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描述

价格(含税)

库存

操作

用于相机应用的7通道LDO PMIC

型号：WL2868C-20/TR 编号：C2941884

封装：CSP-20L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2868C是一款集成了7个低压差线性稳压器（LDO）的电源管理集成电路（PMIC），该PMIC有2个低压差LDO用于大电流数字电源（DVDD），还有5个高电源抑制比（PSRR）的LDO用于对噪声敏感的电源轨。这些LDO的输出电压和上电顺序可通过I2C接口进行设置。WL2868C还集成了带有中断指示的故障监测功能

数据手册

1+
￥2.0328 ￥4.62
10+
￥1.3974 ￥4.11
30+
￥0.9264 ￥3.86
100+
￥0.8664 ￥3.61
500+
￥0.8304 ￥3.46
1000+
￥0.8136 ￥3.39

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:0.3A

型号：WNM7002-3/TR 编号：C506229

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM7002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.1525
200+
￥0.1169
600+
￥0.0971

有货

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P沟道耐压:20V 电流:1.03A

型号：WPM2092A-3/TR 编号：C2941874

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2092A是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.3734
100+
￥0.2918
300+
￥0.251
1000+
￥0.2204

有货

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1个P沟道耐压:12V 电流:3.5A

型号：WPM1483-3/TR 编号：C239762

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM1483 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.4011
100+
￥0.3214
300+
￥0.2816

有货

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2.5V 500mA 5.5V

型号：WL2803E25-5/TR 编号：C719451

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用

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10+
￥0.4746
100+
￥0.3815
300+
￥0.3349

有货

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单向TVS 15V截止峰值浪涌电流：45A@8/20us

型号：ESD5621W15-2/TR 编号：C239561

封装：SOD-323F

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5621wXX是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5621wXX可提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具有高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚（8/20μs）

数据手册

5+
￥0.4768
50+
￥0.3798
150+
￥0.3313
500+
￥0.2949

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:3.8A

型号：WPM3020-3/TR 编号：C506231

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3020 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥0.4995
50+
￥0.3949
150+
￥0.3425

有货

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3V 500mA 5.5V

型号：WL2803E30-5/TR 编号：C719429

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用

数据手册

5+
￥0.5145
50+
￥0.4087
150+
￥0.3558
500+
￥0.3161

有货

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单向ESD 4.5V截止峰值浪涌电流：110A@8/20us

型号：ESD56181W04-2/TR 编号：C910982

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56181WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56181WXX专为保护电源线而设计。ESD56181WXX采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

5+
￥0.5184
50+
￥0.4128
150+
￥0.36
500+
￥0.3204

有货

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N沟道+P沟道耐压:20V 电流:0.88A

型号：WCM2002-6/TR 编号：C2941856

封装：SOT-363

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WCM2002 是一款将 N 沟道和 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管封装于一体的产品，适用于 DC-DC 转换器或电平转换应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（Rps(on)）。标准产品 WCM2002 为无铅产品

数据手册

1+
￥0.525096 ￥1.5444
10+
￥0.3258 ￥1.3575
30+
￥0.178836 ￥1.2774
100+
￥0.16485 ￥1.1775
500+
￥0.15862 ￥1.133
1000+
￥0.154882 ￥1.1063

有货

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双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：55A@8/20us

型号：ESD56051N-2/TR 编号：C2941817

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56051N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD56051N可提供高达±30kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达55A（8/20μs）的峰值脉冲电流

5+
￥0.5848
50+
￥0.4558
150+
￥0.3913

有货

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TVS 58V截止峰值浪涌电流：32.1A@10/1000us

型号：SPD84581C-2/TR 编号：C2939845

封装：SMC

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD84581C可保护敏感电子设备免受电感负载开关和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

数据手册

1+
￥0.627 ￥2.09
10+
￥0.368 ￥1.84
30+
￥0.173 ￥1.73
100+
￥0.159 ￥1.59
500+
￥0.153 ￥1.53
1000+
￥0.15 ￥1.5

有货

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超低导通电阻P-MOSFET高侧开关，带限流、反接保护和自动放电功能

型号：WS4612EDA-5/TR 编号：C2931339

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS4612是一款采用超低导通电阻P沟道MOSFET的高端开关。集成的限流功能可限制大容性负载的浪涌电流、过载电流和短路电流，以保护电源。WS4612还集成了反向保护功能，可在器件关断时消除开关两端的任何反向电流

数据手册

5+
￥0.7249
50+
￥0.5809
150+
￥0.5089
500+
￥0.4549

有货

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N沟道耐压:30V 电流:75A

型号：WNM3057-8/TR 编号：C2939851

封装：PDFN3333-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3057 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

1+
￥0.7781 ￥2.51
10+
￥0.4704 ￥2.24
30+
￥0.2321 ￥2.11
100+
￥0.2167 ￥1.97
500+
￥0.2079 ￥1.89
1000+
￥0.2035 ￥1.85

有货

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3.3V 280mA 40V

型号：WL2851E33-5/TR 编号：C467852

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2851E系列是一款高精度、高输入电压、低静态电流、高速、低压差的线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件采用Bi-CMOS工艺制造。WL2851E具备过流限制和过温保护功能，以确保器件在良好的条件下工作

数据手册

5+
￥0.8447
50+
￥0.6709
150+
￥0.5841
500+
￥0.5189

有货

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5V/300mA电荷泵器件

型号：WD3168E-6/TR 编号：C239652

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WD3168是一款开关电容电压转换器，可从不稳压的输入电压产生稳压、低噪声且低纹波的输出电压（5V）。即使输入电压（VIN）大于5V，它也能维持5V稳压输出。该器件采用小封装，其5V输出可提供最大300mA的电流

