韦尔二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SPD82062B-2/TR 编号：C506163

封装：SMB

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD82062B是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。它专为保护|/○接口、VBUS和其他集成电路而设计。

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型号：WAS3157D-6/TR 编号：C2939860

封装：DFN1109-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WAS3157D 是一款高性能单刀双掷（SPDT）CMOS 模拟开关，适用于总线切换或音频切换应用。它的特点是在 -3dB 时带宽高达 400MHz，导通电阻低（典型值为 5.5Ω）。SEL 引脚具备过压保护功能，无论工作电压如何，该引脚可承受高于 VCC 且最高达 7.0V 的电压，而不会损坏器件或影响其正常工作

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型号：SPD9231A-2/TR 编号：C2941851

封装：SMA

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD9231A是一种双向TSS（晶闸管浪涌抑制器），可以为IC提供ESD保护。它专门设计用于保护电信设备免受过电压瞬变的损害。SPD9231A可用于满足包括ITU-T K.20、K.21和IEC 61000-4-5在内的各种法规要求。SPD9231A采用SMA封装。标准产品无铅且无卤素。

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型号：WPM2037-6/TR 编号：C399981

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2037 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：WCM2001-6/TR 编号：C910992

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WCM2001 是一款将 N 沟道和 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管集成于单个封装的产品，适用于 DC - DC 转换器或负载开关应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。标准产品 WCM2001 为无铅产品

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型号：WSP6582C-12/TR 编号：C2941902

封装：WLCSP-12B

品牌：WILLSEMI(韦尔)

采用SwitchPro技术，是一款双单刀双掷（SPDT）模拟开关，具有超低失真、高关断隔离度，适用于具有负摆幅音频信号能力的特殊立体声音频应用。在3.3V VCC时，典型导通电阻（Ron）超低，为0.2Ω。可在3.0V至4.5V的宽单电源范围内工作，1.8V逻辑兼容，具有超高电源抑制比（PSRR）。具备软启动功能，可消除在任何应用条件下（如切换、启用/禁用和上电）产生的爆裂声和咔嗒声。凭借卓越的总谐波失真加噪声（THD+N）性能和其他高性能表现，是高保真（Hi-Fi）系统应用的理想选择。采用1.2×1.6×0.5mm的12球晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）。所有产品均无铅且无卤素。

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￥2.4448 ￥7.64
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￥0.6756 ￥5.63
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型号：WS742128M-10/TR 编号：C717882

封装：MSOP-10

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS742128 是一款适用于机顶盒和高清播放器的集成解决方案，旨在优化音频驱动电路性能，同时通过省去用于降噪的外围分立元件来降低物料清单（BOM）成本。WS742128 具备一个 3Vrms 立体声音频驱动器，其设计允许省去输出交流耦合电容。该产品采用单端输入模式，通过外部增益电阻设置，可实现 ±1V 至 ±10V 的增益范围

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型号：WS74199Q-10/TR 编号：C1122367

封装：WQFN-10(1.4x1.8)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS74199系列电压输出型电流分流监测器（也称为电流检测放大器）通常用于过流保护、系统优化的精密电流测量，或用于闭环反馈电路。这些器件采用2.7V至26V单电源供电，最大电源电流为160μA。WS74199采用SOT363和QFN1418 - 10L封装，具备MSL 3级特性

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型号：ESD54151N-2/TR 编号：C506100

封装：DFN1006-2

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD54151N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD54151N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD54151N采用WBFBP - 02C - C封装。标准产品无铅且无卤。

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￥0.22
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型号：WL2808E12-5/TR 编号：C2931310

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能。电流限制器的折返电路还可作为输出引脚的短路保护和输出电流限制器。采用标准SOT-23-5L封装，标准产品无铅、无卤。

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型号：WNMD2176-6/TR 编号：C506239

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNMD2176是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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型号：ESD56181W12-2/TR 编号：C2939835

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56181WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适合替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56181WXX专为保护电源线而设计。ESD56181WXX采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤素。

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型号：ESD56161D04-3/TR 编号：C506144

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56161D04是一款用于保护电源接口的单向瞬态电压抑制器，适用于取代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56161D04可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV的接触式和空气式静电放电（ESD）保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准（8/20 μs）承受高达250A的峰值脉冲电流。ESD56161D04采用DFN2×2 - 3L封装。标准产品为无铅、无卤产品。

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型号：WNM6006-8/TR 编号：C2931331

封装：PDFN5x6-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM6006 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：WL2815D28-4/TR 编号：C506125

封装：X2-DFN1010-4-EP

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2815系列是低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流而优化。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2815系列设计为使用低成本陶瓷电容器，以确保输出电流的稳定性，并提高效率，从而延长这些便携式设备的电池续航时间

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型号：ESD56301D04-2/TR 编号：C2939836

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56301D04是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器。它适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56301D04专为保护电源线而设计。ESD56301D04采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅且无卤。

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￥0.36
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￥0.21392

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型号：WS7808QC-14/TR 编号：C506160

封装：QFN-14-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS7808QC是一款单刀八掷(SP8T)开关，包含8个相同的路径和一个GPIO控制器。该器件适用于WCDMA和LTE系统，最高工作频率可达3GHz。它采用紧凑的2.0mmx2.0mmx0.55mmQFN封装。

