韦尔二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：WNM2046-3/TR 编号：C239671

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2046 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.2425
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￥0.1893
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￥0.1627
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￥0.1427

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型号：ESD56371N-2/TR 编号：C2939838

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56371N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线的敏感电子元件而设计，可防止由ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力。ESD56371N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达22A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD56371N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

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10+
￥0.3003
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￥0.2341
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￥0.201
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型号：WNM4009-3/TR 编号：C2931329

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4009是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.356328 ￥0.7272
50+
￥0.249288 ￥0.6392
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￥0.174435 ￥0.6015
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￥0.160776 ￥0.5544
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￥0.154715 ￥0.5335
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型号：WNM2024-3/TR 编号：C239641

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2024 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.4651
50+
￥0.3643
150+
￥0.3139
500+
￥0.2761

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型号：WPT2N41-8/TR 编号：C239620

封装：PDFN-8-EP(2x3)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPT2N41 是一款具有极低饱和电压的 PNP 双极型功率晶体管。该器件适用于标准产品。WPT2N41 为无铅产品

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￥0.5331
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￥0.4216
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￥0.3658
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型号：WNM3018-3/TR 编号：C719462

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3018 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关

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5+
￥0.558194 ￥0.6134
50+
￥0.395766 ￥0.4886
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￥0.302602 ￥0.4262
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￥0.269374 ￥0.3794
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￥0.242749 ￥0.3419
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￥0.229472 ￥0.3232

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型号：ESD73311CZ-2/TR 编号：C2941837

封装：DWN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73311CZ是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73311CZ可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达20A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD73111CZ采用DWN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

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￥0.5868
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￥0.4596
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型号：WL2863E28-5/TR 编号：C2931321

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2863E是一款线性稳压器，能够提供250 mA的输出电流。该器件专为满足射频和模拟电路的要求而设计，具备低噪声、高电源抑制比（PSRR）、低静态电流以及出色的负载/线性瞬态响应特性。该器件设计为搭配1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容使用（无需单独的噪声抑制旁路电容）

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￥0.7487
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型号：WAS4735Q-16/TR 编号：C2939861

封装：QFN1826-16L(1.8x2.6)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WAS4735Q是一款双向、低功耗、高速的4:1开关，可在+2.3V至+5.5V单电源下工作。WAS4735Q专为手机和消费类应用中的高速（-3dB带宽为1.2GHz）信号切换而设计，这些应用包括手机、数码相机，以及配备集线器或USB I/O有限的控制器的笔记本电脑。

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5+
￥1.4614
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￥1.2716
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￥1.0889

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型号：WPM3028-8/TR 编号：C719458

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3028 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥1.6165
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￥1.2826
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型号：WL2834CA-6/TR 编号：C2941882

封装：WLCSP-6L(0.7x1.1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2834CA是一款1 A的低压差线性稳压器（VLDO），配备NMOS通晶体管和独立的偏置电源电压（VBIAS）。该器件可提供非常稳定、精确的输出电压，且噪声低，适用于空间受限、对噪声敏感的应用。为了优化电池供电的便携式应用的性能，WL2834CA具有低静态电流（IQ）消耗的特点

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5+
￥1.6503
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型号：WS74199B-6/TR 编号：C1122366

封装：SOT-363

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS74199系列电压输出型电流分流监测器（也称为电流检测放大器）通常用于过流保护、系统优化的精密电流测量，或用于闭环反馈电路。这些器件采用2.7V至26V单电源供电，最大电源电流为160μA。WS74199采用SOT363和QFN1418 - 10L封装，具备MSL 3级特性

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1+
￥2.74
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￥2.17
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￥1.92
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型号：ESD9X5V-2/TR 编号：C239552

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9X5V是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）造成的损坏。ESD9X5V专为在便携式应用（如手机、笔记本电脑、平板电脑和PAD）中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。ESD9X5V基于固态硅技术，与MLV相比，具有独特的电气特性，如钳位电压更低且无器件性能退化问题。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD9X5V可提供高达±30 kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达11A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9X5V采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1295
200+
￥0.1009
600+
￥0.085

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型号：WPT2F30-6/TR 编号：C239544

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPT2F30是一款具有极低饱和电压的PNP双极型功率晶体管。该器件适用于充电电路及其他电源管理应用。标准产品WPT2F30为无铅产品

