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单向TVS 3.3V截止峰值浪涌电流：9A@8/20us

型号：ESD5Z3V3-2/TR 编号：C239531

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z3V3是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等。ESD5Z3V3依据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±30kV（接触）的ESD瞬态电压；依据IEC61000 - 4 - 5标准，能承受8/20μs脉冲下高达9A的峰值电流。ESD5Z3V3采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1299
200+
￥0.1127
600+
￥0.1032

有货

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双向ESD 3.3V截止

型号：ESD54211N-2/TR 编号：C2941809

封装：WBFBP-02C-C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD54211N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止由ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力。ESD54211N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD54211N采用WBFBP - 02C - C封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.2004
200+
￥0.1561
600+
￥0.1315
2000+
￥0.1167

有货

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N沟道,电流:900mA,耐压:20V

型号：WNM2030A-3/TR 编号：C2931325

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。是无铅产品。

数据手册

20+
￥0.2302
200+
￥0.1908
600+
￥0.1689
2000+
￥0.1558
8000+
￥0.14

有货

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小信号MOSFET 1个N沟道耐压:20V 电流:0.3A

型号：WNM4002-3/TR 编号：C239543

封装：SOT-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4002是N沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于小信号开关。标准产品WNM4002为无铅产品

数据手册

20+
￥0.2493
200+
￥0.1953
600+
￥0.1653
3000+
￥0.1424

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:0.88A

型号：WNM4153-3/TR 编号：C239557

封装：SOT-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4153 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换应用。标准产品 WNM4153 为无铅产品

数据手册

10+
￥0.3058
100+
￥0.2458
300+
￥0.2158

有货

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N沟道耐压:110V 电流:1.45A

型号：WNM4009-3/TR 编号：C2931329

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4009是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥0.312696 ￥0.7272
50+
￥0.210936 ￥0.6392
150+
￥0.138345 ￥0.6015
500+
￥0.127512 ￥0.5544
3000+
￥0.122705 ￥0.5335
6000+
￥0.119807 ￥0.5209

有货

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单向TVS 10V截止峰值浪涌电流：60A@8/20us

型号：ESD5621W10-2/TR 编号：C506168

封装：SOD-323F

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5621wXX是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5621wXX可提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具有高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚（8/20μs）

数据手册

10+
￥0.3927
100+
￥0.3065
300+
￥0.2635

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:3.2A

型号：WPM2081-3/TR 编号：C239550

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2081 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.4108
100+
￥0.3292
300+
￥0.2884

有货

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1个P沟道耐压:12V 电流:3.5A

型号：WPM1483-3/TR 编号：C239762

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM1483 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.4282
100+
￥0.3485
300+
￥0.3087
3000+
￥0.2788

有货

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800mV~5V 300mA 5.5V

型号：WL2811EA-5/TR 编号：C2939855

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比（PSRR）、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2811EA具有折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压

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10+
￥0.5216
100+
￥0.4158
300+
￥0.3629

有货

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TVS 5V截止峰值脉冲电流：43.5A@10/1000us

型号：SPD81052A-2/TR 编号：C506161

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD81052A可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

数据手册

5+
￥0.5404
50+
￥0.4219
150+
￥0.3626
500+
￥0.3181
2500+
￥0.2826

有货

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带精密可调电流限制的过压保护IC

型号：WS3235D-8/TR 编号：C2939858

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3235具备输入和电池过压保护功能，以及精确可调的输出电流限制功能。当输入电压超过输入过压保护（OVP）阈值时，WS3235将关闭内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接。电流限制阈值可通过外部电阻进行编程设置

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1+
￥0.567 ￥1.89
10+
￥0.332 ￥1.66
30+
￥0.156 ￥1.56
100+
￥0.143 ￥1.43
500+
￥0.138 ￥1.38
1000+
￥0.135 ￥1.35

有货

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N沟道耐压:30V 电流:3.1A

型号：WNM3008-3/TR 编号：C2939850

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3008是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.5805
50+
￥0.4701
150+
￥0.4149
500+
￥0.3735

有货

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P沟道耐压:20V 电流:3.6A

型号：WPMD2075-6/TR 编号：C2941878

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPMD2075 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造的双 P 沟道逻辑模式功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路

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5+
￥0.802
50+
￥0.6928
150+
￥0.646
500+
￥0.5876

有货

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100V 1.7A

型号：WNM01N10-3/TR 编号：C506233

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

N-Channel增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.9948
100+
￥0.81
300+
￥0.7308
1000+
￥0.632

有货

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低导通电阻双SPDT负摆幅音频模拟开关

型号：WAS4729QB-10/TR 编号：C506157

封装：QFN-10(1.8x1.4)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WAS4729QB是一款高性能双单刀双掷（SPDT）模拟开关，具备负摆幅音频能力，在3.6V VCC电压下典型导通电阻（Ron）超低，仅为0.8Ω。WAS4729QB的VCC工作电压范围宽广，为2.3V至5.5V，采用先断后通式设计。选择输入与TTL电平兼容

