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首页 > 热门关键词 > 韦尔二极管
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闪光灯/手电筒LED驱动器
型号：WD3100B-6/TR 编号：C239576
封装：SC-70-6
品牌：WILLSEMI(韦尔)
是一款低成本的闪光灯/手电筒LED驱动器，适用于前置摄像头闪光灯和小电流后置摄像头闪光灯应用。集成了一个电流吸收器，以确保在电池电压、LED正向电压、环境温度等条件变化时，LED电流保持恒定。LED电流可以通过连接在RSET引脚和地之间的外部电阻进行调节，也可以通过将RSET引脚直接接地将LED电流设置为默认的200mA。具有闪光超时保护功能，以防止LED灯在异常情况下过热。
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1个P沟道 耐压:30V 电流:3.8A
型号：WPM3020-3/TR 编号：C506231
封装：SOT-23
品牌：WILLSEMI(韦尔)
WPM3020 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
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    0.1GHz-7.125GHzSPDT天线开关
    型号：WS7872DE-6/TR 编号：C2939864
    封装：DFN-6-EP(1x1)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS7872DE-6/TR是一个单刀双掷（SPDT）开关，具有高线性性能和低插入损耗，适用于WLAN应用，如802.11a/b/g/n。提供紧凑的无引脚扁平封装（DFN）1.0x1.0mm²。
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    3.3V 500mA 12V
    型号：WL2855K33-3/TR 编号：C2931320
    封装：SOT-89-3L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WL2855K系列是高精度、低噪声、12V输入、500mA的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制比。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2855K具有折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压
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    TVS 58V截止 峰值脉冲电流：4.3A@10/1000us
    型号：SPD81581A-2/TR 编号：C2931303
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    SPD81581A可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、Vcc总线和其他集成电路。
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    降压型 2A 2.5V~5.5V
    型号：WD1033E-5/TR 编号：C915923
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WD1033是一款高效率的同步降压DC-DC转换器,适用于电池供电的便携式应用。它支持最高2A的输出电流,输入电压范围为2.5V至5.5V,开关频率为1.5MHz。该器件采用SOT-23-5L封装。
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    高压通用运算放大器
    型号：WS742904S-8/TR 编号：C717878
    封装：SOP-8
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS742904由双通道独立、高增益、内部频率补偿运算放大器组成，专为在宽电压范围内的单电源下工作而设计。这些器件在与数字系统的接口电路中特别有用，可由单一的5VDC通用电源供电。WS742904提供8引脚SOP和MSOP封装
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    通用运算放大器
    型号：WS72544S-14/TR 编号：C717857
    封装：SOP-14
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS72544系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的四路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地，这使得该器件可用于低端电流分流测量
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    5V/300mA电荷泵设备
    型号：WD3168E-6/TR 编号：C239652
    封装：SOT-23-6L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WD3168是一款开关电容电压转换器，可从不稳压的输入电压产生稳压、低噪声且低纹波的输出电压（5V）。即使输入电压（VIN）大于5V，它也能维持5V稳压输出。该器件采用小封装，其5V输出可提供最大300mA的电流
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    低噪声运算放大器
    型号：WS72632S-8/TR 编号：C16197380
    封装：SOP-8
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    运算放大器 通道数:2 功耗:0.72mA/通道 GBW:9MHz 噪声:12.5nV/√Hz(f= 1kHz)

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    过压保护负载开关，带可调OVLO阈值
    型号：WS3221C-6/TR 编号：C506091
    封装：WLCSP-6L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS3221是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压可调。当任何输入电压超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。当OVLO输入设置低于外部OVLO选择电压时，WS3221会自动选择内部固定的OVLO阈值电压
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    高压运算放大器
    型号：WS742906S-14/TR 编号：C16197395
    封装：SOP-14
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    运算放大器 通道数:4 功耗:120μA/通道 GBW:3.5MHz 噪声:32nV/√Hz(f= 1kHz)

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    低功耗运算放大器
    型号：WS72042S-8/TR 编号：C717868
    封装：SOP-8
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS72042 是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低功耗特性使该放大器非常适合电池供电和便携式应用。WS72042 的增益带宽积为 29kHz（典型值），且单位增益稳定
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    低噪声运算放大器
    型号：WS72412D-8/TR 编号：C16197379
    封装：DFN2x2-8
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    运算放大器 通道数:2 功耗:1.25mA/通道 GBW:18MHz 噪声:8nV/√Hz(f= 1kHz)

