韦尔二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：WS72358D-8/TR 编号：C2943885

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

通用运算放大器 WS72358系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合便携式电池供电设备。共模输入范围包括地，使该器件可用于低端电流分流测量。

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5+
￥1.1751
50+
￥0.9379
150+
￥0.8362
500+
￥0.7093

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型号：WS72552M-8/TR 编号：C717866

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

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5+
￥1.1817
50+
￥1.0274
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￥0.9613
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￥0.8788

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型号：WPM1481-6/TR 编号：C239798

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM1481 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥1.1966
50+
￥0.983
150+
￥0.8281
500+
￥0.7003

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型号：WS72551EA-5/TR 编号：C717863

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

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5+
￥1.6717
50+
￥1.3517
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￥1.1197
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￥0.9283

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型号：WMM7027ATHD1-4/TR 编号：C2937715

封装：SMD-4P,2.8x1.9mm

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款微型、高性能、低功耗的顶部端口硅麦克风。由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的电子设备。采用紧凑的2.75mm×1.85mm×0.95mm 4引脚封装。

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1+
￥2.6
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￥2.04
30+
￥1.8
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￥1.49
500+
￥1.36
1000+
￥1.28

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型号：WAS4646C-36/TR 编号：C2941903

封装：CSP-36L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款四数据通道MIPI D-PHY或三数据通道MIPI C-PHY开关。这款单刀双掷（SPDT）开关经过优化，可在两个高速或低功耗MIPI源之间进行切换，专为相关规格设计，允许连接到CSI或DSI模块。

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1+
￥3.07
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￥2.57
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￥2.32
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￥2.08
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￥1.93
1000+
￥1.85

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型号：ESD5451NL-2/TR 编号：C2931298

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5451NL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD5451NL可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±15 kV（接触放电和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达4.0A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5451NL采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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50+
￥0.0589
500+
￥0.0465
1500+
￥0.0396

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型号：WNM6012-3/TR 编号：C2941870

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM6012是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.098736 ￥0.2904
100+
￥0.061536 ￥0.2564
300+
￥0.033516 ￥0.2394
1000+
￥0.031738 ￥0.2267
5000+
￥0.03031 ￥0.2165
10000+
￥0.029596 ￥0.2114

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型号：WL2836D30-4/TR 编号：C506138

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能。具有折返式最大输出电流，其大小取决于输出电压。因此，电流限制功能既可以作为短路保护，也可以作为输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.14265 ￥0.4755
50+
￥0.0838 ￥0.419
150+
￥0.03908 ￥0.3908
500+
￥0.03696 ￥0.3696
2500+
￥0.03527 ￥0.3527
5000+
￥0.03442 ￥0.3442

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型号：ESD54231N-2/TR 编号：C2931297

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD54231N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD54231N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD54231N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1741
200+
￥0.1336
600+
￥0.1111
2000+
￥0.0976

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型号：WNM2030A-3/TR 编号：C2931325

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。是无铅产品。

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20+
￥0.1882
200+
￥0.1488
600+
￥0.1269
2000+
￥0.1138

有货

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型号：ESD9N18BA-2/TR 编号：C719450

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9N18BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD9N18BA可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6.5A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9N18BA采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.2011
200+
￥0.1655
600+
￥0.1457
2000+
￥0.1338

有货

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型号：ESD9N5BL-2/TR 编号：C2931909

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9N5BL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD9N5BL可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达3A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9N5BL采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.2297
200+
￥0.1789
600+
￥0.1507
2000+
￥0.1338

有货

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型号：WNM4153-3/TR 编号：C239557

封装：SOT-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4153 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换应用。标准产品 WNM4153 为无铅产品

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10+
￥0.3021
100+
￥0.2421
300+
￥0.2121
3000+
￥0.1896

有货

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型号：WPM2031-3/TR 编号：C240201

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2031 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3246
100+
￥0.2866
300+
￥0.2676
1000+
￥0.2311

有货

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型号：WL2836D33-4/TR 编号：C2931318

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.3253
100+
￥0.2588
300+
￥0.2256
1000+
￥0.2006

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型号：WL2820D105-4/TR 编号：C2931313

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能水平。具有折返最大输出电流，该电流取决于输出电压。因此，电流限制功能既作为短路保护，也作为输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.3872
50+
￥0.3412
150+
￥0.3182
500+
￥0.3009
2500+
￥0.2871
5000+
￥0.2802