数据手册

5+
￥1.1358
50+
￥0.8918
150+
￥0.7873
500+
￥0.6568

有货

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零温漂运算放大器

型号：WS72552M-8/TR 编号：C717866

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

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5+
￥1.1817
50+
￥1.0274
150+
￥0.9613

有货

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N沟道耐压:20V 电流:1A

型号：WNM2020A-3/TR 编号：C2941859

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2020A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥1.4002
50+
￥1.1029
150+
￥0.9754
500+
￥0.8164

有货

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4 1高速开关

型号：WAS4735Q-16/TR 编号：C2939861

封装：QFN1826-16L(1.8x2.6)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WAS4735Q是一款双向、低功耗、高速的4:1开关，可在+2.3V至+5.5V单电源下工作。WAS4735Q专为手机和消费类应用中的高速（-3dB带宽为1.2GHz）信号切换而设计，这些应用包括手机、数码相机，以及配备集线器或USB I/O有限的控制器的笔记本电脑。

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5+
￥1.4082
50+
￥1.2183
150+
￥1.1369
500+
￥1.0354

有货

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USB Type-C配置通道可翻转适配器

型号：WUSB3801Q-12/TR 编号：C2931342

封装：QFN1616-12L(1.6x1.6)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WUSB3801 是一款低功耗、高效率的 Type-C 配置通道（CC）可翻转适配器芯片。WUSB3801 支持对 USB Type-C 连接器进行通道识别，并能根据芯片设置自动检测不同的电源角色。该芯片符合 USB Type-C 电缆和连接器规范 1.2 版，适用于各种应用场景

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5+
￥1.7857
50+
￥1.4279
150+
￥1.2745
500+
￥1.0832

有货

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单向TVS 5V截止峰值脉冲电流：11A@8/20us

型号：ESD9X5V-2/TR 编号：C239552

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9X5V是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）造成的损坏。ESD9X5V专为在便携式应用（如手机、笔记本电脑、平板电脑和PAD）中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。ESD9X5V基于固态硅技术，与MLV相比，具有独特的电气特性，如钳位电压更低且无器件性能退化问题。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD9X5V可提供高达±30 kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达11A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9X5V采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1295
200+
￥0.1009
600+
￥0.085

有货

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TVS 24V截止峰值脉冲电流：10.3A@10/1000us

型号：SPD81242A-2/TR 编号：C2931910

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD8124A可保护敏感电子设备，使其免受电感负载开关和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

数据手册

5+
￥0.14091 ￥0.4697
50+
￥0.08294 ￥0.4147
150+
￥0.03872 ￥0.3872
500+
￥0.03666 ￥0.3666
2500+
￥0.03501 ￥0.3501
5000+
￥0.03419 ￥0.3419

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:0.3A

型号：WNM7002-3/TR 编号：C506229

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM7002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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20+
￥0.1535
200+
￥0.1178
600+
￥0.098

有货

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单向TVS 7V截止峰值浪涌电流：9.5A@8/20us

型号：ESD5Z7V-2/TR 编号：C239535

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z7V是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到电源线、低速数据线和传输线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌引起的过应力影响。ESD5Z7V可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达9.5A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5Z7V采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1726
200+
￥0.134
600+
￥0.1126

有货

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单向TVS 5V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：ESD5Z5V-2/TR 编号：C239590

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z5V是一款单向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护可能遭受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击的敏感电子元件而设计。由于其封装小、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。ESD5Z5V可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8 A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5Z5V采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1767
200+
￥0.1394
600+
￥0.1187

有货

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双向ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：ESD54231N-2/TR 编号：C2931297

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD54231N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD54231N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD54231N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1793
200+
￥0.1415
600+
￥0.1205

有货

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双向TVS 5V截止峰值浪涌电流：6A@8/20us

型号：ESD5471S-2/TR 编号：C2939833

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5471S是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD5471S可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5471S采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1891
200+
￥0.1497
600+
￥0.1278

有货

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5V 6A@8/20us

型号：ESD5B5V-2/TR 编号：C49295996

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是双向瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的过应力影响。可根据IEC61000-4-2提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000-4-5承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流。采用SOD-523封装，标准产品无铅且无卤。

20+
￥0.2228
200+
￥0.1748
600+
￥0.1481

有货

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N沟道+P沟道耐压:20V 电流:6.5A

型号：WCM4616-8/TR 编号：C2941857

封装：SOP-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WCM4616是一款将N沟道和P沟道增强型MOS场效应晶体管封装于一体的产品，适用于DC-DC转换器或电平转换应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。标准产品WCM4616无铅且无卤

数据手册

1+
￥0.285107 ￥0.9197
10+
￥0.169764 ￥0.8084
30+
￥0.083677 ￥0.7607
100+
￥0.077132 ￥0.7012
500+
￥0.074217 ￥0.6747
1000+
￥0.072468 ￥0.6588

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:0.65A

型号：WPM2031-3/TR 编号：C240201

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2031 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.3246
100+
￥0.2866
300+
￥0.2676

有货

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