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高速单通道和双通道10MBd光耦合器

型号：VO2601-X007T 编号：C6925278

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

6N137、VO2601和VO2611是单通道10 MBd光耦合器，采用高效输入LED与集成光电二极管IC检测器耦合。该检测器具有漏极开路NMOS晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏电流更小。VO2630、VO2631和VO4661是双通道10 MBd光耦合器

1+
￥9.57
10+
￥9.36
30+
￥9.22

有货

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1Mbps高速模拟输出型8引脚高速光电耦合器

型号：PS8802-1-V-F3-AX 编号：C17329197

封装：SSOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥10.39
10+
￥10.16
30+
￥10.01

有货

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高速光耦合器，10 MBd，SOIC-8 封装

型号：VO0630T 编号：C5334395

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

单通道和双通道 10 MBd 光耦合器，采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合。探测器具有漏极开路 NMOS 晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏更少。对于单通道类型，引脚 7 上的使能功能允许对探测器进行选通。内部屏蔽为 VO0601T 和 VO0631T 提供 5 kV/μs 的共模瞬态抗扰度，为 VO0611T 和 VO0661T 提供 15 kV/μs 的共模瞬态抗扰度。建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1 μF 的旁路电容。

数据手册

1+
￥12.17
10+
￥10.49
30+
￥9.43

有货

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高共模抑制比、高速光耦合器

型号：HCPL-0454-000E 编号：C17365344

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥12.87
10+
￥12.58
30+
￥12.4

有货

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单通道高速光耦合器

型号：HCNW4502-500E 编号：C17239614

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥13.88
10+
￥13.57
30+
￥13.37

有货

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单通道高速光耦合器

型号：HCPL-4503-300E 编号：C17558752

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥14.05
10+
￥13.74
50+
￥13.54

有货

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高速10 MBit/s逻辑门光耦合器

型号：HCPL0611 编号：C463505

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

数据手册

1+
￥16.39
10+
￥15.97
30+
￥15.69

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高速、高共模抑制比、10Mbps开集电极输出型5引脚SOP光耦合器

型号：PS9124-F3-AX 编号：C6148735

封装：SO-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一种光耦合高速、低电平有效型隔离器，在一个芯片上，输入侧包含一个AlGaAs LED，输出侧包含一个光电二极管和一个信号处理电路。

1+
￥17.13
10+
￥14.62
30+
￥13.05

有货

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高速模拟输出型8引脚光耦合器

型号：PS8502L3-AX 编号：C22404666

封装：SMD-8P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是8引脚高速光电耦合器，在一个芯片的输入侧包含一个AlGaAs LED，输出侧包含一个PN光电二极管和一个高速放大晶体管。采用塑料DIP（双列直插式封装）。有长爬电距离的引脚弯曲类型、用于表面贴装的长爬电距离（鸥翼式）引脚弯曲类型和用于表面贴装的引脚弯曲类型（鸥翼式）。

1+
￥17.61
10+
￥15.11
50+
￥13.55
100+
￥11.94

有货

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高共模抑制比、高速光耦合器

型号：HCPL-J454-300E 编号：C17180567

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥21.37
10+
￥20.89
50+
￥20.58

有货

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单通道高速光耦合器

型号：HCPL-4502 编号：C17452298

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥26.22
10+
￥25.64
50+
￥25.25

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高共模抑制比、高速TTL兼容光耦合器

型号：HCPL-2611-020E 编号：C6955745

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

1+
￥27.48
10+
￥23.29
50+
￥20.8

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3.3V 双通道高速 10 MBit/s 逻辑门光耦合器

型号：HCPL062NR2 编号：C464183

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL062N光电耦合器包含一个AlGaAs LED，它在CMOS工艺中光学耦合至由双极性晶体管组成的超高速集成式光电探测器逻辑门，以便降低功耗。输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

数据手册

1+
￥30.49
10+
￥29.9
30+
￥29.5

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高速、高隔离电压光电耦合器

型号：6N137 编号：C48997862

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

6N137由一个红外发射二极管和一个高速集成光电探测器逻辑门组成，后者具有频闪输出。产品应用于开关电源、数据传输、消除接地回路等。

5+
￥1.734
50+
￥1.351
135+
￥1.1868
495+
￥0.982

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SOP5, 1Mbit/s高速晶体管光电耦合器

型号：MPCM501(T1)-GV 编号：C47361222

封装：SOP-5

品牌：MP(美禄科技)

高速光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：15kV/us 数据速率：1Mbit/s 传播延迟tpLH/tpHL：800ns；1000ns 电源电压：0V~30V。

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￥1.9823
50+
￥1.5702
150+
￥1.3936
500+
￥1.1733
3000+
￥1.0752
6000+
￥1.0163

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3A输出电流，高速MOSFET栅极驱动光耦合器

型号：FOD3182-C5L0 编号：C19185370

封装：SMD-8P

品牌：KTP(科泰普)

FOD3182是具有3A输出电流，高速MOSFET栅极驱动光耦合器。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，该二极管与具有PMOS和NMOS输出功率晶体管集成电路功率级的CMOS感测器进行光耦合。非常适用于等离子显示屏(PDPs)，电动机用逆变器控制，以及高性能DC/DC转换器中采用的高频功率驱动MOSFETS。

1+
￥4.33
10+
￥3.48
30+
￥3.06
100+
￥2.65

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15Mbps高速、高共模瞬态抗扰度光耦合器

型号：RV1S9062ACCSP-10YV#KC0 编号：C20353974

封装：LSOP-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥11.1
10+
￥10.85
30+
￥10.69