数据手册

5+
￥0.9956
50+
￥0.8156
150+
￥0.6851
500+
￥0.5775

有货

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霍尔效应开关

型号：WH251E-3/TR 编号：C719463

封装：TSOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WH251E霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力、灵敏度容差低的微功耗开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除功能，实现了卓越的高温性能。该方法可降低通常由器件注塑成型、温度依赖性和热应力引起的失调电压

数据手册

5+
￥1.0227
50+
￥0.8085
150+
￥0.7167
500+
￥0.6021
3000+
￥0.5511

有货

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3.3V 150mA 40V

型号：WL2861K33-3/TR 编号：C910985

封装：SOT-89

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2861K系列是一款高精度、高输入电压、低静态电流、高速、低压差线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件采用Bi - CMOS工艺制造。WL2861K具备过流限制和过温保护功能，以确保器件在良好的条件下工作

数据手册

5+
￥1.148313 ￥1.3199
50+
￥0.802879 ￥1.0427
150+
￥0.619013 ￥0.9239
1000+
￥0.519719 ￥0.7757
2000+
￥0.475499 ￥0.7097
5000+
￥0.448967 ￥0.6701

有货

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6A,14mΩ负载开关，带快速输出放电和可调节上升时间

型号：WS4665D-8/TR 编号：C429740

封装：WDFN-8(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS4665是一款单通道负载开关，可提供可配置的上升时间，以最大限度地减少浪涌电流。该器件包含一个N沟道MOSFET，可在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作，最大连续电流支持6A。该开关由一个开/关输入（ON）控制，能够直接与低电压控制信号接口

数据手册

5+
￥1.4907
50+
￥1.1737
150+
￥1.0378
500+
￥0.8682

有货

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高精度、低噪声运算放大器

型号：WS726052M-8/TR 编号：C2943884

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS726052 是一款双路高输出驱动 CMOS 运算放大器，其峰值输出电流为 350mA，采用 2.5V 至 5.5V 单电源供电时具备轨到轨输出能力。该放大器的压摆率高达 6V/μs，增益带宽积（GBP）为 11.5MHz。WS726052 能够驱动典型的耳机负载（32Ω），还可在无线手持设备应用中为射频功率放大器提供偏置

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1+
￥1.67
10+
￥1.4
30+
￥1.26
100+
￥1.13

有货

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3.76*2.95*1.1

型号：WMM7037AT2-4/TR 编号：C140705

封装：LGA-4(3x3.8)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款微型、高性能、低功耗的顶部端口硅麦克风。由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的便携式电子设备。采用紧凑的3.76mm × 2.95mm × 1.10mm、4引脚LGA封装。

数据手册

5+
￥2.2438
50+
￥1.7393
150+
￥1.5231
500+
￥1.2533

有货

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TVS 15V截止峰值浪涌电流：16.4A@10/1000us

型号：SPD81152A-2/TR 编号：C506162

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD81152A可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

数据手册

5+
￥0.18402 ￥0.6134
50+
￥0.09772 ￥0.4886
150+
￥0.04262 ￥0.4262
500+
￥0.03794 ￥0.3794

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:3.2A

型号：WPM2081-3/TR 编号：C239550

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2081 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

3000+
￥0.2047
6000+
￥0.20355
9000+
￥0.19712

我要订货

P沟道耐压:20V 电流:2.7A

型号：WPM2301-3/TR 编号：C2939853

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2301采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，还能提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换应用。标准产品WPM2301为无铅产品

数据手册

10+
￥0.3365
100+
￥0.2693
300+
￥0.2357

有货

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1.2V 300mA 5.5V

型号：WL2836D12-4/TR 编号：C2931315

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.3613
100+
￥0.2816
300+
￥0.2418

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:0.73A

型号：WPM2019-3/TR 编号：C239546

封装：SOT-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2019是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.3781
100+
￥0.2989
300+
￥0.2593

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:6.3A

型号：WNMD2167-6/TR 编号：C213164

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

双N沟道，20V,6.3A

数据手册

5+
￥0.379914 ￥0.8259
50+
￥0.236808 ￥0.6578
150+
￥0.149188 ￥0.5738
500+
￥0.132808 ￥0.5108
3000+
￥0.119704 ￥0.4604
6000+
￥0.113152 ￥0.4352

有货

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800mV 300mA 5.5V

型号：WL2836E08-5/TR 编号：C2931319

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比（PSRR）、低压差（LDO）的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的新性能水平。WL2836E具有折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压

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10+
￥0.4137
100+
￥0.3325
300+
￥0.292

有货

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单向TVS 4.5V截止峰值浪涌电流：95A@8/20us

型号：ESD5621W04-2/TR 编号：C239608

封装：SOD-323F

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5621wXX是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5621wXX可提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具有高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚（8/20μs）

数据手册

10+
￥0.436
100+
￥0.3473
300+
￥0.3029

有货

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降压型 1A 2.5V~5.5V

型号：WD1042E-5/TR 编号：C2939857

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WD1042是一款高效、同步降压DC-DC转换器,适用于电池供电的便携式应用。支持高达1.0A的输出电流,输入电压范围为2.5V至5.5V。工作频率为1.5MHz,采用脉宽调制（PWM）和脉冲跳跃调制（PSM）模式,以在轻负载下保持高效率。

数据手册

5+
￥0.4418
50+
￥0.3443
150+
￥0.2956
500+
￥0.2591

有货

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