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双向TVS 5V截止峰值脉冲电流：8A@8/20us

型号：ESD5451Z-2/TR 编号：C239581

封装：DFN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5451Z是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5451Z可提供高达±30kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达8A（8/20μs）的峰值脉冲电流

数据手册

50+
￥0.0854
500+
￥0.0656
1500+
￥0.0545

有货

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双向TVS 3.3V截止

型号：ESD5431Z-2/TR 编号：C719434

封装：DFN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5431Z是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD5431Z可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5431Z采用DFN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1202
200+
￥0.0923
600+
￥0.0767
2000+
￥0.0674

有货

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单向TVS 5V截止峰值浪涌电流：10A@8/20us

型号：ESD9N5V-2/TR 编号：C239549

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9N5V是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护可能遭受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击的敏感电子元件。由于其封装小巧、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用

数据手册

20+
￥0.1443
200+
￥0.113
600+
￥0.0956
2000+
￥0.0851

有货

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单向TVS 24V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：ESD5401N-2/TR 编号：C239693

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5401N是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5401N可提供高达±30kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能够承受高达8A（8/20μs）的峰值脉冲电流。

数据手册

20+
￥0.1788
200+
￥0.1367
600+
￥0.1133
2000+
￥0.0992

有货

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单向TVS 5.5V截止峰值浪涌电流：40A@8/20us

型号：ESD56281N05-2/TR 编号：C5140547

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56281NXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56281NXX专为保护USB端口和电源线而设计。ESD56281NXX采用DFN1006-2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283
2000+
￥0.1139

有货

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小信号MOSFET 1个N沟道耐压:50V 电流:0.25A

型号：WNM3013-3/TR 编号：C239659

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3013 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关

数据手册

20+
￥0.222
200+
￥0.175
600+
￥0.1489

有货

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P沟道耐压:30V 电流:0.57A

型号：WPM3027-3/TR 编号：C240195

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3027 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.2365
200+
￥0.1842
600+
￥0.1552
2000+
￥0.1378

有货

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停产 1.8V 300mA 5.5V

型号：WL2820D18-4/TR 编号：C506109

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该产品在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能水平。具有折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压。因此，电流限制功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.2865
100+
￥0.2264
300+
￥0.1964
1000+
￥0.1739
5000+
￥0.1559

有货

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单向ESD 4.85V截止峰值浪涌电流：180A@8/20us

型号：ESD56301D04-2/TR 编号：C2939836

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56301D04是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器。它适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56301D04专为保护电源线而设计。ESD56301D04采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.4004
100+
￥0.3121
300+
￥0.268
1000+
￥0.2348

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:0.23A

型号：WNM3025-3/TR 编号：C240200

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3025 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥0.4417
50+
￥0.3456
150+
￥0.2975
500+
￥0.2615
2500+
￥0.2327
5000+
￥0.2182

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.6A

型号：WPM3401-3/TR 编号：C506235

封装：SOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3401 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路

数据手册

5+
￥0.5134
50+
￥0.3996
150+
￥0.3428
500+
￥0.3001

有货

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通用运算放大器

型号：WS72324S-14/TR 编号：C717851

封装：SOP-14

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72324系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的四路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地电位，这使得该器件可用于低端电流分流测量

数据手册

1+
￥0.5816 ￥1.454
10+
￥0.38265 ￥1.2755
30+
￥0.2398 ￥1.199
100+
￥0.2207 ￥1.1035
500+
￥0.2122 ￥1.061
1000+
￥0.2071 ￥1.0355

有货

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1.8V 500mA 5.5V

型号：WL2803E18-5/TR 编号：C467850

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用

数据手册

10+
￥0.7133
100+
￥0.5859
300+
￥0.4936
1000+
￥0.4175

有货

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高压通用运算放大器

型号：WS742905M-8/TR 编号：C717881

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS742905由双通道独立、高增益、内部频率补偿运算放大器组成，专为在宽电压范围内采用单电源供电而设计。这些器件在与数字系统的接口电路中特别有用，并且可以由单一的5V直流电源供电。WS742905提供8引脚SOP和MSOP封装

数据手册

5+
￥0.83376 ￥1.3896
50+
￥0.5489 ￥1.0978
150+
￥0.38908 ￥0.9727
500+
￥0.32668 ￥0.8167
2500+
￥0.29888 ￥0.7472
4000+
￥0.2822 ￥0.7055

有货

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WS3202E61-6/TR

型号：WS3202E61-6/TR 编号：C191359

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3202E 是一款过压保护（OVP）和过流保护（OCP）器件。当输入电压或输入电流超过阈值时，该器件将关断内部 MOSFET，断开输入与输出的连接，以保护负载。过温保护（OTP）功能可监测芯片温度，以保护器件

数据手册

5+
￥1.0827
50+
￥0.8393
150+
￥0.7349
500+
￥0.6048
3000+
￥0.5468

有货

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零温漂运算放大器

型号：WS72551E-5/TR 编号：C717864

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

数据手册

5+
￥1.1103
50+
￥0.8997
150+
￥0.8094

有货

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微功耗运算放大器

型号：WS72324Q-16/TR 编号：C16197394

封装：QFN3x3-16

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:4 功耗:48μA/通道 GBW:1.5MHz 噪声:30nV/√Hz(f= 1kHz)

