高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8-2.54mm

能够驱动大多数800V/20A的IGBT或MOSFET。非常适合用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中的功率IGBT和MOSFET的快速开关驱动。利用安森美半导体获得专利的共面封装技术Optoplanar和优化的IC设计，实现高抗噪性，其特点是具有高共模抑制能力。由一个砷化镓铝（AlGaAs）发光二极管和一个带有推挽MOSFET输出级高速驱动器的集成电路光耦合而成。

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￥7.78
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￥6.51
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型号：LTV-063L 编号：C571215

封装：SOP-8

品牌：LITEON(光宝)

该系列由高效的铝镓砷发光二极管和高速光电探测器组成。这种设计在光耦合器的输入和输出侧之间提供了出色的交流和直流隔离。光探测器的输出采用集电极开路肖特基钳位晶体管。使能功能允许对光探测器进行选通。内部屏蔽确保了高共模瞬态抗扰度。在3.3V时，保证的共模瞬态抗扰度高达10kV/μs。光耦合器的工作参数在-40°C至+85°C的温度范围内得到保证。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。

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型号：FOD8480R2 编号：C899356

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8480 和 FOD8482 是低功率光耦合器，支持智能功率模块 (IPM) 的隔离接口，从控制器向 IPM 传输数字控制信号，无需导通接地回路或危险电压。FOD848x 系列采用拉伸体、6 引脚小型塑料封装，包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和一个集成式高增益集成高增益光电探测器。检测器具有带磁滞的检测器阈值。磁滞提供了差分模式噪声抗干扰性，消除了输出信号颤振的可能性。它的非反相输出设计作为图腾柱，不需要任何上拉电阻。FOD8482 有一个低阈值输入电流 IFLH，最大为 3.0 mA。对于 FOD848x 全系列，在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 4.5 V 至 30 V 的 VDD 范围内可保证其电气和开关特性。低 IF 和宽 VDD 范围，可与 TTL、LSTTL 和 CMOS 逻辑电平兼容，与其他高速光耦合器相比，功耗更低。

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型号：ACSL-7210-50RE 编号：C7066706

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

该产品是双通道双向25 MBd数字光耦合器，采用CMOS IC技术和专利封装技术，在小于2mm的薄型窄体SOIC-8封装中实现3750 VRMS的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化，如现场总线（PROFIBUS）和串行外设接口（SPI）应用。每个通道的主要组成部分包括由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40 ns的快速传播延迟和最大10 ns的短脉冲宽度失真

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型号：6N136S 编号：C20612603

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

6N136S是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个850nm的AlGaAs LED光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等。

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型号：H11L1S(TA) 编号：C78589

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：EVERLIGHT(亿光)

由GaAs红外发光二极管和高速集成电路探测器光耦合组成。输出探测器集成施密特触发器，提供迟滞以实现抗噪和脉冲整形。采用6引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选。

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型号：LTV-M501 编号：C2944048

封装：SOP-5-175mil

品牌：LITEON(光宝)

LTV - M501系列由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种独特的设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。为光电二极管加偏置的连接方式通过减小基极 - 集电极电容，提高了其相对于传统光电晶体管耦合器的速度

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型号：TLP5701B(D4CNTPE 编号：C43687168

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：H11L1SR2M 编号：C20082

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：SL3120RS 编号：C41369501

封装：SMD-8P

品牌：Slkor(萨科微)

是一个采用DIP8封装的光电耦合器，由一个红外发光二极管 (LED) 与一个高速光电探测器IC芯片光耦合而成。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：QCPL-074H-500E 编号：C692108

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

QCPL - 071H（单通道）和QCPL - 074H（双通道）是采用SOIC - 8封装的15 MBd CMOS光耦合器。这些光耦合器采用最新的CMOS IC技术，以极低的功耗实现了卓越的性能。QCPL - 071H和QCPL - 074H的基本组成部分是高速LED和CMOS探测器IC

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型号：HCPL-0500-500E 编号：C2938991

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用，在IF = 16mA时，电流传输比（CTR）最低为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最低为19%。

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型号：ASSR-4118-503E 编号：C6795958

