高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

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型号：ACPL-072L-560E 编号：C49269384

封装：SO-8

可用8引脚DIP或SO-8封装，利用最新的CMOS IC技术，实现最低25MBd数据速率的出色速度性能和最大6ns的脉冲宽度失真。该系列产品的基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

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型号：6N139-500E-AXW 编号：C42432274

封装：SMD-8P

输入类型:DC，隔离电压(rms): 5kV，传播延迟tpLH/tpHL: 60us；25us,共模瞬变抗扰度CMTI: 1kV/us, SMD8

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型号：HCPL-2631-C5L0 编号：C19185367

封装：SMD-8P

品牌：KTP(科泰普)

HCPL-2631是双通路光电耦合器，每个通道是由一个高发射强度的红外发光二极管和一个高速高益的光敏检测集成电路组成。

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型号：VO2611-X017T 编号：C5346011

封装：SOP-8-2.54mm

单通道 10 MBd 光耦合器采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合。探测器具有开漏 NMOS 晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏更少。双通道 10 MBd 光耦合器。对于单通道类型，引脚 7 上的使能功能允许对探测器进行选通。内部屏蔽为 VO2601 和 VO2631 提供 5 kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度，为 VO2611 和 VO4661 提供 15 kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度。建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1 μF 的旁路电容。

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型号：SFH6345 编号：C7500575

封装：DIP-8

SFH6345是一款光耦合器，采用GaAlAs红外发光二极管，与由光电二极管和高速晶体管组成的集成光电探测器进行光耦合，采用DIP - 8塑料封装。该器件与6N135类似，但探测器上额外增加了一个法拉第屏蔽层，可增强输入 - 输出的dV/dt抗扰度。信号可在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达2 MHz

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型号：ACPL-W454-560E 编号：C691970

封装：SSO-6

ACPL - W454/P454与博通的其他高速晶体管输出光耦合器类似，但具有更短的传播延迟和更高的电流传输比（CTR）。ACPL - W454/P454还保证了传播延迟差（tPLH - tPHL）。这些特性使ACPL - W454/P454成为解决智能功率模块（IPM）逆变器死区时间及其他开关问题的理想方案

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型号：HCNW2601-000E 编号：C5756493

封装：DIP-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：HCNW2611-000E 编号：C188688

封装：DIP-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：6N137-000E-AXW 编号：C49172976

封装：DIP-8

10Mbps,单通道，DIP8

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型号：ICPL-075L-500EAXW 编号：C49172978

封装：SOP-8

15Mbps，双通道，SOP8

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型号：6N136 编号：C5241880

封装：DIP-8

是一种光耦合器，具有 GaAlAs 红外发射二极管，与集成光电探测器光耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。

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型号：ICPL-074L-500EAXW 编号：C49172977

封装：SOP-8

25Mbps，双通道，SOP8

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型号：6N137 编号：C5346016

封装：DIP-8

6N137、VO2601和VO2611是单通道10 MBd光耦合器，采用高效输入LED与集成光电二极管IC检测器耦合。该检测器具有漏极开路NMOS晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏电流更小。VO2630、VO2631和VO4661是双通道10 MBd光耦合器

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型号：VOW2611-X017T 编号：C6349886

封装：SMD-8P

10 MBd 宽体光耦合器均由一个 GaAlAs 红外发光二极管组成，并与集成光电探测器进行光耦合。该探测器集成法拉第屏蔽，可提供高功率开关应用所需的高水平噪声隔离。Vishay 的 10 MBd 宽体耦合器具有高隔离距离，外部爬电距离 >10 mm。这使得这些器件成为工作电压超过 1000 V 的应用的理想选择。

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型号：PS9151-V-F3-AX 编号：C6255976

封装：SOIC-5-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一种光耦合隔离器，输入侧包含一个AlGaAs LED，输出侧包含一个CMOS输出IC。此光耦合器具有高共模瞬态抗扰度（CMR），是为高速逻辑接口电路设计的高速CMOS输出型器件。

