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  • 特性:平面芯片结构。 300mW 功率耗散。 非常适合自动化组装工艺
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  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降。 高电流能力。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计。 塑料材料,UL 可燃性 94V-0。 封装:SOPA-4,模塑塑料。 引脚:镀铅引脚,符合 MIL-STD-202 方法 208 可焊接。 极性:如外壳标记。 安装位置:任意。 标记:型号
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    • 20000+

      ¥0.05576 ¥0.0697
  • 有货
  • 特性:总功率耗散:最大1W。 宽齐纳反向电压范围3.3V至330V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装
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      ¥0.05724 ¥0.1431
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      ¥0.0538 ¥0.1345
  • 有货
  • 特性:塑料封装符合UL 94V-2阻燃等级。 适用于表面贴装应用。 金属硅结,多数载流子传导。 低功耗,高效率。 内置应力消除,适合自动贴片。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:250℃/10秒(引脚处)
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      ¥0.1124
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      ¥0.0876
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      ¥0.0583
    • 50000+

      ¥0.0545
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。低轮廓封装。玻璃钝化芯片结。易于拾取和放置。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令
    数据手册
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      ¥0.1138
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      ¥0.0491
  • 有货
  • 特性:平面芯片结构。 300mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-43V。 超小表面贴装封装
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  • 特性:总功耗:最大300 mW。 小型塑料封装,适合表面贴装设计。 公差约 ±5%
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      ¥0.0593
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 易于拾取和放置。 内置应力消除。 低正向压降
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  • 特性:平面芯片结构。 在陶瓷PCB上的功率耗散为350mW。 通用型,中等电流。 非常适合自动化组装过程。 有无铅版本
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  • 特性:平面芯片结构。 在陶瓷PCB上的功率耗散为350mW。 通用型,中等电流。 非常适合自动化组装过程。 有无铅版本
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  • 特性:平面芯片结构。 通用型,中等电流。 非常适合自动化组装过程。 有无铅版本
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  • 特性:平面芯片结构。 在陶瓷PCB上的功率耗散为350mW。 通用型,中等电流。 非常适合自动化组装过程。 有无铅版本
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  • 特性:快速开关速度。适用于通用开关应用。高电导
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  • 特性:金属与硅整流器,多数载流子传导。 用于低压、高频逆变器续流和极性保护应用。 低功耗,高效率。 高电流能力,低VF。 高浪涌能力。 玻璃钝化
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  • 有货
  • 特性:总功率耗散:最大300 mW。 小型塑料封装,适合表面贴装设计。 公差约为 ±5%
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  • 有货
  • 特性:总功率耗散:最大500mW。 齐纳反向电压范围宽:2.4V至39V。 小型塑料封装,适用于表面贴装设计。 公差约 ±5%
    数据手册
    • 20+

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      ¥0.0659
    • 21000+

      ¥0.0616
  • 有货
  • 特性:金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    数据手册
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  • 有货
  • 特性:标准Vz公差为±2%。 平面芯片结构。 400mW功率耗散。 非常适合自动化组装工艺。 即可。 湿度敏感度等级为1。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅表面处理/符合RoHS标准,“I”“P”后缀表示符合RoHS标准
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1313
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    • 21000+

      ¥0.061
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 易于拾取和放置。 内置应力消除。 低正向电压降
    • 20+

      ¥0.1345
    • 200+

      ¥0.1042
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      ¥0.0874
    • 3000+

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    • 9000+

      ¥0.0686
    • 21000+

      ¥0.0639
  • 有货
  • 特性:总功率耗散:最大500mW。 齐纳反向电压范围宽:2.4V至39V。 小型塑料封装,适用于表面贴装设计。 公差约 ±5%
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1367
    • 200+

      ¥0.1087
    • 600+

      ¥0.0931
    • 3000+

      ¥0.0801
    • 9000+

      ¥0.072
    • 21000+

      ¥0.0676
  • 有货
  • 特性:低正向压降。保护环结构,用于瞬态保护。高电导率。也有无铅版本
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    • 200+

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    • 21000+

      ¥0.0591
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:2.0V至75V。 稳态功率额定值:200mW
    数据手册
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      ¥0.1372
    • 200+

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    • 600+

      ¥0.0935
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    • 9000+

      ¥0.0672
    • 21000+

      ¥0.0629
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:2.0V至75V。 稳态功率额定值:200mW
    数据手册
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    • 200+

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      ¥0.0785
    • 9000+

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