高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：6N135TVM 编号：C898982

封装：DIP-8

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：HCPL2611SM 编号：C899516

封装：SOP-8-2.54mm

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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型号：HCPL2630SVM 编号：C899525

封装：SOP-8-2.54mm

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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型号：HCPL2531TVM 编号：C899505

封装：DIP-8

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：HCPL2531TSVM 编号：C899504

封装：SOP-8-2.54mm

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：HCPL2531TSR2VM 编号：C898474

封装：SOP-8-2.54mm

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：ADUM1201ARZ-RL7 编号：C9669

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

结合高速CMOS和单片变压器技术，这些隔离组件提供了优于光耦合器等替代方案的出色性能。通过避免使用LED和光电二极管，iCoupler设备消除了与光耦合器相关的设计难题。简单的iCoupler数字接口和稳定的性能特性消除了典型光耦合器对不确定电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响的担忧。这些iCoupler产品无需外部驱动器和其他分立组件

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型号：TLP152(TPL,E 编号：C150122

封装：SOIC-5-4.6mm

高速光电探测器，贴片5个脚

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型号：TLP2362(TPL,E 编号：C37658

封装：SO-5

TLP2362由一个高输出GaAlAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。TLP2362可保证在高达125°C的温度下工作，且工作电源电压范围为2.7 V至5 V。

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型号：TLP2361(TPL,E 编号：C107626

封装：SO-5

高速光电探测器

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型号：GAQW214EH 编号：C19188597

封装：SMD-8P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。高速和高频开关。高灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：ADUM1401BRWZ-RL 编号：C91762

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

基于iCoupler技术的四通道数字隔离器，结合高速CMOS和单片空心变压器技术，性能优于光耦合器等替代产品。避免使用LED和光电二极管，消除了与光耦合器相关的设计难题，如不确定的电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响。无需外部驱动器和其他分立元件，在可比信号数据速率下，功耗仅为光耦合器的十分之一到六分之一。提供四种独立的隔离通道，具有多种通道配置和数据速率，电源电压范围为2.7V至5.5V，可与低电压系统兼容，并实现隔离屏障上的电压转换功能

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型号：TLP2345(TPL,E 编号：C99484

封装：SO-5

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合组成，采用SO6封装。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110°C。具有低电源电流和低阈值输入电流，有助于设备节能，可由微计算机直接驱动。探测器具有图腾柱输出级，具有电流源和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±30kV/μs的共模瞬态抗扰度，有缓冲输出，也有反相器输出版本。

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型号：ADUM1200ARZ-RL7 编号：C15219

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

结合高速CMOS和单片变压器技术，这些隔离组件提供了优于光耦合器等替代方案的出色性能。通过避免使用LED和光电二极管，iCoupler设备消除了通常与光耦合器相关的设计难题。iCoupler数字接口简单，性能特性稳定，消除了对不确定电流传输比、非线性传递函数以及温度和寿命影响的担忧。这些iCoupler产品无需外部驱动器和其他分立组件

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型号：TLP118(TPL,E) 编号：C89721

封装：SOIC-5-4.6mm

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成。采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：GAQY212G2EH 编号：C7435130

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高速度和高频开关。更高灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：TLP2160(TP,F) 编号：C393887

封装：SOP-8

由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO8封装，具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。有两个LED-感光器对，有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽可保证20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP155E(TPL,E 编号：C56499

封装：SOIC-5-4.6mm

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

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型号：AT172-CuH-S 编号：C20624244

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT172 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET 组成。广泛应用于：通讯产品（移动电话、电脑、笔记本电脑）、测量设备、工厂自动化设备、高速检验机器等。

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型号：AQW214EHAX 编号：C425151

封装：SMD-8P

品牌：PANASONIC(松下)

特性：加强绝缘 5000V，输入输出之间内部绝缘距离超过 0.4mm，符合 EN41003、EN60950（加强绝缘）。适用于 2 Form A 使用，也可作为两个独立的 1 Form A 使用。可控制低电平模拟信号，具有极低的闭路失调电压，能无失真地控制低电平模拟信号。高灵敏度和高速响应，5mA 输入电流可控制最大 0.14A 负载电流，典型操作速度为 0.5ms。低电平关态泄漏电流最大 1μA。应用：调制解调器。电话设备

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型号：6N136SDM 编号：C24402

封装：SOP-8-2.54mm