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首页 > 热门关键词 > 韦尔二极管
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800mV~5V 300mA 5.5V
型号：WL2811EA-5/TR 编号：C2939855
封装：SOT-23-5L
品牌：WILLSEMI(韦尔)
WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比（PSRR）、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2811EA具有折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压
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    P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：WPM3005-3/TR 编号：C2939854
    封装：SOT-23-3L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WPM3005 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
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    N沟道 耐压:30V 电流:3.1A
    型号：WNM3008-3/TR 编号：C2939850
    封装：SOT-23
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM3008是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
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    P沟道 耐压:20V 电流:5.7A
    型号：WPM6207-3/TR 编号：C2931334
    封装：SOT-23-3
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WPM6207是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
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    降压型 2A 2.5V~5.5V
    型号：WD1033E-5/TR 编号：C915923
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WD1033是一款高效率的同步降压DC-DC转换器,适用于电池供电的便携式应用。它支持最高2A的输出电流,输入电压范围为2.5V至5.5V,开关频率为1.5MHz。该器件采用SOT-23-5L封装。
    数据手册

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    N沟道 45V
    型号：WNM4006-3/TR 编号：C239663
    封装：SOT-23
    品牌：WILLSEMI(韦尔)

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    SPD9231A-2/TR
    型号：SPD9231A-2/TR 编号：C2941851
    封装：SMA
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    SPD9231A是一种双向TSS（晶闸管浪涌抑制器），可以为IC提供ESD保护。它专门设计用于保护电信设备免受过电压瞬变的损害。SPD9231A可用于满足包括ITU-T K.20、K.21和IEC 61000-4-5在内的各种法规要求。SPD9231A采用SMA封装。标准产品无铅且无卤素。
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    三路LED驱动器
    型号：WD3153D-10/TR 编号：C506151
    封装：DFN-10-EP(2x2)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是一款3通道LED驱动器，旨在产生各种照明效果。该设备有一个程序存储器，用于创建各种照明序列。当程序存储器加载完毕后，可在无需处理器控制的情况下独立运行。三个独立的LED通道具有精确的可编程电流吸收器，范围从0mA到25mA，分为5档，并具有8位灵活的PWM控制。每个通道都可以配置到三个程序执行引擎中的每一个。程序执行引擎有程序存储器，用于通过PWM控制创建所需的照明序列。
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    通用运算放大器
    型号：WS72542S-8/TR 编号：C717855
    封装：SOP-8
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS72542系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地，这使得该器件可用于低端电流分流测量
    数据手册

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    霍尔效应开关
    型号：WH2508F-3/TR 编号：C719452
    封装：TSOT-23-3L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WH2508F是一款单输出的微型微功耗磁性霍尔效应开关集成电路。温度补偿电路提高了整个工作范围内磁开关点的稳定性。如果垂直于器件标记面的磁通密度大于工作点（BOP），输出将导通；如果小于释放点（BRP），输出将关断
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    降压型 2A 4.5V~18V
    型号：WD1305E20-6/TR 编号：C2931306
    封装：SOT-23-6L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WD1305E20是一款高效率、500kHz开关频率、同步降压DC-DC转换器,支持2A输出电流。其输入电压范围为4.5V至18V,集成了主开关和同步开关,具有低导通电阻以减少传导损耗。该器件采用恒定导通时间控制模式,提供快速负载瞬态响应和简单的环路设计。集成多种保护功能,包括接地短路保护、过流保护、欠压保护和热关断保护,确保安全运行。封装为SOT-23-6L。
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    N沟道 耐压:110V 电流:2.13A
    型号：WNM01N11-6/TR 编号：C2941858
    封装：SOT-23-6L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM01N11是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
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    WS3221C-6/TR
    型号：WS3221C-6/TR 编号：C506091
    封装：WLCSP-6L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS3221是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压可调。当任何输入电压超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。当OVLO输入设置低于外部OVLO选择电压时，WS3221会自动选择内部固定的OVLO阈值电压
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    1.5V~3.6V42dB
    型号：WMM7037ATSN0-4/TR 编号：C2931323
    封装：LGA-4(3x3.8)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是一款微型、高性能、低功耗的顶部端口硅麦克风。由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的电子设备。采用紧凑的3.76mm×2.95mm×1.10mm、4引脚LGA封装。
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    N沟道 耐压:30V 电流:9.6A
    型号：WNM3032-8/TR 编号：C2941863
    封装：SOP-8L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM3032 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
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    低噪声运算放大器
    型号：WS72412D-8/TR 编号：C16197379
    封装：DFN2x2-8
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    运算放大器 通道数:2 功耗:1.25mA/通道 GBW:18MHz 噪声:8nV/√Hz(f= 1kHz)

