韦尔二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：WS7918DC-6/TR 编号：C506086

封装：DFN-6(0.9x1.1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS7918DC 是一种用于GPS接收应用的低噪声放大器，采用小型6引脚DFN封装。该器件只需要一个外部电感进行输入匹配，并设计为实现低功耗和良好性能。

数据手册

10+
￥0.159984 ￥0.3333
100+
￥0.100738 ￥0.2651
300+
￥0.06468 ￥0.231
3000+
￥0.05754 ￥0.2055
6000+
￥0.0518 ￥0.185
9000+
￥0.048944 ￥0.1748

有货

立即购买

型号：WS7872DE-6/TR 编号：C2939864

封装：DFN-6-EP(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS7872DE-6/TR是一个单刀双掷（SPDT）开关，具有高线性性能和低插入损耗，适用于WLAN应用，如802.11a/b/g/n。提供紧凑的无引脚扁平封装（DFN）1.0x1.0mm²。

数据手册

5+
￥0.2809
50+
￥0.2744
150+
￥0.27
500+
￥0.2657

有货

立即购买

型号：WL2810D28-4/TR 编号：C506116

封装：X2-DFN1010-4-EP

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能水平。具有折返最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此电流限制功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。有标准SOT-353封装和DFN1x1-4L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

5+
￥0.4007
50+
￥0.3531
150+
￥0.3293
500+
￥0.3114
2500+
￥0.2971

有货

立即购买

型号：WNM2046B-3/TR 编号：C2941861

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2046B是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.4483
100+
￥0.3571
300+
￥0.3115

有货

立即购买

型号：WS7854QA-9/TR 编号：C2941912

封装：QFN-9(1.1x1.1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS7854QA是单刀四掷(SP4T)开关，适用于3G/4G/5G路由和分集应用。高线性性能和低插入损耗使其成为WCDMA/LTE手机和数据卡的理想选择。提供紧凑的QFN1.1x1.1mm²封装。

数据手册

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143

有货

立即购买

型号：WD3100B-6/TR 编号：C239576

封装：SC-70-6

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款低成本的闪光灯/手电筒LED驱动器，适用于前置摄像头闪光灯和小电流后置摄像头闪光灯应用。集成了一个电流吸收器，以确保在电池电压、LED正向电压、环境温度等条件变化时，LED电流保持恒定。LED电流可以通过连接在RSET引脚和地之间的外部电阻进行调节，也可以通过将RSET引脚直接接地将LED电流设置为默认的200mA。具有闪光超时保护功能，以防止LED灯在异常情况下过热。

数据手册

5+
￥0.5279
50+
￥0.4127
150+
￥0.3551
500+
￥0.3119
3000+
￥0.2773
6000+
￥0.26

订货

我要订货

型号：WS72544S-14/TR 编号：C717857

封装：SOP-14

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72544系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的四路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地，这使得该器件可用于低端电流分流测量

数据手册

5+
￥0.8998
50+
￥0.8797
150+
￥0.8662

有货

立即购买

型号：WMM7018ABHD0-3/TR 编号：C2937704

封装：SMD-3P,2.8x1.9mm

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是微型、高性能、低功耗的底部端口硅麦克风，由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的便携式电子设备。采用 2.75mm×1.85mm×0.90mm 的 3 引脚紧凑型封装。

数据手册

1+
￥1.0849
10+
￥0.94
30+
￥0.8779
100+
￥0.8004
500+
￥0.7659
1000+
￥0.7452

有货

立即购买

型号：WS72632S-8/TR 编号：C16197380

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:2 功耗:0.72mA/通道 GBW:9MHz 噪声:12.5nV/√Hz(f= 1kHz)

5+
￥1.109
50+
￥1.0831
150+
￥1.0658

有货

立即购买

型号：WCM2001-6/TR 编号：C910992

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WCM2001 是一款将 N 沟道和 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管集成于单个封装的产品，适用于 DC - DC 转换器或负载开关应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。标准产品 WCM2001 为无铅产品

数据手册

1+
￥1.5743
10+
￥1.2265
30+
￥1.0775
100+
￥0.8915

有货

立即购买

型号：WS742906S-14/TR 编号：C16197395

封装：SOP-14

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:4 功耗:120μA/通道 GBW:3.5MHz 噪声:32nV/√Hz(f= 1kHz)

5+
￥1.6426
50+
￥1.2898
150+
￥1.1386

有货

立即购买

型号：WS72042S-8/TR 编号：C717868

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72042 是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低功耗特性使该放大器非常适合电池供电和便携式应用。WS72042 的增益带宽积为 29kHz（典型值），且单位增益稳定

数据手册

5+
￥1.8448
50+
￥1.4605
150+
￥1.2958

有货

立即购买

型号：ESD5431N-2/TR 编号：C239673

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5431N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD5431N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5431N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

9600+
￥0.055
9700+
￥0.0528
9800+
￥0.0495
9900+
￥0.0462
10000+
￥0.04235

我要订货

型号：WS7916DE-6/TR 编号：C2939865

封装：DFN-6(1x1.5)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS7916DE-6/TR 是一款用于GNSS接收器应用的低噪声放大器，采用小型6引脚DFN封装。该器件只需要一个外部电感进行输入匹配，并设计实现低功耗和良好性能。

数据手册

10+
￥0.2336
100+
￥0.1842
300+
￥0.1595

有货

立即购买

型号：ESD9X12VD-2/TR 编号：C189966

封装：SOD-923

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9X12VD是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等。ESD9X12VD根据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±30KV（接触）的ESD瞬态电压；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受8/20us脉冲下高达3.5A的峰值电流。ESD9X12VD采用SOD - 923封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.2908
100+
￥0.2272
300+
￥0.1955
1000+
￥0.1716
5000+
￥0.1526
10000+
￥0.143

