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封装：DFN2x2-3L

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅、无卤。

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3000+
￥0.322
6000+
￥0.32085
9000+
￥0.31136

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型号：ESD53101N-2/TR 编号：C2941807

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD53101N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD53101N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD53101N可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD53101N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.4668
100+
￥0.3756
300+
￥0.33
1000+
￥0.2958
5000+
￥0.2684
10000+
￥0.2547

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型号：WPM2006-6/TR 编号：C167136

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

带肖特基二极管

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5+
￥0.5453
50+
￥0.4311
150+
￥0.374

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型号：SPD91011W-2/TR 编号：C2939843

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD91011W是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的过应力影响。SPD91011W集成了低电容转向二极管，可将每线路的典型电容降至1.5pF。根据IEC61000 - 4 - 2标准，SPD91011W可提供高达±30kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达25A（8/20μs）的峰值脉冲电流。SPD91011W采用SOD - 323封装。标准产品无铅、无卤素。

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100+
￥0.2916
1000+
￥0.2808
3000+
￥0.27
6000+
￥0.2484
10000+
￥0.24192

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型号：ESD73011N-2/TR 编号：C506104

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73011N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73011N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73011N可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73011N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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100+
￥0.19845
1000+
￥0.1911
3000+
￥0.18375
6000+
￥0.16905
10000+
￥0.16464

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型号：WS4508S-8/TR 编号：C506088

封装：ESOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS4508S 是一款完整的单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器。无需外部检测电阻，且由于采用内部 MOSFET 架构，也无需阻塞二极管。热反馈可调节充电电流，以在高功率运行或高环境温度期间限制管芯温度

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5+
￥1.2723
50+
￥1.0051
150+
￥0.8906

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型号：ESD5Z5VL-2/TR 编号：C239566

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z5VL是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5Z5VL集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5Z5VL可提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5Z5VL采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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3000+
￥0.253
6000+
￥0.25185
9000+
￥0.24416

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型号：WS72412S-8/TR 编号：C717875

封装：SOIC-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72412是一款低功耗、轨到轨输入输出运算放大器，具有低电流噪声、高转换速率和宽信号带宽的特点。低噪声、低输入偏置电流、高速和内置EMI滤波器的特性组合，使这款放大器适用于各种应用场景。滤波器、积分器、光电二极管放大器和高阻抗传感器都能从这些性能特点的组合中受益

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1+
￥13.27
10+
￥11.28
30+
￥10.03
100+
￥8.75
500+
￥8.17
1000+
￥7.93

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型号：WPM2005B-8/TR 编号：C239564

封装：DFN-8L(1.7x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：具有MOSFET和肖特基二极管。每个器件独立引脚，便于电路设计。超低正向压降（VF）肖特基二极管。应用：锂离子电池充电。高端直流-直流转换电路

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250+
￥1.156757
500+
￥0.934304
1000+
￥0.800832

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型号：ESDA6V1-5W6-6/TR 编号：C167128

封装：SOT-363

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V1-5W6阵列是一款5通道ESD瞬态电压抑制器，可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高级别的保护。对于正瞬态，这些器件将电压钳位在逻辑电平电源之上；对于负瞬态，将电压钳位在地电平以下一个二极管压降。ESDA6V1-5W6可安全消散±20 kV的ESD冲击，超过了IEC 61000-4-2国际标准的最高要求。按照MILSTD-883（方法3015）人体模型（HBM）ESD规范，该器件可对大于±20 kV的接触放电提供保护。ESDA6V1-5W6采用SOT-363封装，工作电压为5 V。

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5+
￥0.4718
50+
￥0.3758
150+
￥0.3278
500+
￥0.2918
3000+
￥0.2605

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型号：ESD5305FB-6/TR 编号：C2939828

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5305FB是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5305FB集成了四对低电容导向二极管和一个TVS二极管

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3000+
￥0.342
6000+
￥0.3363
12000+
￥0.32775
24000+
￥0.3135

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型号：ESDA6V8AV6-6/TR 编号：C134180

封装：SOT-563

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V8AV6阵列是一款5线ESD瞬态电压抑制器，可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。对于正瞬态，这些器件将电压钳位在逻辑电平电源略上方；对于负瞬态，将电压钳位至低于地电位一个二极管压降。ESDA6V8AV6可安全消散±20kV的ESD冲击，超过了IEC 61000 - 4 - 2国际标准的最高要求

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2+
￥0.7445
20+
￥0.6074
60+
￥0.508
200+
￥0.426
1000+
￥0.412
2000+
￥0.4051

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型号：ESD5451N-2/TR 编号：C239604

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5451N是一款双向式瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5451N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的静电放电保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5451N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品不含铅和卤素。

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50+
￥0.0889
500+
￥0.0716
1500+
￥0.062
10000+
￥0.0562
20000+
￥0.0512
50000+
￥0.0485

有货

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型号：ESD5451X-2/TR 编号：C239558

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5451X是一款双向TVS（瞬态电压抑制器），专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD5451X可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

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50+
￥0.0977
500+
￥0.0784
1500+
￥0.0677
10000+
￥0.0581
20000+
￥0.0526
50000+
￥0.0495

有货

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型号：WNM6002-3/TR 编号：C501342

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM66002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

