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首页 > 热门关键词 > 龙腾二极管
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耐压:600V 电流:10A 反向恢复时间：20ns
型号：LDD60U10W4 编号：C483419
封装：TO-220-2
品牌：LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的加工技术，实现超快恢复时间和更高的正向电流。其软恢复特性和高可靠性适用于广泛的工业应用。
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    1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
    型号：LND18N50 编号：C483630
    封装：TO-220F
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此产生的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
    型号：LND7N65D 编号：C439231
    封装：TO-220F
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。漏源击穿电压（VDSS）650V，漏极电流（ID）7A，最大导通电阻（RDS(on)）1.4Ω，典型栅极电荷（Qg）20.7nC
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    N沟道 耐压:800V 电流:8A
    型号：LSE80R680GT 编号：C2836177
    封装：TO-263
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    采用先进的超结技术制造。由此产生的器件具有极低的导通电阻，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:45V 电流:35A
    型号：LNG045R210 编号：C483674
    封装：TO-252
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:47A
    型号：LNG04R120 编号：C483660
    封装：TO-252
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
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    1个N沟道 耐压:45V 电流:43A
    型号：LNG045R140 编号：C483672
    封装：TO-252
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
    型号：LND10N65 编号：C439225
    封装：TO-220F
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
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    650V 3A 1.6Ω N沟道功率MOSFET
    型号：LSG65R1K6GT 编号：C779919
    封装：TO-252
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    采用先进的超级结技术制造。由此产生的器件具有极低的导通电阻，特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。

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    型号：LSGN04R025 编号：C483728
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用分裂栅沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：LNE06R062 编号：C483686
    封装：TO-263
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
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    型号：LNE08R085 编号：C483709
    封装：TO-263
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
    型号：LSH65R380GT 编号：C483497
    封装：TO-251
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    采用先进的超级结技术制造。由此产生的器件具有极低的导通电阻，特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
    型号：LNE10N65 编号：C439226
    封装：TO-263
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
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    1个N沟道 耐压:700V 电流:4A
    型号：LSH70R1KGT 编号：C439151
    封装：TO-251
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    采用先进的超结技术制造。具有极低的导通电阻，特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:1.9A
    型号：LSG60R2K5HT 编号：C483588
    封装：TO-252
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    采用先进的超结技术制造。由此产生的器件具有极低的导通电阻，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
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    1个N沟道 耐压:500V 电流:5A
    型号：LND5N50 编号：C483600
    封装：TO-220F
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此产生的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
    型号：LSH65R650HT 编号：C439130
    封装：TO-251
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    采用先进的超结技术制造。由此产生的器件具有极低的导通电阻，特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
    型号：LND10N60 编号：C439157
    封装：TO-220F
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。漏源击穿电压（VDSS）600V，漏极电流（ID）10A，最大导通电阻（RDS(on)）0.9Ω，典型栅极电荷（Qg）31.4 nC
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    N沟道 耐压:60V 电流:90A
    型号：LND06R079 编号：C2836228
    封装：TO-220MF
    品牌：LONTEN(龙腾半导体)
    这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
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