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￥0.5541
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￥0.4629
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型号：WNM2096-3/TR 编号：C2931326

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2096是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、功率开关和充电电路

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5+
￥0.5957
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￥0.4709
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￥0.4085
500+
￥0.3617
2500+
￥0.3243
5000+
￥0.3055

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型号：ESD56201D10-2/TR 编号：C506131

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56201DXX专为保护电源线而设计。ESD56201DXX采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.648
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￥0.524
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型号：WAS4768Q-10/TR 编号：C506158

封装：QFN-10(1.8x1.4)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WAS4768Q是一款高性能双刀双掷（DPDT）多路复用器，集成了低失真音频和USB2.0高速（HS）开关通道。这种配置使音频和USB数据能够共享一个公共连接器端口。该架构设计允许音频信号在接地电位以下摆动，这意味着带有USB - C连接器的模拟音频可用于个人媒体播放器和便携式外围设备

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5+
￥1.9035
50+
￥1.4944
150+
￥1.319

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型号：WPM2065A-6/TR 编号：C2941873

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2065A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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1+
￥2.6
10+
￥2.05
30+
￥1.81

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型号：WAS4766C-9/TR 编号：C2931305

封装：WLCSP-9L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一个用于交换耳机连接器上接地和麦克风连接的交叉点开关。接地开关具有超低导通电阻，典型值为60mΩ，以最大限度地减少其两端的电压降，防止耳机接地参考电压意外升高。开关状态通过SEL输入控制。此外，接地检测路径支持准差分放大器架构。当SEL = 高电平时，接地连接到CON2，麦克风连接到SNS1；当SEL = 低电平时，接地连接到CON1，麦克风连接到SNS2。SEL输入上的内部2MΩ下拉电阻设置开关的默认状态。采用WLCSP-9L封装，标准产品无铅且无卤。

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1+
￥2.76
10+
￥2.18
30+
￥1.93

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型号：WPT2N32-6/TR 编号：C239770

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPT2N32 是一款带有 20V N 沟道 MOSFET 的 PNP 双极型功率晶体管。该器件适用于充电电路及其他电源管理应用。标准产品 WPT2N32 为无铅产品

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15+
￥0.635375
20+
￥0.579313
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￥0.52325
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￥0.43125
1000+
￥0.4071

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型号：SPD82581B-2/TR 编号：C506164

封装：SMB

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD82581B可保护敏感电子设备，使其免受电感负载开关和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护输入/输出接口、VCC总线和其他集成电路。

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1+
￥1.0959
10+
￥0.8681
30+
￥0.7705

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型号：WNM3038-8/TR 编号：C2941864

封装：PDFN3333-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3038 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥1.4305
50+
￥1.1331
150+
￥1.0057
500+
￥0.8467
2500+
￥0.7759
5000+
￥0.7334

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型号：WS7918DC-6/TR 编号：C506086

封装：DFN-6(0.9x1.1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS7918DC 是一种用于GPS接收应用的低噪声放大器，采用小型6引脚DFN封装。该器件只需要一个外部电感进行输入匹配，并设计为实现低功耗和良好性能。

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100+
￥0.16875
1000+
￥0.1625
3000+
￥0.15625
6000+
￥0.14375
10000+
￥0.14

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型号：ESDA6V8AV5-5/TR 编号：C268741

封装：SOT-553

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V8AV5是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高级别的保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），这些应用包括手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等。ESDA6V8AV5依据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±8KV（接触）的ESD瞬态电压；依据IEC61000 - 4 - 5标准，能承受8/20us脉冲下高达3A的峰值电流。ESDA6V8AV5采用SOT - 553封装。标准产品无铅且无卤。

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30+
￥0.28704
3000+
￥0.21896

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型号：SPD8811B-2/TR 编号：C2939847

封装：SMB

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD8811B是一种双向TSS（晶闸管浪涌抑制器），可以为IC提供ESD保护。它专门设计用于保护电信设备免受过电压瞬变的损害。SPD8811B可用于使设备满足各种监管要求，包括ITU-T K.20、K.21和IEC 61000-4-5。SPD8811B采用SMB封装。标准产品是无铅和无卤素的。

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3000+
￥0.6095
9000+
￥0.5936

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型号：WS726052M-8/TR 编号：C2943884

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS726052 是一款双路高输出驱动 CMOS 运算放大器，其峰值输出电流为 350mA，采用 2.5V 至 5.5V 单电源供电时具备轨到轨输出能力。该放大器的压摆率高达 6V/μs，增益带宽积（GBP）为 11.5MHz。WS726052 能够驱动典型的耳机负载（32Ω），还可在无线手持设备应用中为射频功率放大器提供偏置

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1+
￥1.67
10+
￥1.4
30+
￥1.26
100+
￥1.13
500+
￥1.05
1000+
￥1

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型号：WL2810D33-4/TR 编号：C506118

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能水平。具有折返最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此电流限制功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。有标准SOT-353封装和DFN1x1-4L封装。标准产品无铅且无卤素。

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