高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：HCNW2611-000E 编号：C188688

封装：DIP-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：6N137 编号：C48997862

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

6N137由一个红外发射二极管和一个高速集成光电探测器逻辑门组成，后者具有频闪输出。产品应用于开关电源、数据传输、消除接地回路等。

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型号：CY6N137S(TP1) 编号：C3018805

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：OCIC(卓睿科)

CY6N137光耦合器由一个850纳米的AIGaAS LED和一个集成光电探测器高速逻辑门输出器件组成。它的封装形式有DIP-8和SMD-8。一个内部噪声屏蔽提供了典型值为10KV/μs优越的共模抑制典型。CY6N137的最低共模抑制比为5KV/μs。

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型号：HT-6N135-S1TA1 编号：C34376257

封装：SMD-8P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

高速光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:1Mbps，CMRS1000V/us，隔离电压：5KV.

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型号：6N138S-TA1-L 编号：C22451885

封装：SMD-8P

品牌：LITEON(光宝)

这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。如有需要，Vcc 和 Vo 端子可以连接在一起，以实现传统的光电达林顿运行。基极接入端子允许进行增益带宽调整。

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型号：6N137-SMD8 编号：C47361086

封装：SMD-8P

品牌：拓朴微

6N137 光耦合器由一个 850nm 的 AlGaAS LED 组成，其光学耦合到一个非常高速的集成光电探测器逻辑门，可快速输出。

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型号：HCPL-0601-000E 编号：C2686011

封装：SOIC-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：6N139-000E-AXW 编号：C42432273

封装：DIP-8

输入类型:DC，隔离电压(rms): 5kV，传播延迟tpLH/tpHL: 60us；25us,共模瞬变抗扰度CMTI: 1kV/us, DIP8

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型号：HCPL-2531-C1L0 编号：C19185356

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

这类晶体二极管型光耦在LED与集成光敏接收器之间用一绝缘层来保证输入与输出间的电器隔离。光电二极管和输出晶体管集电极分别给予偏置电压，可以使常规光敏晶体管的速度提高。

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型号：SFH6343T 编号：C5224046

封装：SOIC-8

高速光耦合器由GaAlAs红外发光二极管、集成光电探测器和高速晶体管组成。光电探测器与晶体管结隔离，以减少米勒电容效应。集电极开路输出功能允许电路设计人员在与不同逻辑系统（如TTL、CMOS等）接口时调整负载条件。带有法拉第屏蔽的型号可抑制和最小化高输入到输出的共模瞬态电压，且无基极连接，进一步降低进入封装的潜在电气噪声。采用行业标准SOIC-8封装，适用于表面贴装。

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型号：ACPL-W454-560E 编号：C691970

封装：SSO-6

ACPL - W454/P454与博通的其他高速晶体管输出光耦合器类似，但具有更短的传播延迟和更高的电流传输比（CTR）。ACPL - W454/P454还保证了传播延迟差（tPLH - tPHL）。这些特性使ACPL - W454/P454成为解决智能功率模块（IPM）逆变器死区时间及其他开关问题的理想方案

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￥12.01

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型号：FOD8343TR2 编号：C411210

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

该系列是 4.0 A 最大峰值输出电流栅极驱动光耦合器，能够驱动中功率 IGBT/MOSFET。它非常适合用于电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动，以及高性能电源系统。该系列采用拉伸体封装，以实现 8 mm 的爬电距离和电气间隙（FOD8343T），并通过优化的 IC 设计实现可靠的高绝缘电压和高抗噪性。该系列由一个砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管 (LED) 组成，该二极管与一个带有推挽 MOSFET 输出级的高速驱动器的集成电路光耦合。该器件采用拉伸体、6 引脚、小外形塑料封装。

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型号：ICPL-075L-500EAXW 编号：C49172978

封装：SOP-8

15Mbps，双通道，SOP8

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型号：ICPL-074L-500EAXW 编号：C49172977

封装：SOP-8

25Mbps，双通道，SOP8

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￥5.36

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型号：6N139-500E-AXW 编号：C42432274

封装：SMD-8P

输入类型:DC，隔离电压(rms): 5kV，传播延迟tpLH/tpHL: 60us；25us,共模瞬变抗扰度CMTI: 1kV/us, SMD8

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型号：FOD3182-C5L0 编号：C19185370

封装：SMD-8P

品牌：KTP(科泰普)

FOD3182是具有3A输出电流，高速MOSFET栅极驱动光耦合器。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，该二极管与具有PMOS和NMOS输出功率晶体管集成电路功率级的CMOS感测器进行光耦合。非常适用于等离子显示屏(PDPs)，电动机用逆变器控制，以及高性能DC/DC转换器中采用的高频功率驱动MOSFETS。

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￥2.65

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型号：CYHCPL2530S(TP1) 编号：C47115514

封装：SMD-8P

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2530 和CYHCPL2531 由一颗红外LED 耦合一颗三极管输出1Mbit/s 高速IC 的高速光耦，光电二极管偏置的单独连接通过减小输入晶体管的基极集电极电容，使速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制10kV/µs。与220V的工业标准相比，改进的封装具有优越的绝缘性，允许480V的工作电压。

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型号：6N136 编号：C5241880

封装：DIP-8

是一种光耦合器，具有 GaAlAs 红外发射二极管，与集成光电探测器光耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。

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型号：6N139-X009T 编号：C3001650

封装：SOP-8-2.54mm

高共模瞬态抗扰度和非常高的电流比，以及5300 VRMS绝缘，通过将LED与集成高增益光电探测器耦合在一个八引脚双列直插式封装中实现。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与TTL兼容的饱和电压和高速运行。访问基极端子可以调整增益带宽。适用于涉及CMOS和低功耗TTL应用的低功耗逻辑应用。保证仅需0.5 mA的LED电流即可实现400%的电流传输比。

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型号：6N137 编号：C5346016

封装：DIP-8

6N137、VO2601和VO2611是单通道10 MBd光耦合器，采用高效输入LED与集成光电二极管IC检测器耦合。该检测器具有漏极开路NMOS晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏电流更小。VO2630、VO2631和VO4661是双通道10 MBd光耦合器

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型号：SFH6345-X017T 编号：C17484862

封装：SMD-8P

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型号：VOW2611-X017T 编号：C6349886

封装：SMD-8P

10 MBd 宽体光耦合器均由一个 GaAlAs 红外发光二极管组成，并与集成光电探测器进行光耦合。该探测器集成法拉第屏蔽，可提供高功率开关应用所需的高水平噪声隔离。Vishay 的 10 MBd 宽体耦合器具有高隔离距离，外部爬电距离 >10 mm。这使得这些器件成为工作电压超过 1000 V 的应用的理想选择。

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型号：HCPL-0630 编号：C6267481

封装：SOT-ALL-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：6N137-000E-AXW 编号：C49172976

封装：DIP-8

10Mbps,单通道，DIP8

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￥1.279
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型号：ELM453(TA) 编号：C42384986

封装：SOP-5

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：ELM600(TA) 编号：C5200144

封装：SOP-5

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：VO0600T 编号：C5830851

封装：SOIC-8