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    N沟道 耐压:30V 电流:14.3A
    型号：WNM3060-6/TR 编号：C2931328
    封装：DFN2x2-6L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM3060是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
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    N沟道 耐压:50V 电流:0.25A
    型号：WNM3019-3/TR 编号：C2931327
    封装：SOT-523
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM3019 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关
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    3.3V 300mA 5.5V
    型号：WL2808E33-5/TR 编号：C2931312
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是高精度、低噪声、高速、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能。电流限制器的折返电路还可作为输出引脚的短路保护和输出电流限制器。采用标准SOT-23-5L封装，标准产品无铅、无卤。
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    2.8V 500mA 5.5V
    型号：WL2803E28-5/TR 编号：C719445
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用
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    单向ESD 9V截止 峰值浪涌电流：90A@8/20us
    型号：ESD56181W09-2/TR 编号：C910979
    封装：SOD-323
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD56181WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56181WXX专为保护电源线而设计。ESD56181WXX采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤。
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    2.8V 250mA 5.5V
    型号：WL2805E28-5/TR 编号：C506236
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是低 dropout 线性稳压器，针对电池供电系统进行了优化，可提供低静态电流的高性能解决方案。适用于手机、笔记本和其他便携式设备。设计中使用低成本陶瓷电容，确保输出电流的稳定性，提高效率，延长便携式设备的电池寿命。有 SOT-23-3L、SOT-23-5L 封装，标准产品无铅且无卤。
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    低导通电阻双单刀双掷模拟开关
    型号：WAS4729QB-10/TR 编号：C506157
    封装：QFN-10(1.8x1.4)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WAS4729QB是一款高性能双单刀双掷（SPDT）模拟开关，具备负摆幅音频能力，在3.6V VCC电压下典型导通电阻（Ron）超低，仅为0.8Ω。WAS4729QB的VCC工作电压范围宽广，为2.3V至5.5V，采用先断后通式设计。选择输入与TTL电平兼容
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    TVS 58V截止 峰值脉冲电流：4.3A@10/1000us
    型号：SPD81581A-2/TR 编号：C2931303
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    SPD81581A可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、Vcc总线和其他集成电路。
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    高压通用运算放大器
    型号：WS742904S-8/TR 编号：C717878
    封装：SOP-8
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS742904由双通道独立、高增益、内部频率补偿运算放大器组成，专为在宽电压范围内的单电源下工作而设计。这些器件在与数字系统的接口电路中特别有用，可由单一的5VDC通用电源供电。WS742904提供8引脚SOP和MSOP封装
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    N沟道 耐压:30V 电流:5.2A
    型号：WNM3400-3/TR 编号：C2941867
    封装：SOT-23
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM3400 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
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    通用运算放大器
    型号：WS72321B-5/TR 编号：C717846
    封装：SOT-353
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS72321系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的单路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合便携式电池供电设备。共模输入范围包含地电位，使该器件可用于低端电流分流测量
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    通用运算放大器
    型号：WS72358BS-8/TR 编号：C717859
    封装：SOP-8
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS72358B系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地，这使得该器件可用于低端电流分流测量
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    N沟道 耐压:30V 电流:19A
    型号：WNM3040-8/TR 编号：C2941865
    封装：PDFN3333-8L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM3040 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
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    过压保护负载开关
    型号：WS3210C68-9/TR 编号：C239828
    封装：CSP-9L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS3210C68具备低导通电阻（RON）的内部高压开关，其输入范围的绝对最大值为30V。内部输入钳位电路能够分流超过80V的浪涌电压，保护下游组件并增强系统的稳健性。WS3210C68具有过压保护（OVP）功能，若输入电压超过固定的过压保护阈值，内部开关将关闭
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