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10+
￥0.13616 ￥0.296
100+
￥0.084888 ￥0.2358
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￥0.053482 ￥0.2057
3000+
￥0.047606 ￥0.1831
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￥0.0429 ￥0.165
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型号：SPD81242A-2/TR 编号：C2931910

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD8124A可保护敏感电子设备，使其免受电感负载开关和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

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5+
￥0.14091 ￥0.4697
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￥0.08294 ￥0.4147
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型号：ESD5Z7V-2/TR 编号：C239535

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z7V是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到电源线、低速数据线和传输线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌引起的过应力影响。ESD5Z7V可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达9.5A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5Z7V采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
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￥0.1335
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型号：ESD5471S-2/TR 编号：C2939833

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5471S是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD5471S可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5471S采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
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型号：ESD5B5V-2/TR 编号：C49295996

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是双向瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的过应力影响。可根据IEC61000-4-2提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000-4-5承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流。采用SOD-523封装，标准产品无铅且无卤。

20+
￥0.2228
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￥0.1748
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型号：WNM4002-3/TR 编号：C239543

封装：SOT-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4002是N沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于小信号开关。标准产品WNM4002为无铅产品

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型号：ESD5621W-2/TR 编号：C239553

封装：SOD-323F

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5621wXX是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5621wXX可提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具有高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚（8/20μs）

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￥0.3311
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型号：WCM4616-8/TR 编号：C2941857

封装：SOP-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WCM4616是一款将N沟道和P沟道增强型MOS场效应晶体管封装于一体的产品，适用于DC-DC转换器或电平转换应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。标准产品WCM4616无铅且无卤

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￥0.349486 ￥0.9197
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￥0.226352 ￥0.8084
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￥0.136926 ￥0.7607
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￥0.126216 ￥0.7012
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￥0.121446 ￥0.6747
1000+
￥0.118584 ￥0.6588

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型号：WPM2092A-3/TR 编号：C2941874

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2092A是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3734
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￥0.2918
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￥0.251
1000+
￥0.2204

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型号：WPM2080-3/TR 编号：C2939852

封装：SOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2080 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3836
100+
￥0.3068
300+
￥0.2683

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型号：ESD5621W10-2/TR 编号：C506168

封装：SOD-323F

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5621wXX是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5621wXX可提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具有高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚（8/20μs）

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10+
￥0.402
100+
￥0.3156
300+
￥0.2724

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型号：WL2803E25-5/TR 编号：C719451

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用

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10+
￥0.4746
100+
￥0.3815
300+
￥0.3349

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型号：WNM3008-3/TR 编号：C2939850

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3008是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.527
50+
￥0.4166
150+
￥0.3614
500+
￥0.32
3000+
￥0.2869

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型号：SPD81052A-2/TR 编号：C506161

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD81052A可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

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5+
￥0.5404
50+
￥0.4219
150+
￥0.3626
500+
￥0.3181
2500+
￥0.2826

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型号：WS3235D-8/TR 编号：C2939858

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3235具备输入和电池过压保护功能，以及精确可调的输出电流限制功能。当输入电压超过输入过压保护（OVP）阈值时，WS3235将关闭内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接。电流限制阈值可通过外部电阻进行编程设置

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1+
￥0.6237 ￥1.89
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￥0.3818 ￥1.66
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￥0.2028 ￥1.56
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￥0.1859 ￥1.43
500+
￥0.1794 ￥1.38
1000+
￥0.1755 ￥1.35

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型号：WS4612EBB-5/TR 编号：C42404603

封装：SOT-23-5

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款带有超低导通电阻 P-MOSFET 的高端开关。集成的限流功能可以限制大电容负载的浪涌电流、过载电流和短路电流，以保护电源。还集成了反向保护功能，可消除设备关闭时开关两端的任何反向电流。输出自动放电功能使设备关闭时输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。采用 SOT-23-5L 封装，标准产品无铅和无卤。

5+
￥0.7099
50+
￥0.5639
150+
￥0.4909
500+
￥0.4362

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型号：WPMD2075-6/TR 编号：C2941878

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPMD2075 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造的双 P 沟道逻辑模式功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路

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￥0.802
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￥0.6928
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