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价格(含税)

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单向TVS 3.3V 5.5V截止峰值浪涌电流：10A@8/20us

型号：ESD5485E-6/TR 编号：C2941815

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5485E是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5485E集成了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5485E可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 4标准，可承受高达40A（5/50ns）的峰值脉冲电流；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达10A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5485E采用SOT - 23 - 6L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

5+
￥0.8257
50+
￥0.6577
150+
￥0.5737
500+
￥0.5107
3000+
￥0.4603
6000+
￥0.4351

订货

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1000mA单节锂离子电池充电器

型号：WS4508S-8/TR 编号：C506088

封装：ESOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS4508S 是一款完整的单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器。无需外部检测电阻，且由于采用内部 MOSFET 架构，也无需阻塞二极管。热反馈可调节充电电流，以在高功率运行或高环境温度期间限制管芯温度

数据手册

5+
￥1.2723
50+
￥1.0051
150+
￥0.8906

有货

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P沟道耐压:20V 电流:3A

型号：WPM2006-6/TR 编号：C167136

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

带肖特基二极管

数据手册

5+
￥0.5453
50+
￥0.4311
150+
￥0.374

有货

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单向TVS 10V截止峰值浪涌电流：170A@8/20us

型号：ESD5641D10-3/TR 编号：C910980

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅、无卤。

数据手册

3000+
￥0.322
6000+
￥0.32085
9000+
￥0.31136

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双向TVS 3.3V截止峰值浪涌电流：25A@8/20us

型号：SPD91011W-2/TR 编号：C2939843

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD91011W是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的过应力影响。SPD91011W集成了低电容转向二极管，可将每线路的典型电容降至1.5pF。根据IEC61000 - 4 - 2标准，SPD91011W可提供高达±30kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达25A（8/20μs）的峰值脉冲电流。SPD91011W采用SOD - 323封装。标准产品无铅、无卤素。

数据手册

100+
￥0.3105
1000+
￥0.299
3000+
￥0.2875
6000+
￥0.2645
10000+
￥0.2576

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单向ESD 24V截止峰值浪涌电流：120A@8/20us

型号：ESD56241D24-3/TR 编号：C2931301

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56241DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56241DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD56241DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

3000+
￥0.4071
6000+
￥0.40595
9000+
￥0.39424

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单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：10A@8/20us

型号：ESD53101N-2/TR 编号：C2941807

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD53101N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD53101N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD53101N可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD53101N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.4668
100+
￥0.3756
300+
￥0.33
1000+
￥0.2958
5000+
￥0.2684
10000+
￥0.2547

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双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：5.5A@8/20us

型号：ESD73251CZ-2/TR 编号：C2939841

封装：DWN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73251CZ是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73251CZ集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73251CZ可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73251CZ采用DWN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

5+
￥0.8493
50+
￥0.6765
150+
￥0.5901
500+
￥0.5253
2500+
￥0.4734
5000+
￥0.4475

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低噪声运算放大器

型号：WS72412S-8/TR 编号：C717875

封装：SOIC-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72412是一款低功耗、轨到轨输入输出运算放大器，具有低电流噪声、高转换速率和宽信号带宽的特点。低噪声、低输入偏置电流、高速和内置EMI滤波器的特性组合，使这款放大器适用于各种应用场景。滤波器、积分器、光电二极管放大器和高阻抗传感器都能从这些性能特点的组合中受益

数据手册

1+
￥13.27
10+
￥11.28
30+
￥10.03
100+
￥8.75
500+
￥8.17
1000+
￥7.93

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1个P沟道耐压:20V 电流:2.7A

型号：WPM2005B-8/TR 编号：C239564

封装：DFN-8L(1.7x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：具有MOSFET和肖特基二极管。每个器件独立引脚，便于电路设计。超低正向压降（VF）肖特基二极管。应用：锂离子电池充电。高端直流-直流转换电路

数据手册

240+
￥1.126574
500+
￥0.909924
1000+
￥0.779935

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单向TVS 5V截止峰值脉冲电流：16A@8/20us

型号：ESDA6V1-5W6-6/TR 编号：C167128

封装：SOT-363

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V1-5W6阵列是一款5通道ESD瞬态电压抑制器，可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高级别的保护。对于正瞬态，这些器件将电压钳位在逻辑电平电源之上；对于负瞬态，将电压钳位在地电平以下一个二极管压降。ESDA6V1-5W6可安全消散±20 kV的ESD冲击，超过了IEC 61000-4-2国际标准的最高要求。按照MILSTD-883（方法3015）人体模型（HBM）ESD规范，该器件可对大于±20 kV的接触放电提供保护。ESDA6V1-5W6采用SOT-363封装，工作电压为5 V。

数据手册

5+
￥0.4718
50+
￥0.3758
150+
￥0.3278
500+
￥0.2918
3000+
￥0.2605

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单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：6A@8/20us

型号：ESD5305FB-6/TR 编号：C2939828

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5305FB是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5305FB集成了四对低电容导向二极管和一个TVS二极管

数据手册

3000+
￥0.342
6000+
￥0.3363
12000+
￥0.32775
24000+
￥0.3135

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停产单向TVS 5V截止峰值浪涌电流：1.6A

型号：ESDA6V8AV6-6/TR 编号：C134180

封装：SOT-563

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V8AV6阵列是一款5线ESD瞬态电压抑制器，可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。对于正瞬态，这些器件将电压钳位在逻辑电平电源略上方；对于负瞬态，将电压钳位至低于地电位一个二极管压降。ESDA6V8AV6可安全消散±20kV的ESD冲击，超过了IEC 61000 - 4 - 2国际标准的最高要求

