高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-6

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 3.3V 时提供 15kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 LVTTL/LVCMOS 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +100°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥35.73
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￥30.95
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￥28.04

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型号：ACPL-074L-000E 编号：C22379963

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

是15-MBd的CMOS光耦合器，采用SOIC-8封装。该光耦合器采用最新的CMOS IC技术，以极低的功耗实现出色的性能。基本构建模块是高速LED和CMOS探测器IC。每个探测器都集成了一个光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。

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￥36.11
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￥35.26
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￥34.7

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型号：HCPL-0530-000E 编号：C6795919

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有 8 引脚 DIP 和行业标准 SO-8 封装可供选择。

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￥37.55
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￥32.34
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￥29.24

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型号：HCNW2601-300E 编号：C6795915

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥37.78
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￥32.81
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￥29.86

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型号：ACPL-M72T-500E 编号：C6795955

封装：SO-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

是高温数字CMOS光耦合器，采用SOIC-5封装。适用于混合动力和电动汽车应用，使用最新的CMOS IC技术实现出色性能和极低功耗。所有器件均符合AEC-Q100标准，工作温度范围为-40°C至125°C。使用高速LED，使用低电流LED以降低功耗。高速型最大传播延迟为35 ns（IF = 10mA），低功耗型典型传播延迟为60 ns（LED驱动电流为4 mA）。每个数字光耦合器都有一个CMOS探测器IC、一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。提供汽车和高温工业关键应用所需的加强绝缘和可靠性。

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￥43.24
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￥37.45
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￥33.92

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型号：ACPL-K63L-500E 编号：C5576467

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 3.3V 时提供 15kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 LVTTL/LVCMOS 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +100°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥49.83
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￥48.73
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￥47.99

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型号：HCPL-3180-300 编号：C17475296

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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￥50.15
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￥49.39

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型号：HCPL-0661-000E 编号：C6795966

封装：SOT-ALL-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在VCR = 1000V时，共模瞬态抗扰度规范高达15,000V/μs。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃至 +85℃范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥54.43
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￥46.77
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￥42.1

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型号：ACFL-6212U-500E 编号：C6795977

封装：SO-12

品牌：Broadcom(博通)

ACFL - 6211U和ACFL - 6212U是双通道、双向、高速数字CMOS光耦合器。拉伸型SO - 12封装外形设计为与标准表面贴装工艺兼容，且与单通道拉伸型SO8封装占用相同的焊盘面积。这种数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间采用绝缘层，以实现输入和输出之间的电气绝缘

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￥59.74
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￥51.68
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￥46.76

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型号：HCPL-4661-020E 编号：C6795978

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥60.28
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￥52.21
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￥47.29

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型号：ACPL-K63L-000E 编号：C6795982

封装：SSO-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 3.3V 时提供 15kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 LVTTL/LVCMOS 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +100°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥61.26
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￥53.06
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￥48.06

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型号：HCPL-0534-000E 编号：C6795984

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。

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￥62.06
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￥53.83
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￥48.81

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型号：HCPL-0930-500E 编号：C6795994

封装：SOIC-16

品牌：Broadcom(博通)

CMOS数字隔离器具有高速性能和出色的瞬态抗扰度规格。对称磁耦合屏障使这些器件的典型脉冲宽度失真为2 ns，典型传播延迟偏差为4 ns，数据速率为100 Mbaud，使其成为行业中最快的数字隔离器。单通道数字隔离器具有低电平有效逻辑输出使能。双通道数字隔离器配置为单向和双向，以全双工模式运行，非常适合数字现场总线应用

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￥122.52
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￥117.05
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￥107.58

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型号：HCPL-092J-000E 编号：C6796010

封装：SOIC-16

品牌：Broadcom(博通)

CMOS数字隔离器具有高速性能和出色的瞬态抗扰度规格。对称磁耦合屏障使这些器件的典型脉冲宽度失真为2 ns，典型传播延迟偏差为4 ns，数据速率为100 Mbaud，使其成为行业中最快的数字隔离器。单通道数字隔离器具有低电平有效逻辑输出使能。双通道数字隔离器配置为单向和双向，以全双工模式运行，非常适合数字现场总线应用

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￥155.78
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￥147.44

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型号：BPC-618S 编号：C7421377

封装：SMD

品牌：BrtLed(佰鸿)

是包含 GaAs 发光二极管和光电二极管的光耦合隔离器。引脚间距为 2.54mm

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￥0.9623
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￥0.7607
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￥0.6743
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￥0.5665
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￥0.5185
4000+
￥0.4896

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型号：SL0601 编号：C5155350

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL0601光耦合器由单通道850nm的A1GaAS LED组成，其光学耦合到一个非常高速的集成光电探测器逻辑门，可快速输出。这器件采用8引脚外形封装，符合标准封装外形。

数据手册

2000+
￥2.0748
4000+
￥2.0384
6000+
￥2.002

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型号：CYHCPL2631S(TP1) 编号：C3018815

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2630 和CYHCPL2631 由一个红外发光二极管和一个具有选通输出的高速集成光电检测器逻辑门IC组成的光耦。它有DIP-8，DIP8-M和SMD8三种封装形式。

数据手册

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￥6.75
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￥5.56
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￥4.97
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￥4.38
500+
￥4.03
1000+
￥3.84

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型号：MP4810-G(B) 编号：C47361131

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4810 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