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

ASSR - 41XX系列由一个与高压输出检测电路光耦合的铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）。单通道配置的ASSR - 4118和ASSR4119相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR4128相当于2个A型机电继电器。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼式表面贴装DIP封装可供选择。ASSR - 4119支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流增加到0.2A，导通电阻R(ON)降至10Ω。

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￥23.32
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￥14.62

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型号：ACPL-K64L-560E 编号：C961431

封装：SO-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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￥27.01
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￥22.87
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￥20.4
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￥16.25

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型号：ASSR-1611-501E 编号：C5570486

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。该继电器是单极、常开（1 Form A）机电继电器的固态替代品。由一个铝镓砷红外发光二极管（LED）输入级和一个高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5mA时，继电器导通（触点闭合）；当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。连接方式A允许继电器切换交流或直流负载；连接方式B具有降低导通电阻和提高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。电气和开关特性在 -40℃至 +85℃的温度范围内规定。

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￥38.45
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￥32.8
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￥26.46

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型号：6N138M 编号：C3001991

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管，具有不同的引脚成型选项。光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容，与传统光电晶体管光耦合器相比，速度提高了几个数量级。

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￥1.6598
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￥1.3013
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￥0.956
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型号：6N136M 编号：C2995535

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容，为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距（M型）和贴片式（SMD）可选

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￥1.7247
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型号：H11L1SM 编号：C899473

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥4.72
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￥3.79
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型号：PC457L0NIP0F 编号：C37913

封装：SOIC-5-175mil

品牌：SHARP(夏普)

包含一个与 OPIC 芯片光耦合的 LED。采用 5 引脚迷你扁平封装。输入-输出隔离电压（rms）为 3.75kV。高速响应（典型值 1Mb/s），共模抑制比最小为 15kV/μs。

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￥3.55
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￥2.54

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型号：OR-0631-TA1 编号：C7473316

封装：SO-8

品牌：Orient(奥伦德)

OR - 0631 器件均由一个红外发光二极管和一个高速集成光电探测器逻辑门光耦合而成，具有可选通输出。这些器件采用 8 引脚小外形封装，符合标准 SO8 封装尺寸。

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￥6.17
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￥4.23
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型号：ACPL-M43T-500E 编号：C92191

封装：SO-5-4.6mm

品牌：Broadcom(博通)

是单通道、高温、高共模抑制比、高速数字光耦合器，采用五引脚微型封装，专为汽车应用设计。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形无需在PCB上打“通孔”，该封装占用面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计与标准表面贴装工艺兼容。此数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍。在扩展温度范围内，VCM = 1500V时，具有至少30kV/μs的高共模瞬态抗扰度。隔离产品为汽车和高温工业应用中的关键部分提供增强绝缘和可靠性。

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￥6.24
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型号：HCPL-0453-500E 编号：C692009

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：HCPL2630SDM 编号：C899520

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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￥7.62
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￥6.97
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￥6.57
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￥5.46

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型号：ACPL-W61L-500E 编号：C691976

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：HCPL-4503-500E 编号：C17455215

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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型号：ACPL-K44T-500E 编号：C17484283

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

单通道、高温、高共模抑制比、高速数字光耦合器，采用八引脚微型封装，专为汽车应用设计。双通道版本与单通道产品等效，均采用拉伸SO-8封装，与标准表面贴装工艺兼容。该数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。R2CouplerTM产品提供加强绝缘和可靠性，可实现安全的信号隔离，这在汽车和高温工业应用中至关重要。

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型号：ACSL-7210-56RE 编号：C6733685

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

是一款双通道双向25-MBd数字光耦合器，采用CMOS IC技术和专利封装技术，在<2mm薄型窄体SOIC-8封装中实现3750Vrms的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化，如现场总线（PROFIBUS）和串行外设接口（SPI）应用。每个通道的主要组成部分是由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40ns的快速传播延迟和最大10ns的短脉冲宽度失真

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型号：6N136S(UMW) 编号：C7436894

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容，为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距（M型）和贴片式（SMD）可选

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型号：KPC457TLD 编号：C107277

封装：SOP-5

品牌：Cosmo(冠西)

KPC457系列包含一个LED，它是高速数字输出型光耦合器，采用5引脚迷你扁平封装。

数据手册

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