订货

我要订货

型号：WPM2015-3/TR 编号：C213159

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

P沟道,-20V-2.4A

数据手册

35+
￥0.23452
3000+
￥0.179872

我要订货

型号：WL2820D28-4/TR 编号：C467851

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。可为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供高性价比的性能。具有折返式最大输出电流，其大小取决于输出电压。因此，电流限制既起到短路保护作用，也起到输出电流限制作用。采用标准DFN1x1-4L封装。标准产品无铅、无卤。

数据手册

10+
￥0.35989 ￥0.4234
100+
￥0.252225 ￥0.3363
300+
￥0.19032 ￥0.2928
1000+
￥0.16913 ￥0.2602
5000+
￥0.152165 ￥0.2341
10000+
￥0.14365 ￥0.221

有货

立即购买

型号：WL2803E12-5/TR 编号：C771777

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用

数据手册

10+
￥0.4307
100+
￥0.3371
300+
￥0.2903

有货

立即购买

型号：WS7808QC-14/TR 编号：C506160

封装：QFN-14-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS7808QC是一款单刀八掷(SP8T)开关，包含8个相同的路径和一个GPIO控制器。该器件适用于WCDMA和LTE系统，最高工作频率可达3GHz。它采用紧凑的2.0mmx2.0mmx0.55mmQFN封装。

数据手册

10+
￥0.4353
100+
￥0.3441
300+
￥0.2985

有货

立即购买

型号：WPM5001-3/TR 编号：C2941877

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM5001是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.4483
100+
￥0.3571
300+
￥0.3115
3000+
￥0.2773
6000+
￥0.2499
9000+
￥0.2362

订货

我要订货

型号：SPD82062B-2/TR 编号：C506163

封装：SMB

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD82062B是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。它专为保护|/○接口、VBUS和其他集成电路而设计。

数据手册

5+
￥0.6249
50+
￥0.4953
150+
￥0.4305

有货

立即购买

型号：WD1035DH-8/TR 编号：C2939856

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WD1035DH是一款高效1.5MHz同步降压DC/DC调节器,最大输出电流可达3A,输入电压范围为2.7V至5.5V。该芯片集成了主开关和同步开关,具有低导通电阻,以减少传导损耗。它还提供了过温保护、欠压锁定和输出短路保护功能。

数据手册

5+
￥2.0177
50+
￥1.5641
150+
￥1.3696
500+
￥1.127

有货

立即购买

型号：WS7916DC-6/TR 编号：C506128

封装：DFN-6(1x1.5)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS7916DC 是一款适用于 GNSS 接收器应用的低噪声放大器 (LNA)，采用小型 6 引脚 DFN 封装。WS7916DC 仅需一个外部电感进行输入匹配，设计用于实现低功耗和良好性能。

数据手册

10+
￥0.298
100+
￥0.2356
300+
￥0.2044

有货

立即购买

型号：ESD56201D12-2/TR 编号：C506132

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56201DXX专为保护电源线而设计。ESD56201DXX采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅、无卤。

数据手册

10+
￥0.4718
100+
￥0.3758
300+
￥0.3278

有货

立即购买

型号：ESD5452E-3/TR 编号：C2941811

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5452E是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5452E可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的静电放电保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5452E采用SOT - 23封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

5+
￥0.4965
50+
￥0.3955
150+
￥0.345

有货

立即购买

型号：WAS3157D-6/TR 编号：C2939860

封装：DFN1109-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WAS3157D 是一款高性能单刀双掷（SPDT）CMOS 模拟开关，适用于总线切换或音频切换应用。它的特点是在 -3dB 时带宽高达 400MHz，导通电阻低（典型值为 5.5Ω）。SEL 引脚具备过压保护功能，无论工作电压如何，该引脚可承受高于 VCC 且最高达 7.0V 的电压，而不会损坏器件或影响其正常工作

数据手册

5+
￥0.6553
50+
￥0.518
150+
￥0.4494
500+
￥0.3979

有货

立即购买

型号：WPM2037-6/TR 编号：C399981

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2037 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥0.7655
50+
￥0.6119
150+
￥0.5351

有货

立即购买

型号：ESD56181W12-2/TR 编号：C2939835

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56181WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适合替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56181WXX专为保护电源线而设计。ESD56181WXX采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

5+
￥0.8867
50+
￥0.698
150+
￥0.6037

有货

立即购买

型号：ESD56161D04-3/TR 编号：C506144

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56161D04是一款用于保护电源接口的单向瞬态电压抑制器，适用于取代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56161D04可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV的接触式和空气式静电放电（ESD）保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准（8/20 μs）承受高达250A的峰值脉冲电流。ESD56161D04采用DFN2×2 - 3L封装。标准产品为无铅、无卤产品。

数据手册

1+
￥0.9951
10+
￥0.7734
30+
￥0.6783
100+
￥0.5597

有货

立即购买

型号：WS742128M-10/TR 编号：C717882

封装：MSOP-10

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS742128 是一款适用于机顶盒和高清播放器的集成解决方案，旨在优化音频驱动电路性能，同时通过省去用于降噪的外围分立元件来降低物料清单（BOM）成本。WS742128 具备一个 3Vrms 立体声音频驱动器，其设计允许省去输出交流耦合电容。该产品采用单端输入模式，通过外部增益电阻设置，可实现 ±1V 至 ±10V 的增益范围

数据手册

1+
￥3.34
10+
￥2.69
30+
￥2.37

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示