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    N沟道 耐压:30V 电流:14.3A
    型号：WNM3060-6/TR 编号：C2931328
    封装：DFN2x2-6L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM3060是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
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    N沟道 耐压:50V 电流:0.25A
    型号：WNM3019-3/TR 编号：C2931327
    封装：SOT-523
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM3019 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关
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    单向TVS 12V截止 峰值脉冲电流：3.5A@8/20us
    型号：ESD9X12VD-2/TR 编号：C189966
    封装：SOD-923
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD9X12VD是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等。ESD9X12VD根据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±30KV（接触）的ESD瞬态电压；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受8/20us脉冲下高达3.5A的峰值电流。ESD9X12VD采用SOD - 923封装。标准产品无铅且无卤。
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    • 10+

      ￥0.2908

    • 100+

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    • 10000+

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    PNP 电流:3A 电压:30V
    型号：WPT2F30-6/TR 编号：C239544
    封装：SOT-23-6L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WPT2F30是一款具有极低饱和电压的PNP双极型功率晶体管。该器件适用于充电电路及其他电源管理应用。标准产品WPT2F30为无铅产品
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    • 550+

      ￥0.481993

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      ￥0.413136
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    单向TVS 4.5V截止 峰值浪涌电流：95A@8/20us
    型号：ESD5621W04-2/TR 编号：C239608
    封装：SOD-323F
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD5621wXX是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5621wXX可提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具有高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚（8/20μs）
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    • 10+

      ￥0.4256

    • 100+

      ￥0.339

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      ￥0.2957
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    降压型 1A 2.5V~5.5V
    型号：WD1042E-5/TR 编号：C2939857
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WD1042是一款高效、同步降压DC-DC转换器,适用于电池供电的便携式应用。支持高达1.0A的输出电流,输入电压范围为2.5V至5.5V。工作频率为1.5MHz,采用脉宽调制（PWM）和脉冲跳跃调制（PSM）模式,以在轻负载下保持高效率。
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    • 5+

      ￥0.474

    • 50+

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      ￥0.278
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    单向ESD 9V截止 峰值浪涌电流：90A@8/20us
    型号：ESD56181W09-2/TR 编号：C910979
    封装：SOD-323
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD56181WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56181WXX专为保护电源线而设计。ESD56181WXX采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤。
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    • 5+

      ￥0.4775

    • 50+

      ￥0.3719

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      ￥0.2795
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    2.2V 38dB
    型号：WMM7018ABHD0-3/TR 编号：C2937704
    封装：SMD-3P,2.8x1.9mm
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是微型、高性能、低功耗的底部端口硅麦克风，由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的便携式电子设备。采用 2.75mm×1.85mm×0.90mm 的 3 引脚紧凑型封装。
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    • 1+

      ￥1.0849

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    N沟道 耐压:30V 电流:9.6A
    型号：WNM3032-8/TR 编号：C2941863
    封装：SOP-8L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM3032 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    数据手册

    • 1+

      ￥1.5605

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      ￥1.2127

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      ￥1.0637
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    P沟道 耐压:30V 电流:23A
    型号：WPM3035-8/TR 编号：C2941876
    封装：PDFN3333-8L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WPM3035 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    数据手册

    • 1+

      ￥1.8184

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    1.5V~3.6V42dB 停产
    型号：WMM7037ATSN0-4/TR 编号：C2931323
    封装：LGA-4(3x3.8)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是一款微型、高性能、低功耗的顶部端口硅麦克风。由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的电子设备。采用紧凑的3.76mm×2.95mm×1.10mm、4引脚LGA封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.228

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    适用于GNSS接收器的低噪声放大器
    型号：WS7916DE-6/TR 编号：C2939865
    封装：DFN-6(1x1.5)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS7916DE-6/TR 是一款用于GNSS接收器应用的低噪声放大器，采用小型6引脚DFN封装。该器件只需要一个外部电感进行输入匹配，并设计实现低功耗和良好性能。
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      ￥0.2327

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    用于GNSS接收器的低噪声放大器
    型号：WS7916DC-6/TR 编号：C506128
    封装：DFN-6(1x1.5)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS7916DC 是一款适用于 GNSS 接收器应用的低噪声放大器 (LNA)，采用小型 6 引脚 DFN 封装。WS7916DC 仅需一个外部电感进行输入匹配，设计用于实现低功耗和良好性能。
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    • 10+

      ￥0.2941

    • 100+

      ￥0.2317

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      ￥0.2004
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A
    型号：WPM2015-3/TR 编号：C213159
    封装：SOT-23
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    P沟道,-20V-2.4A
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    0.1GHz-5GHzSP4T射频开关
    型号：WS7854QA-9/TR 编号：C2941912
    封装：QFN-9(1.1x1.1)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS7854QA是单刀四掷(SP4T)开关，适用于3G/4G/5G路由和分集应用。高线性性能和低插入损耗使其成为WCDMA/LTE手机和数据卡的理想选择。提供紧凑的QFN1.1x1.1mm²封装。
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    1个P沟道 耐压:12V 电流:1.4A
    型号：WPM1488-3/TR 编号：C239582
    封装：SOT-323
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WPM1488 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
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