韦尔二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ESD56201D12-2/TR 编号：C506132

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56201DXX专为保护电源线而设计。ESD56201DXX采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅、无卤。

数据手册

10+
￥0.4333
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￥0.3373
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￥0.2893
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￥0.2533
5000+
￥0.2245

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型号：ESD56051N-2/TR 编号：C2941817

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56051N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD56051N可提供高达±30kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达55A（8/20μs）的峰值脉冲电流

5+
￥0.6488
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￥0.5168
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￥0.4508
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￥0.4013
2500+
￥0.3617
5000+
￥0.3419

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型号：WL28631D28-4/TR 编号：C52993369

封装：DFN-4L(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

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￥0.6886
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￥0.547
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￥0.4762
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￥0.4231
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￥0.3807
5000+
￥0.3594

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型号：WPM1481-6/TR 编号：C239798

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM1481 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

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￥1.1966
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￥0.983
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￥0.8281
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￥0.7003
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￥0.6785
5000+
￥0.6678

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型号：WS72324Q-16/TR 编号：C16197394

封装：QFN3x3-16

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:4 功耗:48μA/通道 GBW:1.5MHz 噪声:30nV/√Hz(f= 1kHz)

5+
￥1.2943
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￥1.002
150+
￥0.8767
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￥0.7204
3000+
￥0.6508

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型号：WMM7027ATHD1-4/TR 编号：C2937715

封装：SMD-4P,2.8x1.9mm

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款微型、高性能、低功耗的顶部端口硅麦克风。由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的电子设备。采用紧凑的2.75mm×1.85mm×0.95mm 4引脚封装。

数据手册

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￥2.45
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￥1.92
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￥1.69
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￥1.4
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￥1.28
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￥1.2

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型号：WS726055D-10/TR 编号：C16197389

封装：DFN2x2-10

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:2 功耗:0.83mA/通道 GBW:11.5MHz 噪声:40nV/√Hz(f= 1kHz) 带使能控制

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￥3.97
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￥2.81
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￥2.43
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￥2.2
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￥2.08

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型号：ESD56371N-2/TR 编号：C2939838

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56371N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线的敏感电子元件而设计，可防止由ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力。ESD56371N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达22A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD56371N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

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10+
￥0.3003
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￥0.2341
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￥0.201
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￥0.1761
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￥0.1563
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￥0.1463

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型号：WNM2046C-3/TR 编号：C506106

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2046C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.5238
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￥0.4345
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￥0.3899
1000+
￥0.3564
5000+
￥0.3296

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型号：WPM3033-8/TR 编号：C2931333

封装：PDFN3x3-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3033 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥3.03
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￥2.37
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￥2.09
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￥1.74
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￥1.58
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￥1.49

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型号：WNM2020-3/TR 编号：C239545

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2020 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.3362
200+
￥0.2762
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￥0.2327
2000+
￥0.1968

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型号：WNM2016A-3/TR 编号：C601105

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2016A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.4217
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￥0.3464
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￥0.2918
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￥0.2468
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￥0.2391

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型号：ESD56101D05-2/TR 编号：C240202

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56101DXX 是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56101DXX 专为保护电源线而设计。ESD56101DXX 采用 DFN1610-2L 封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.4446
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￥0.3085
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￥0.2745
5000+
￥0.214

有货

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型号：ESD56011N-2/TR 编号：C2941816

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

5+
￥0.457
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￥0.2226

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型号：WPM3401-3/TR 编号：C506235

封装：SOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3401 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路

数据手册

5+
￥0.5181
50+
￥0.4044
150+
￥0.3475
500+
￥0.3048
3000+
￥0.2707

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型号：WS4601E-5/TR 编号：C213171

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS4601是一款采用超低导通电阻P沟道MOSFET的高端开关。集成的限流功能可对大容性负载的浪涌电流、过载电流和短路电流进行限制，从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能，可在器件关断时消除开关两端的任何反向电流

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5+
￥1.2547
50+
￥1.0307
150+
￥0.8683
500+
￥0.7343
2500+
￥0.7114
5000+
￥0.7002

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型号：WMM7037AT2-4/TR 编号：C140705

封装：LGA-4(3x3.8)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款微型、高性能、低功耗的顶部端口硅麦克风。由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的便携式电子设备。采用紧凑的3.76mm × 2.95mm × 1.10mm、4引脚LGA封装。

