韦尔二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：WL2836D33-4/TR 编号：C2931318

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.3253
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￥0.2588
300+
￥0.2256
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￥0.2006

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型号：WNM2046A-3/TR 编号：C2941860

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2046A - 3/TR 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3444
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￥0.2724
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￥0.2364
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型号：WPM2019-3/TR 编号：C239546

封装：SOT-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2019是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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￥0.3705
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￥0.2929
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￥0.2541

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型号：ESD9N5BU-2/TR 编号：C506105

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9N5BU是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等。ESD9N5BU根据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±12KV（接触）的ESD瞬态电压；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受8/20μs脉冲下高达3A的峰值电流。ESD9N5BU采用DFN1006封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.4019
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￥0.3141
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￥0.2372
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￥0.2109

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型号：WPM3005-3/TR 编号：C2939854

封装：SOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3005 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.450849 ￥0.9201
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￥0.285831 ￥0.7329
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￥0.148741 ￥0.5129
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￥0.140592 ￥0.4848

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型号：WNM2024-3/TR 编号：C239641

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2024 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.4672
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型号：ESD5B5VL-2/TR 编号：C506103

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5B5VL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专门用于保护可能遭受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变脉冲群）和雷击的敏感电子元件。由于其封装小、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。ESD5B5VL可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±8kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达3.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5B5VL采用SOD - 523封装。标准产品无铅、无卤。

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￥0.5398
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￥0.4434
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型号：WPMD4953-8/TR 编号：C2941881

封装：SOP-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPMD4953 是一款双 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.6006
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￥0.4681
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￥0.3125

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型号：SPD84581C-2/TR 编号：C2939845

封装：SMC

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD84581C可保护敏感电子设备免受电感负载开关和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

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￥0.627 ￥2.09
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￥0.368 ￥1.84
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￥0.173 ￥1.73
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型号：ESD73311CZ-2/TR 编号：C2941837

封装：DWN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73311CZ是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73311CZ可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达20A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD73111CZ采用DWN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

5+
￥0.6323
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￥0.5004
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￥0.4345
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型号：WS4612EAA-5/TR 编号：C719418

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款带有超低导通电阻P-MOSFET的高端开关。集成的限流功能可以限制大电容负载的浪涌电流、过载电流和短路电流，以保护电源。还集成了反向保护功能，可消除设备关闭时开关两端的任何反向电流。输出自动放电功能使设备关闭时输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。采用SOT-23-5L封装。标准产品无铅、无卤。

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5+
￥0.7522
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￥0.6092
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型号：WNM3057-8/TR 编号：C2939851

封装：PDFN3333-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3057 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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1+
￥0.753 ￥2.51
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￥0.448 ￥2.24
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￥0.211 ￥2.11
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￥0.197 ￥1.97
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￥0.185 ￥1.85

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型号：WL2863E28-5/TR 编号：C2931321

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2863E是一款线性稳压器，能够提供250 mA的输出电流。该器件专为满足射频和模拟电路的要求而设计，具备低噪声、高电源抑制比（PSRR）、低静态电流以及出色的负载/线性瞬态响应特性。该器件设计为搭配1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容使用（无需单独的噪声抑制旁路电容）

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5+
￥0.7829
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￥0.6273
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￥0.5496
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￥0.4913

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型号：WL2861K33-3/TR 编号：C910985

封装：SOT-89

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2861K系列是一款高精度、高输入电压、低静态电流、高速、低压差线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件采用Bi - CMOS工艺制造。WL2861K具备过流限制和过温保护功能，以确保器件在良好的条件下工作

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5+
￥1.042721 ￥1.3199
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￥0.719463 ￥1.0427
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￥0.545101 ￥0.9239
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￥0.457663 ￥0.7757
2000+
￥0.418723 ￥0.7097
5000+
￥0.395359 ￥0.6701

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型号：WL2868C-20/TR 编号：C2941884

封装：CSP-20L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2868C是一款集成了7个低压差线性稳压器（LDO）的电源管理集成电路（PMIC），该PMIC有2个低压差LDO用于大电流数字电源（DVDD），还有5个高电源抑制比（PSRR）的LDO用于对噪声敏感的电源轨。这些LDO的输出电压和上电顺序可通过I2C接口进行设置。WL2868C还集成了带有中断指示的故障监测功能

