场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片堆叠技术中，具备嵌入式保护功能。

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￥18.12
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型号：CJAC100SN08U 编号：C2906252

封装：PDFNWB-8L(5X6)

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。该先进技术经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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型号：BSP452 编号：C58074

封装：SOT-223

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，采用智能SIPMOS技术进行单片集成。通过嵌入式保护功能实现全面保护。

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型号：BTS50055-1TMA 编号：C112643

封装：TO-220-7

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片上芯片技术中，具备嵌入式保护功能。

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￥28.25
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型号：PMV100XPEAR 编号：C553079

封装：SOT-23

P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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型号：CMSA5950A 编号：C5203728

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA5950A采用先进技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。

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型号：WNM6002-3/TR 编号：C501342

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM66002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

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型号：NX7002AK,215 编号：C255584

封装：SOT-23

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥0.2527
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￥0.14938 ￥0.154
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￥0.126779 ￥0.1307

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型号：WNM2021-3/TR 编号：C239556

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2021 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.5595
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型号：PMV45EN2R 编号：C426872

封装：SOT-23

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

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￥2.3065
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型号：BSS84AKW,115 编号：C179347

封装：SC-70

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT323（SC - 70）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥0.3867
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型号：NDS331N 编号：C192741

封装：SOT-23

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

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型号：CMD25P15 编号：C18198747

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

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型号：BSS138BK,215 编号：C282529

封装：SOT-23

N-沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装

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￥1.1385 ￥1.15

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型号：BSN20BK215 编号：C7091999

封装：SOT-23(TO-236AB)

N-沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥2.9545 ￥3.11

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型号：BTS4141N 编号：C151527

封装：SOT-223

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，采用智能SIPMoS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。

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￥12.4
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￥8.93
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￥7.54
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￥6.92
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型号：NDS0605 编号：C124476

封装：SOT-23

此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

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￥0.5308
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￥0.4241
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￥0.3707
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￥0.3307
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￥0.2817
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￥0.2657

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型号：NDS7002A 编号：C74715

封装：SOT-23-3L

此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备坚固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400mA DC 的大多数应用，可以提供高达 2 A 的脉冲电流。此产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

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￥0.5597
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￥0.4404
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￥0.3807
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￥0.3173
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￥0.2815
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￥0.2636

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型号：MS50N06 编号：C2902884

封装：TO-252-2

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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￥0.68742 ￥0.7236
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￥0.54777 ￥0.5766
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￥0.477945 ￥0.5031
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￥0.4256 ￥0.448
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￥0.3686 ￥0.388
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￥0.347605 ￥0.3659

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型号：STP4925A(UMW) 编号：C5338310

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

双P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。

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￥0.6942
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￥0.5674
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￥0.5199
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￥0.4861

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型号：PMDT290UNE,115 编号：C179421

封装：SOT-666

双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于超小扁平引脚SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装中。

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￥1.3113
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￥1.0278
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￥0.9064
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￥0.7548
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￥0.6873
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￥0.6468

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型号：NDS355AN 编号：C236917

封装：SOT-23