数据手册

5+
￥2.2438
50+
￥1.7393
150+
￥1.5231
500+
￥1.2533
2500+
￥1.1332
5000+
￥1.0611

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型号：WS72052M-8/TR 编号：C16197390

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:2 功耗:3.6mA/通道 GBW:180MHz 噪声:7nV/√Hz(f= 1MHz)

1+
￥4.19
10+
￥3.38
30+
￥2.97
100+
￥2.56
500+
￥2.32
1000+
￥2.2

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型号：WNM3013-3/TR 编号：C239659

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3013 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关

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20+
￥0.2344
200+
￥0.1871
600+
￥0.1608
2000+
￥0.145

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型号：WNM2046-3/TR 编号：C239671

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2046 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.2417
100+
￥0.1937
300+
￥0.1697
1000+
￥0.1517
5000+
￥0.1373
10000+
￥0.1301

有货

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型号：WS72551M-8/TR 编号：C717862

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

数据手册

5+
￥0.72275 ￥1.475
50+
￥0.502359 ￥1.2881
150+
￥0.35032 ￥1.208
500+
￥0.321349 ￥1.1081
2500+
￥0.308444 ￥1.0636
4000+
￥0.300701 ￥1.0369

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型号：WS72042M-8/TR 编号：C717869

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72042 是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低功耗特性使该放大器非常适合电池供电和便携式应用。WS72042 的增益带宽积为 29kHz（典型值），且单位增益稳定

数据手册

5+
￥1.050456 ￥1.5224
50+
￥0.787945 ￥1.3355
150+
￥0.615146 ￥1.2554
500+
￥0.566146 ￥1.1554
2500+
￥0.544341 ￥1.1109
4000+
￥0.531258 ￥1.0842

有货

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型号：WS72551EA-5/TR 编号：C717863

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

数据手册

5+
￥1.6717
50+
￥1.3517
150+
￥1.1197
500+
￥0.9283

有货

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型号：WPM3027-3/TR 编号：C240195

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3027 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.2433
200+
￥0.192
600+
￥0.1635
2000+
￥0.1464

有货

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型号：WNM2077-3/TR 编号：C239779

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2077是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.3563
200+
￥0.2927
600+
￥0.2466
2000+
￥0.2085

有货

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型号：WL2836D12-4/TR 编号：C2931315

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.3613
100+
￥0.2816
300+
￥0.2417
1000+
￥0.2119
5000+
￥0.188

有货

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型号：ESD56131W-2/TR 编号：C239548

封装：SOD-323F

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56131W是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到电源线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件因静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力损坏。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD56131W可提供高达±30kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具备高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚

数据手册

10+
￥0.3809
100+
￥0.3129
300+
￥0.2636
1000+
￥0.2229
5000+
￥0.216

有货

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型号：WS4612EBB-5/TR 编号：C42404603

封装：SOT-23-5

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款带有超低导通电阻 P-MOSFET 的高端开关。集成的限流功能可以限制大电容负载的浪涌电流、过载电流和短路电流，以保护电源。还集成了反向保护功能，可消除设备关闭时开关两端的任何反向电流。输出自动放电功能使设备关闭时输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。采用 SOT-23-5L 封装，标准产品无铅和无卤。

5+
￥0.7229
50+
￥0.5743
150+
￥0.5
500+
￥0.4442
3000+
￥0.3996

有货

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型号：WS72551E-5/TR 编号：C717864

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

数据手册

5+
￥1.1103
50+
￥0.8997
150+
￥0.8094
500+
￥0.6967

有货

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型号：WS742133H-14/TR 编号：C717883

封装：TSSOP-14

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS742133是一款适用于机顶盒和高清播放器的集成解决方案，旨在优化音频驱动电路性能，同时通过省去用于降噪的外围分立元件来降低物料清单（BOM）成本。它具备一个3Vrms立体声音频驱动器，该驱动器的设计可省去输出交流耦合电容。采用差分输入模式，通过外部增益电阻设置可实现±1至±10的增益范围

数据手册

5+
￥1.1318
50+
￥0.8801
150+
￥0.7722
500+
￥0.6376
2500+
￥0.575

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