数据手册

2+
￥0.7445
20+
￥0.6074
60+
￥0.508
200+
￥0.426
1000+
￥0.412
2000+
￥0.4051

订货

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双向TVS 5V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：ESD5451N-2/TR 编号：C239604

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5451N是一款双向式瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5451N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的静电放电保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5451N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品不含铅和卤素。

数据手册

50+
￥0.0836
500+
￥0.0661
1500+
￥0.0583
10000+
￥0.0524
20000+
￥0.0501
50000+
￥0.0485

有货

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双向TVS 5V截止峰值浪涌电流：8A@8/20us

型号：ESD5451X-2/TR 编号：C239558

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5451X是一款双向TVS（瞬态电压抑制器），专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD5451X可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

50+
￥0.0977
500+
￥0.0784
1500+
￥0.0677
10000+
￥0.0581
20000+
￥0.0526
50000+
￥0.0495

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:0.3A

型号：WNM6002-3/TR 编号：C501342

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM66002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.2142
200+
￥0.1743
600+
￥0.1521
3000+
￥0.1388
9000+
￥0.1272
21000+
￥0.121

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:0.89A

型号：WNM2021-3/TR 编号：C239556

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2021 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.5595
100+
￥0.4596
300+
￥0.3872
1000+
￥0.3275
5000+
￥0.3173
10000+
￥0.3123

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.4A

型号：WPM3407-3/TR 编号：C167139

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

P沟道，-30V，-4.4A

数据手册

5+
￥0.7916
50+
￥0.6503
150+
￥0.5478
500+
￥0.4633
2500+
￥0.4489
5000+
￥0.4418

有货

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双向TVS 5V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：ESD9B5VL-2/TR 编号：C239683

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9B5VL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD9B5VL可提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达3A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.2771
200+
￥0.228
600+
￥0.2035
2000+
￥0.185

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4.3A

型号：WPM2341-3/TR 编号：C167138

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

P沟道，-20V，-4.3A

数据手册

10+
￥0.4374
100+
￥0.3633
300+
￥0.3262
3000+
￥0.2984
6000+
￥0.2762
9000+
￥0.265

有货

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3.3V 500mA 5.5V

型号：WL2803E33-5/TR 编号：C192928

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是超低压降、低静态电流、高电源抑制比 (PSRR) 的 CMOS 低压差线性稳压器 (LDO)。在 500mA 负载电流下，压差典型值为 130mV。采用 CMOS 结构，在整个输入电压范围内，静态电流典型值为 150uA，适用于需要高输出电流的消费和网络应用。输出电压范围为 1.2V 至 3.3V，步长为 0.1V。具备热关断 (OTP) 和限流功能，以确保芯片和电源系统在异常情况下的稳定性，并采用微调技术保证输出电压精度在 ±2% 以内。采用 SOT-23-5L 封装，标准产品无铅、无卤。

数据手册

10+
￥0.7278
100+
￥0.5979
300+
￥0.5037
1000+
￥0.426
5000+
￥0.4127

有货

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单向TVS 4.85V截止峰值脉冲电流：120A@8/20us

型号：ESD56201D04-2/TR 编号：C399980

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56201DXX专为保护电源线而设计。ESD56201DXX采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅、无卤。

数据手册

5+
￥0.4954
50+
￥0.3946
150+
￥0.3442
500+
￥0.3064
2500+
￥0.2762
5000+
￥0.2611

有货

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电流检测放大器

型号：WS74285M-8/TR 编号：C16197400

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器失调电压:70μV(Max) 增益误差:0.1%(Max)

1+
￥5.99
10+
￥4.82
30+
￥4.24
100+
￥3.66
500+
￥3.32
1000+
￥3.14

有货

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双向TVS 4.5V截止峰值脉冲电流：35A@8/20us

型号：ESD5651N-2/TR 编号：C239784

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5651N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线的敏感电子元件而设计，可防止其受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD5651N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达35A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5651N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

20+
￥0.1992
200+
￥0.1611
600+
￥0.1334
2000+
￥0.1107
10000+
￥0.1068

有货

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单向ESD 15V截止峰值浪涌电流：60A@8/20us

型号：ESD56201D15-2/TR 编号：C506133

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56201DXX专为保护电源线而设计。ESD56201DXX采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.3955
100+
￥0.3083
300+
￥0.2646
1000+
￥0.2319
5000+
￥0.2058
10000+
￥0.1927

有货

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双向TVS 5V截止峰值浪涌电流：25A@8/20us

型号：ESD5611N-2/TR 编号：C2939834

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5611N是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到数据和电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5611N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达25A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5611N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

10+
￥0.2554
100+
￥0.205
300+
￥0.1798
1000+
￥0.1609
5000+
￥0.1458
10000+
￥0.1382

有货

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1.8V 300mA 5.5V

型号：WL2836D18-4/TR 编号：C506085

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能。具有折返式最大输出电流，其大小取决于输出电压。因此，电流限制功能既可以作为短路保护，也可以作为输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.3659
100+
￥0.2876
300+
￥0.2485
1000+
￥0.2192
5000+
￥0.1957
10000+
￥0.1839

有货

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WL28631D28-4/TR

型号：WL28631D28-4/TR 编号：C52993369

封装：DFN-4L(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

5+
￥0.6886
50+
￥0.547
150+
￥0.4762
500+
￥0.4231
2500+
￥0.3807
5000+
￥0.3594

有货

立即购买

双向TVS 4.5V截止峰值浪涌电流：150A@8/20us

型号：ESD56151W04-2/TR 编号：C239632

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56151WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。该器件专为保护电源线而设计，采用SOD - 323封装。标准产品无铅、无卤。

数据手册

10+
￥0.6285
100+
￥0.5163
300+
￥0.435
1000+
￥0.3679

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:0.5A

型号：WNM6001-3/TR 编号：C239589

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM6001是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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