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高共模抑制比、高速TTL兼容光耦

型号：HCPL-0611-000E 编号：C6795888

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

1+
￥14.65
10+
￥14.31
30+
￥14.08

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单通道高速光耦合器

型号：HCNW4503-300E 编号：C6795901

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在 LED 和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。部分产品适用于 TTL/CMOS、TTL/LSTTL 或宽带宽模拟应用，在 IF = 16mA 时，电流传输比（CTR）最低为 7%

1+
￥17.62
10+
￥17.21
42+
￥16.94

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高速图腾柱输出光耦合隔离器

型号：PS9123-F3-AX 编号：C6358724

封装：SOIC-5-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS9123 是一款光耦合高速图腾柱输出隔离器，其输入侧为 GaAlAs 发光二极管（LED），输出侧为光电二极管和信号处理电路，它们集成在同一芯片上。PS9123 具有高共模抑制比（CMR）、高电流传输比（CTR），且脉冲宽度失真随工作温度变化的特性。

1+
￥17.79
10+
￥17.35
30+
￥17.06

有货

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单通道高速光耦合器

型号：HCPL-0500-000E 编号：C6795948

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在 LED 和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。部分产品适用于 TTL/CMOS、TTL/LSTTL 或宽带模拟应用，在 IF = 16mA 时，电流传输比 (CTR) 最小为 7%

1+
￥19.91
10+
￥16.99
30+
￥15.16

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1MbpS 开集电极输出适用于智能功率模块驱动 8 引脚 DIP 高速光耦合器

型号：PS9513-AX 编号：C7030197

封装：DIP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS9513、PS9513L1、PS9513L2和PS9513L3是光耦合隔离器，在单芯片的输入侧包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，输出侧包含一个光电二极管和一个信号处理电路。PS9513专为实现高共模瞬态抗扰度（CMR）和随工作温度变化的低脉冲宽度失真而设计，适用于智能功率模块（IPM）驱动。

1+
￥21.77
10+
￥21.28
50+
￥20.96

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高共模抑制比、高速TTL兼容光耦

型号：HCPL-2630-300E 编号：C6795930

封装：SMD-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

1+
￥23.77
10+
￥23.22
50+
￥22.85

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2.5A输出电流、高速栅极驱动光耦合器

型号：HCPL-3180-300E 编号：C6795935

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

1+
￥24.17
10+
￥23.65
50+
￥23.3

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高共模抑制比、高速光耦合器

型号：HCPL-4504-300E 编号：C6795886

封装：SMD-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4504和HCPL - 0454采用GaAsP LED，而HCPL - J454和HCNW4504采用AlGaAs LED。该LED与集成高增益光电探测器进行光耦合。HCPL - 4504系列具有短传播延迟和高电流传输比（CTR）

1+
￥26.14
10+
￥22.55
30+
￥20.42

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高速、低功耗数字光耦合器

型号：ACPL-M71T-500E 编号：C691957

封装：SO-5

品牌：Broadcom(博通)

是高温数字CMOS光耦合器，采用SOIC-5封装。适用于混合动力和电动汽车应用，采用最新的CMOS IC技术，实现了出色的性能和极低的功耗。所有器件均符合AEC-Q100标准，工作温度范围为-40°C至125°C。

数据手册

1+
￥28.01
10+
￥27.35
30+
￥26.91

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小封装、5引脚、高共模抑制比、高速逻辑门光电耦合器

型号：HCPL-M611-000E 编号：C6795899

封装：SOP-5-175mil-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

这些小尺寸、高共模抑制比（CMR）、高速逻辑门光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。它们在电气上等同于以下安华高（Avago）光耦合器（除了没有输出使能功能）。 SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形不需要在PCB上打“通孔”。

1+
￥31.36
10+
￥27.01
30+
￥24.42

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高共模抑制比、15 Mbps开集电极输出型8引脚SSOP 3.3V高速光电耦合器

型号：PS9821-1-F3-AX 编号：C5334515

封装：SSOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是有源低电平型高速光电耦合器，输入侧使用AlGaAs发光二极管，输出侧使用包含光电二极管和信号处理器的光电探测器IC在同一芯片上。专为高共模瞬态抗扰度（CMR）和低脉冲宽度失真而设计，适用于高密度应用。

数据手册

1+
￥31.78
10+
￥27.37
30+
￥24.75

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3.3V/5V高速CMOS光耦合器

型号：ACPL-072L-500E 编号：C6733624

封装：SOT-ALL-8

品牌：Broadcom(博通)

采用8引脚DIP或SO-8封装，利用最新CMOS IC技术，实现最低25MBd数据速率的出色速度性能和最大6ns的脉冲宽度失真。产品的基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

1+
￥31.85
10+
￥31.15
30+
￥30.68

有货

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高共模抑制比高速光耦合器

型号：ACPL-W454-500E 编号：C6795908

封装：SSO-6

品牌：Broadcom(博通)

与其他高速晶体管输出光耦合器类似，但具有更短的传播延迟和更高的电流传输比 (CTR)，还保证了传播延迟差 (tPLH-tPHL)。这些特性使其成为IPM逆变器死区时间和其他开关问题的理想解决方案。CTR、传播延迟和共模抑制比 (CMR) 针对TTL负载和驱动条件以及IPM（智能功率模块）负载和驱动条件进行了规定。提供了TTL和IPM条件下的规格和典型性能图，便于应用。这种二极管-晶体管光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍。

1+
￥33.27
10+
￥28.65
30+
￥25.91

有货

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