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￥1.617 ￥4.62
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￥1.0275 ￥4.11
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￥0.579 ￥3.86
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￥0.5415 ￥3.61
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￥0.519 ￥3.46
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￥0.5085 ￥3.39

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型号：WNM4014-8/TR 编号：C2941869

封装：PDFN5X6-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4014是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、功率开关和充电电路

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1+
￥2.62
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￥2.2
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￥2
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￥1.79
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￥1.67
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型号：WPM5001-3/TR 编号：C2941877

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM5001是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.2765
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￥0.2156
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型号：ESD5621W-2/TR 编号：C239553

封装：SOD-323F

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5621wXX是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5621wXX可提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具有高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚（8/20μs）

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10+
￥0.3311
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￥0.2931
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￥0.2741

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型号：WPM2301-3/TR 编号：C2939853

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2301采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，还能提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换应用。标准产品WPM2301为无铅产品

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10+
￥0.3405
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￥0.2666
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￥0.2296

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型号：WPM2092A-3/TR 编号：C2941874

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2092A是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3734
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￥0.2918
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￥0.251
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￥0.2204

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型号：WPM2080-3/TR 编号：C2939852

封装：SOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2080 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3868
100+
￥0.31
300+
￥0.2715

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型号：WCM2002-6/TR 编号：C2941856

封装：SOT-363

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WCM2002 是一款将 N 沟道和 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管封装于一体的产品，适用于 DC-DC 转换器或电平转换应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（Rps(on)）。标准产品 WCM2002 为无铅产品

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￥0.46332 ￥1.5444
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￥0.2715 ￥1.3575
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￥0.12774 ￥1.2774
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￥0.11775 ￥1.1775
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￥0.1133 ￥1.133
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￥0.11063 ￥1.1063

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型号：WPT2E33-3/TR 编号：C240199

封装：SOT-89-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPT2E33 是一款具有极低饱和电压的 PNP 双极型功率晶体管。该器件适用于充电电路及其他电源管理应用。标准产品 WPT2E33 为无铅产品

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10+
￥0.497
100+
￥0.401
300+
￥0.353

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型号：ESD56181W04-2/TR 编号：C910982

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56181WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56181WXX专为保护电源线而设计。ESD56181WXX采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.512
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￥0.4064
150+
￥0.3536
500+
￥0.314

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型号：WS3210C68-9/TR 编号：C239828

封装：CSP-9L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3210C68具备低导通电阻（RON）的内部高压开关，其输入范围的绝对最大值为30V。内部输入钳位电路能够分流超过80V的浪涌电压，保护下游组件并增强系统的稳健性。WS3210C68具有过压保护（OVP）功能，若输入电压超过固定的过压保护阈值，内部开关将关闭

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1+
￥0.557436 ￥1.2669
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￥0.376176 ￥1.1064
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￥0.249024 ￥1.0376
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￥0.228408 ￥0.9517
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￥0.21924 ￥0.9135
1000+
￥0.213744 ￥0.8906

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型号：ESD56161D24-3/TR 编号：C719414

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56161D24是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到电源线的敏感电子元件而设计，可防止由静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的过应力。ESD56161D24可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达170A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD56161D24采用DFN2x2 - 3L封装。标准产品无铅且无卤。

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￥0.3634
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型号：WL2803E18-5/TR 编号：C467850

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用

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型号：WD3153D-10/TR 编号：C506151

封装：DFN-10-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款3通道LED驱动器，旨在产生各种照明效果。该设备有一个程序存储器，用于创建各种照明序列。当程序存储器加载完毕后，可在无需处理器控制的情况下独立运行。三个独立的LED通道具有精确的可编程电流吸收器，范围从0mA到25mA，分为5档，并具有8位灵活的PWM控制。每个通道都可以配置到三个程序执行引擎中的每一个。程序执行引擎有程序存储器，用于通过PWM控制创建所需的照明序列。

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