR) 针对TTL负载和驱动条件以及IPM（智能功率模块）负载和驱动条件进行了规定。提供了TTL和IPM条件下的规格和典型性能图，便于应用。这种二极管-晶体管光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍。

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型号：RV1S9061ACCSP-10YC#SC0 编号：C6669093

封装：LSOP-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RV1S9061A是一款光电耦合器，具备高达15 Mbps的高速开关能力，采用高电平有效输出逻辑。其输入侧为铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），输出侧为带光电二极管的集成电路。 RV1S9061A专为实现高共模瞬态抗扰度（CMTI）、宽工作电源电压范围以及高达125 °C的高温工作环境而设计

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￥33.4
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型号：ACPL-W60L-000E 编号：C6795927

封装：SOIC-6

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 3.3V 时提供 15kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 LVTTL/LVCMOS 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +100°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥35.73
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型号：HCPL-0530-000E 编号：C6795919

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有 8 引脚 DIP 和行业标准 SO-8 封装可供选择。

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￥37.55
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￥32.34
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型号：HCNW2601-300E 编号：C6795915

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥37.78
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￥32.81
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型号：ACPL-M72T-500E 编号：C6795955

封装：SO-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

是高温数字CMOS光耦合器，采用SOIC-5封装。适用于混合动力和电动汽车应用，使用最新的CMOS IC技术实现出色性能和极低功耗。所有器件均符合AEC-Q100标准，工作温度范围为-40°C至125°C。使用高速LED，使用低电流LED以降低功耗。高速型最大传播延迟为35 ns（IF = 10mA），低功耗型典型传播延迟为60 ns（LED驱动电流为4 mA）。每个数字光耦合器都有一个CMOS探测器IC、一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。提供汽车和高温工业关键应用所需的加强绝缘和可靠性。

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￥43.24
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￥37.45
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￥33.92

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型号：ACPL-K63L-500E 编号：C5576467

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 3.3V 时提供 15kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 LVTTL/LVCMOS 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +100°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥49.83
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￥48.73
30+
￥47.99

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型号：HCPL-4661-020E 编号：C6795978

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

1+
￥60.28
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￥52.21
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￥47.29

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型号：HCPL-0534-000E 编号：C6795984

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。

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￥62.06
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￥53.83
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￥48.81

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型号：HCPL-0930-500E 编号：C6795994

封装：SOIC-16

品牌：Broadcom(博通)

CMOS数字隔离器具有高速性能和出色的瞬态抗扰度规格。对称磁耦合屏障使这些器件的典型脉冲宽度失真为2 ns，典型传播延迟偏差为4 ns，数据速率为100 Mbaud，使其成为行业中最快的数字隔离器。单通道数字隔离器具有低电平有效逻辑输出使能。双通道数字隔离器配置为单向和双向，以全双工模式运行，非常适合数字现场总线应用

1+
￥122.52
10+
￥117.05
30+
￥107.58

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型号：BPC-618S 编号：C7421377

封装：SMD

品牌：BrtLed(佰鸿)

是包含 GaAs 发光二极管和光电二极管的光耦合隔离器。引脚间距为 2.54mm

5+
￥0.5165
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￥0.505
150+
￥0.4973
500+
￥0.4896

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型号：6N137 编号：C5337818

封装：DIP-8

品牌：ISOCOM(英国安数光)

由一个红外发光二极管组成，光耦合到一个带可选通输出的高速集成光电探测器逻辑门。

1+
￥3.53
10+
￥2.86
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￥2.32

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型号：SL0601 编号：C5155350

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL0601光耦合器由单通道850nm的A1GaAS LED组成，其光学耦合到一个非常高速的集成光电探测器逻辑门，可快速输出。这器件采用8引脚外形封装，符合标准封装外形。

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2000+
￥2.0202
4000+
￥2.002
6000+
￥1.9656

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型号：CNY65(B)-V 编号：C473828

封装：DIP-4

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

1+
￥5.72
10+
￥5.15
30+
￥4.84
100+
￥4.1748 ￥4.26
500+
￥4.018 ￥4.1
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￥3.9494 ￥4.03

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型号：VO2611-X017T 编号：C5346011

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

单通道 10 MBd 光耦合器采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合。探测器具有开漏 NMOS 晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏更少。双通道 10 MBd 光耦合器。对于单通道类型，引脚 7 上的使能功能允许对探测器进行选通。内部屏蔽为 VO2601 和 VO2631 提供 5 kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度，为 VO2611 和 VO4661 提供 15 kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度。建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1 μF 的旁路电容。

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1000+
￥6.1985
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