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型号：VO0601T 编号：C5344579

封装：SOIC-8

VO06xxT 系列是单通道和双通道 10 MBd 光耦合器，采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 检测器相耦合。该检测器具备漏极开路 NMOS 晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，其泄漏电流更小。对于单通道类型，引脚 7 上的使能功能可对检测器进行选通

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型号：ACPL-4800-300E 编号：C6492506

封装：DIP-8

快速速度光耦合器包含一个GaAsP LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。

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型号：ACPL-071L-000E 编号：C19077903

封装：SO-8

ACPL-071L (单通道) 和 ACPL-074L (双通道) 是采用 SOIC-8 封装的 15-MBd CMOS 光耦合器。光耦合器采用最新的 CMOS IC 技术，以极低的功耗实现出色的性能。ACPL-071L 和 ACPL-074L 的基本构建模块是高速 LED 和 CMOS 探测器 IC。每个探测器都集成了一个光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。

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型号：HCPL-2502-000E 编号：C17630187

封装：DIP-8

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型号：HCPL-0601-000E 编号：C2686011

封装：SOIC-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：ACPL-074L-500E 编号：C6458522

封装：SOP-8

是15-MBd的CMOS光耦合器，采用SOIC-8封装。光耦合器采用最新的CMOS IC技术，以实现极低功耗的出色性能。基本构建模块是高速LED和CMOS探测器IC。每个探测器都包含一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。

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型号：VO617A-4 编号：C17692434

封装：DIP-4

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型号：6N137-300E 编号：C6795936

封装：DIP-8

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在Vcm = 1000V时，共模瞬态抗扰度规格高达15,000V/μs。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40°C至+85°C范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：RV1S9061ACCSP-10YC#SC0 编号：C6669093

封装：LSOP-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RV1S9061A是一款光电耦合器，具备高达15 Mbps的高速开关能力，采用高电平有效输出逻辑。其输入侧为铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），输出侧为带光电二极管的集成电路。 RV1S9061A专为实现高共模瞬态抗扰度（CMTI）、宽工作电源电压范围以及高达125 °C的高温工作环境而设计

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型号：HCPL-0723-000E 编号：C6795997

封装：SOIC-8

HCPL - 7723 或 HCPL - 0723 光耦合器分别提供 8 引脚 DIP 或 SO - 8 封装形式，采用最新的 CMOS IC 技术，实现了卓越的速度性能，数据速率最低可达 50 MBd，最大脉冲宽度失真为 2 ns。HCPL - 7723/0723 的基本组成部分包括一个 CMOS LED 驱动 IC、一个高速 LED 和一个 CMOS 探测器 IC。CMOS 逻辑输入信号控制 LED 驱动 IC，该驱动 IC 为 LED 提供电流

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型号：HCPL-063L 编号：C6204657

封装：SOT-ALL-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 3.3V 时提供 15kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 LVTTL/LVCMOS 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。适用于高速逻辑接口、输入/输出缓冲，作为传统线路接收器无法耐受环境中的线路接收器，建议在极高接地或感应噪声环境中使用。

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￥73.85

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型号：HCPL-2531-C1L0 编号：C19185356

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

这类晶体二极管型光耦在LED与集成光敏接收器之间用一绝缘层来保证输入与输出间的电器隔离。光电二极管和输出晶体管集电极分别给予偏置电压，可以使常规光敏晶体管的速度提高。

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型号：SFH6319T 编号：C5358694

封装：SOIC-8

SFH6318非常适合用于TTL应用，因为当LED电流为1.6 mA时，其最小电流传输比为300%，这使得它在使用2.2 kΩ上拉电阻时，能够实现一个单位负载输入和一个单位负载输出的操作。SFH6319最适合涉及CMOS和低功耗TTL的低功耗逻辑应用。在0 °C至70 °C的温度范围内，仅需0.5 mA的LED电流，就能保证400%的电流传输比

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型号：6N139-X009T 编号：C3001650

封装：SOP-8-2.54mm