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型号：WNM3003-3/TR 编号：C239653

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3003是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换和功率开关应用

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5+
￥0.4836
50+
￥0.3769
150+
￥0.3236

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型号：ESD5B5VL-2/TR 编号：C506103

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5B5VL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专门用于保护可能遭受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变脉冲群）和雷击的敏感电子元件。由于其封装小、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。ESD5B5VL可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±8kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达3.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5B5VL采用SOD - 523封装。标准产品无铅、无卤。

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10+
￥0.5398
100+
￥0.4434
300+
￥0.3736
1000+
￥0.3159

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型号：WS4603E-5/TR 编号：C239793

封装：TSOT-25

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS4603 是一款采用超低导通电阻 P 沟道 MOSFET 的高端开关。集成的限流功能可对大容性负载的浪涌电流、过载电流和短路电流进行限制，从而保护电源。WS4603 还集成了反向保护功能，可在器件关断时消除开关两端的任何反向电流

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5+
￥0.7688
50+
￥0.5944
150+
￥0.5072
500+
￥0.4418

有货

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型号：WS72358M-8/TR 编号：C717850

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72358系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地电平，这使得该器件可用于低端电流分流测量

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5+
￥0.8706
50+
￥0.6882
150+
￥0.597
500+
￥0.5286
2500+
￥0.4739

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型号：WS3222D-8/TR 编号：C239703

封装：WDFN-8-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3222是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压可调。当任何输入电压超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。当OVLO输入设置低于外部OVLO选择电压时，WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压

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5+
￥1.7134
50+
￥1.3526
150+
￥1.198
500+
￥1.005

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型号：WNM6006-8/TR 编号：C2931331

封装：PDFN5x6-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM6006 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

1+
￥1.7544 ￥5.16
10+
￥1.1232 ￥4.68
30+
￥0.6188 ￥4.42
100+
￥0.5768 ￥4.12
500+
￥0.5586 ￥3.99
1000+
￥0.5502 ￥3.93

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型号：WAS7227Q-10/TR 编号：C213170

封装：WQFN-10(1.4x1.8)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WAS7227Q是一款高性能的双刀双掷（DPDT）CMOS模拟开关，可在+2.5V至+5.5V的单电源下工作。WAS7227Q专为手机和消费类应用中的高速USB2.0信号切换而设计，这些应用包括手机、数码相机以及配备集线器或USB输入/输出有限的控制器的笔记本电脑。

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5+
￥1.8366
50+
￥1.4926
150+
￥1.2432
500+
￥1.0375

有货

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型号：WS72552S-8/TR 编号：C717865

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

数据手册

1+
￥2.44
10+
￥2.15
30+
￥2.02
100+
￥1.86
500+
￥1.79
1000+
￥1.74

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型号：ESD5Z3V3-2/TR 编号：C239531

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z3V3是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等。ESD5Z3V3依据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±30kV（接触）的ESD瞬态电压；依据IEC61000 - 4 - 5标准，能承受8/20μs脉冲下高达9A的峰值电流。ESD5Z3V3采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1299
200+
￥0.1127
600+
￥0.1032

有货

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型号：WPT2F06-3/TR 编号：C501343

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

适用于通用放大器应用。标准产品无铅、无卤。

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20+
￥0.133152 ￥0.1752
200+
￥0.090684 ￥0.1374
600+
￥0.065184 ￥0.1164
3000+
￥0.058128 ￥0.1038
9000+
￥0.052024 ￥0.0929
21000+
￥0.04872 ￥0.087

有货

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型号：ESD5Z5V-2/TR 编号：C239590

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z5V是一款单向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护可能遭受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击的敏感电子元件而设计。由于其封装小、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。ESD5Z5V可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8 A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5Z5V采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1767
200+
￥0.1394
600+
￥0.1187

有货

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型号：WNM5002-3/TR 编号：C2931330

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM5002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于小信号开关

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20+
￥0.1789
200+
￥0.1384
600+
￥0.1159

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型号：ESD54211N-2/TR 编号：C2941809

封装：WBFBP-02C-C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD54211N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止由ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力。ESD54211N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD54211N采用WBFBP - 02C - C封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.2004
200+
￥0.1561
600+
￥0.1315
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