5+
￥1.3699
50+
￥1.062
150+
￥0.93
500+
￥0.7654

有货

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N沟道耐压:20V 电流:800mA

型号：WNM2046E-3/TR 编号：C2939849

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2046E 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.1709
200+
￥0.1331
600+
￥0.1121
2000+
￥0.0996

有货

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单向TVS 7V截止峰值脉冲电流：9.5A@8/20us

型号：ESD9X7V-2/TR 编号：C189965

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9X7V是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用（如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等）中的多层压敏电阻（MLV）。ESD9X7V根据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±30kV（接触）的ESD瞬态电压；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受8/20μs脉冲下高达9.5A的峰值电流。ESD9X7V采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1905
200+
￥0.1565
600+
￥0.1319
2000+
￥0.1115

有货

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双向TVS 5V截止峰值脉冲电流：9A@8/20us

型号：ESD9NS5V-3/TR 编号：C239768

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9NS5V是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高级别的保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），如手机、笔记本电脑、个人数字助理（PDA）、机顶盒（STB）、液晶电视（LCD TV）等。ESD9NS5V依据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±30 kV（接触）的ESD瞬态电压；依据IEC61000 - 4 - 5标准，对于8/20 μs脉冲，可承受高达9A的峰值电流。ESD9NS5V采用DFN1006 - 3L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.2073
200+
￥0.1641
600+
￥0.1401
2000+
￥0.1257
10000+
￥0.1132

有货

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3V 5.5V

型号：WL2815D30-4/TR 编号：C411886

封装：UDFN-4-EP(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是低压差线性稳压器，针对电池供电系统进行了优化，可提供低静态电流的高性能解决方案。适用于手机、笔记本电脑和其他便携式设备。采用低成本陶瓷电容器，确保输出电流的稳定性，提高效率，延长便携式设备的电池寿命。采用DFN1x1-4L封装，标准产品为无铅和无卤产品。

数据手册

10+
￥0.2758
100+
￥0.2394
300+
￥0.2212
1000+
￥0.2075
5000+
￥0.1966

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:0.9A

型号：WNM2020-3/TR 编号：C239545

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2020 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.3362
200+
￥0.2762
600+
￥0.2327
2000+
￥0.1968

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:0.54A

型号：WNM2077-3/TR 编号：C239779

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2077是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.3563
200+
￥0.2927
600+
￥0.2466
2000+
￥0.2085

有货

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3.3V 300mA 5.5V

型号：WL2815D33-4/TR 编号：C506126

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2815系列是低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流而优化。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2815系列设计为使用低成本陶瓷电容器，以确保输出电流的稳定性，并提高效率，从而延长这些便携式设备的电池续航时间

数据手册

10+
￥0.4956
100+
￥0.439
300+
￥0.4107
1000+
￥0.3895

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:3.2A

型号：WPM2026-3/TR 编号：C167137

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

P沟道，-20V，-3.2A

数据手册

10+
￥0.6669
100+
￥0.5389
300+
￥0.4461
1000+
￥0.3696

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:3.1A

型号：WPM3012-3/TR 编号：C239638

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3012 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下可实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥0.6945
50+
￥0.5705
150+
￥0.4806
500+
￥0.4064
2500+
￥0.3938

有货

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高压通用运算放大器

型号：WS742904M-8/TR 编号：C717879

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS742904由双通道独立、高增益、内部频率补偿运算放大器组成，专为在宽电压范围内的单电源下工作而设计。这些器件在与数字系统的接口电路中特别有用，可由单一的5VDC通用电源供电。WS742904提供8引脚SOP和MSOP封装

数据手册

5+
￥0.7064
50+
￥0.6102
150+
￥0.569
500+
￥0.5176
2500+
￥0.4947

有货

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超低导通电阻、限流型功率分配开关

型号：WS4612EAA-5/TR 编号：C719418

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款带有超低导通电阻P-MOSFET的高端开关。集成的限流功能可以限制大电容负载的浪涌电流、过载电流和短路电流，以保护电源。还集成了反向保护功能，可消除设备关闭时开关两端的任何反向电流。输出自动放电功能使设备关闭时输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。采用SOT-23-5L封装。标准产品无铅、无卤。

数据手册

5+
￥0.7308
50+
￥0.5916
150+
￥0.522
500+
￥0.4698
3000+
￥0.4106

有货

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100V 1.7A

型号：WNM01N10-3/TR 编号：C506233

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

N-Channel增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.9948
100+
￥0.81
300+
￥0.7308
1000+
￥0.632

有货

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微功耗运算放大器

型号：WS72321D-4/TR 编号：C16197393

封装：DFN1x1-4

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:1 功耗:48μA GBW:1.5MHz 噪声:30nV/√Hz(f= 1kHz)

5+
￥1.0267
50+
￥0.7999
150+
￥0.7027

有货

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