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20+
￥0.2142
200+
￥0.1743
600+
￥0.1521
3000+
￥0.1388
9000+
￥0.1272
21000+
￥0.121

有货

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型号：ESD5431N-2/TR 编号：C239673

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5431N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD5431N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5431N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

50+
￥0.1523
500+
￥0.1235
1500+
￥0.1075
5000+
￥0.0979
25000+
￥0.0895

有货

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型号：WNM2021-3/TR 编号：C239556

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2021 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.5595
100+
￥0.4596
300+
￥0.3872
1000+
￥0.3275
5000+
￥0.3173
10000+
￥0.3123

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型号：WPM3407-3/TR 编号：C167139

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

P沟道，-30V，-4.4A

数据手册

5+
￥0.7916
50+
￥0.6503
150+
￥0.5478
500+
￥0.4633
2500+
￥0.4489
5000+
￥0.4418

有货

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型号：ESD9B5VL-2/TR 编号：C239683

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9B5VL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD9B5VL可提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达3A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.2771
200+
￥0.228
600+
￥0.2035
2000+
￥0.185

有货

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型号：WNM6001-3/TR 编号：C239589

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM6001是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.1823
200+
￥0.1497
600+
￥0.1262
2000+
￥0.1067
10000+
￥0.1034
20000+
￥0.1018

有货

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型号：WL2815D33-4/TR 编号：C506126

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2815系列是低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流而优化。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2815系列设计为使用低成本陶瓷电容器，以确保输出电流的稳定性，并提高效率，从而延长这些便携式设备的电池续航时间

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10+
￥0.4956
100+
￥0.439
300+
￥0.4107
1000+
￥0.3895
5000+
￥0.3726
10000+
￥0.3641

有货

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型号：ESD56151W04-2/TR 编号：C239632

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56151WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。该器件专为保护电源线而设计，采用SOD - 323封装。标准产品无铅、无卤。

数据手册

10+
￥0.6285
100+
￥0.5163
300+
￥0.435
1000+
￥0.3679
5000+
￥0.3564
10000+
￥0.3508

有货

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型号：WL2803E33-5/TR 编号：C192928

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是超低压降、低静态电流、高电源抑制比 (PSRR) 的 CMOS 低压差线性稳压器 (LDO)。在 500mA 负载电流下，压差典型值为 130mV。采用 CMOS 结构，在整个输入电压范围内，静态电流典型值为 150uA，适用于需要高输出电流的消费和网络应用。输出电压范围为 1.2V 至 3.3V，步长为 0.1V。具备热关断 (OTP) 和限流功能，以确保芯片和电源系统在异常情况下的稳定性，并采用微调技术保证输出电压精度在 ±2% 以内。采用 SOT-23-5L 封装，标准产品无铅、无卤。

数据手册

10+
￥0.7278
100+
￥0.5979
300+
￥0.5037
1000+
￥0.426
5000+
￥0.4127
10000+
￥0.4062

有货

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型号：ESD5411N-2/TR 编号：C239560

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5411N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件因静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力损坏。ESD5411N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5411N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

50+
￥0.1118
500+
￥0.0979
1500+
￥0.0901
5000+
￥0.0855

有货

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型号：ESD5611N-2/TR 编号：C2939834

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5611N是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到数据和电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5611N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达25A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5611N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

10+
￥0.2554
100+
￥0.205
300+
￥0.1798
1000+
￥0.1609
5000+
￥0.1458
10000+
￥0.1382

有货

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型号：ESD56301D05-2/TR 编号：C2939837

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56301D05是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56301D05专为保护电源线而设计。ESD56301D05采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅、无卤。

数据手册

5+
￥0.4836
50+
￥0.3852
150+
￥0.336
500+
￥0.2991
2500+
￥0.2696
5000+
￥0.2549

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型号：WS74285M-8/TR 编号：C16197400

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器失调电压:70μV(Max) 增益误差:0.1%(Max)

1+
￥6.03
10+
￥4.86
30+
￥4.28
100+
￥3.7
500+
￥3.35
1000+
￥3.17

有货

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型号：WAS3157B-6/TR 编号：C213161

封装：SOT-363

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WAS3157B是一款高性能单刀双掷（SPDT）CMOS模拟开关，适用于总线切换或音频切换应用。其特点是在-3dB时带宽高达400MHz，导通电阻低（典型值为5.5Ω）。SEL引脚具备过压保护功能，无论工作电压如何，该引脚可承受高于VCC的电压，最高可达7.0V，且不会损坏器件或影响其正常工作

数据手册

10+
￥0.426
100+
￥0.3499
300+
￥0.2948
1000+
￥0.2493
5000+
￥0.2416
10000+
￥0.2378

有货

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型号：ESD5471X-2/TR 编号：C239631

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5471X可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30KV（接触和空气放电）的静电放电保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5471X采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

50+
￥0.1562
500+
￥0.1248
1500+
￥0.1073
5000+
￥0.095

有货

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型号：ESD5401N-2/TR 编号：C239693

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5401N是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5401N可提供高达±30kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能够承受高达8A（8/20μs）的峰值脉冲电流。

数据手册

20+
￥0.1839
200+
￥0.1418
600+
￥0.1183
2000+
￥0.1043
10000+
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