1+
￥2.86
10+
￥2.26
45+
￥2.01
90+
￥1.69
495+
￥1.55
990+
￥1.47

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型号：MP4810(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361238

封装：SMD-8P

品牌：MP(美禄科技)

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4810 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

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￥2.86
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￥2.26
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￥2.01
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￥1.69
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￥1.55
1000+
￥1.47

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型号：6N137 编号：C5337818

封装：DIP-8

品牌：ISOCOM(英国安数光)

由一个红外发光二极管组成，光耦合到一个带可选通输出的高速集成光电探测器逻辑门。

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￥3.53
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￥2.86
45+
￥2.32

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型号：FOD8343TR2 编号：C411210

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

该系列是 4.0 A 最大峰值输出电流栅极驱动光耦合器，能够驱动中功率 IGBT/MOSFET。它非常适合用于电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动，以及高性能电源系统。该系列采用拉伸体封装，以实现 8 mm 的爬电距离和电气间隙（FOD8343T），并通过优化的 IC 设计实现可靠的高绝缘电压和高抗噪性。该系列由一个砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管 (LED) 组成，该二极管与一个带有推挽 MOSFET 输出级的高速驱动器的集成电路光耦合。该器件采用拉伸体、6 引脚、小外形塑料封装。

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单价：
￥4.92684 / 个

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型号：ACPL-M72T-000E 编号：C6795942

封装：SOIC-5

品牌：Broadcom(博通)

是高温数字CMOS光耦合器，采用SOIC-5封装。适用于混合动力和电动汽车应用，使用最新的CMOS IC技术实现出色性能和极低功耗。所有器件均符合AEC-Q100标准，工作温度范围为-40°C至125°C。使用高速LED，使用低电流LED以降低功耗。高速型最大传播延迟为35 ns（IF = 10mA），低功耗型典型传播延迟为60 ns（LED驱动电流为4 mA）。每个数字光耦合器都有一个CMOS探测器IC、一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。提供汽车和高温工业关键应用所需的加强绝缘和可靠性。

1+
￥35.84
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￥31.09
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￥28.19
100+
￥25.76

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型号：OR-314(B)W-TA1 编号：C42012394

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：Orient(奥伦德)

由一个 GaAsP LED 与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

1+
￥1.53
10+
￥1.5
30+
￥1.48
100+
￥1.46

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型号：VO0600T 编号：C5830851

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

VO06xxT系列是单通道和双通道10MBd光耦合器，采用高效输入LED与集成光电二极管IC探测器耦合。探测器具有开漏NMOS晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏更少。对于单通道类型，引脚7上的使能功能允许对探测器进行选通。内部屏蔽为VO0601T和VO0631T提供了5kV/μs的共模瞬态抗扰度，为VO0611T和VO0661T提供了15kV/μs的共模瞬态抗扰度。建议在引脚5和8之间连接一个0.1μF的旁路电容。

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￥12.54
10+
￥12.26
30+
￥12.08
100+
￥11.89

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型号：HCPL0639R2 编号：C184745

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

数据手册

单价：
￥5.08464 / 个

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型号：HCPL0600R2(TOKMAS) 编号：C19184241

封装：SOIC-8

品牌：Tokmas(托克马斯)

高速 10MB/s 逻辑门极光耦合器 HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）

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￥3.38
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￥2.71
30+
￥2.37
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￥2.04
500+
￥1.84
1000+
￥1.74

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型号：CYHCPL2530S(TP1) 编号：C47115514

封装：SMD-8P

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2530 和CYHCPL2531 由一颗红外LED 耦合一颗三极管输出1Mbit/s 高速IC 的高速光耦，光电二极管偏置的单独连接通过减小输入晶体管的基极集电极电容，使速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制10kV/µs。与220V的工业标准相比，改进的封装具有优越的绝缘性，允许480V的工作电压。

1+
￥6.25
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￥5.06
30+
￥4.47
100+
￥3.88
500+
￥3.52
1000+
￥3.34

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型号：SFH6345-X016 编号：C3009211

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

是一款光耦合器，采用 GaAlAs 红外发射二极管，通过光学方式与集成光电探测器耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。该器件与 6N135 类似，但在探测器上增加了一个法拉第屏蔽层，增强了输入-输出 dV/dt 抗扰度。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。这是工业通信总线隔离以及 IPM（智能功率模块）驱动器等隔离驱动电路应用的理想解决方案。

1+
￥7.62
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￥7.34
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￥7.15
100+
￥6.96

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型号：RV1S9061ACCSP-10YV#KC0 编号：C20353972

封装：LSOP-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款光耦合器，具有高达 15 Mbps 的高速开关能力，采用高电平有效输出逻辑，输入侧由 AlGaAs LED 组成，输出侧是带有光电二极管的集成电路。专为高共模瞬态抗扰度（CMTI）、宽工作电源电压范围和高达 125℃ 的高温操作而设计，适用于 IPM（智能功率模块）驱动。

1+
￥12.77
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￥12.49
30+
￥12.3
100+
￥12.11

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型号：HCPL-063L-000E 编号：C6795968

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了砷化镓磷发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在3.3V时可保证15kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40℃至 + 85℃范围内得到保证，确保系统无故障运行。适用于高速逻辑接口、输入/输出缓冲，可作为传统线路接收器无法耐受环境中的线路接收器，推荐在极高接地或感应噪声环境中使用。

单价：
￥49.809442 / 个

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