场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PMV250EPEAR 编号：C477997

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.26
30+
￥2.01
100+
￥1.71
500+
￥1.58
1000+
￥1.5

有货

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型号：NDS331N 编号：C192741

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.0253
50+
￥0.8007
150+
￥0.7045
500+
￥0.5845
3000+
￥0.531
6000+
￥0.499

有货

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型号：CJAC100SN08U 编号：C2906252

封装：PDFNWB-8L(5X6)

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。该先进技术经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

1+
￥4.26
10+
￥3.5
30+
￥3.12
100+
￥2.74
500+
￥2.51
1000+
￥2.4

有货

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型号：BSP452 编号：C58074

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，采用智能SIPMOS技术进行单片集成。通过嵌入式保护功能实现全面保护。

数据手册

1+
￥9.58
10+
￥8.02
30+
￥7.16
100+
￥6.19
500+
￥5.76
1000+
￥5.56

有货

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型号：BTS4141N 编号：C151527

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，采用智能SIPMoS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥13.16
10+
￥10.84
30+
￥9.56
100+
￥8.12
500+
￥7.48
1000+
￥7.19

有货

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型号：BSS138K 编号：C255592

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，0.22A，1.6Ω

数据手册

5+
￥0.575
50+
￥0.4742
150+
￥0.4238
500+
￥0.386
3000+
￥0.3149
6000+
￥0.2998

有货

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型号：2N7002BKW,115 编号：C455035

封装：SC-70

品牌：Nexperia(安世)

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT323 (SC- 70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥1.2297
50+
￥1.0608
150+
￥0.9764
500+
￥0.9131
3000+
￥0.8311
6000+
￥0.8058

有货

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型号：PMV65XPEAR 编号：C2889116

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装

数据手册

1+
￥2.4
10+
￥1.88
30+
￥1.65
100+
￥1.37
500+
￥1.25
1000+
￥1.14

有货

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型号：PMV40UN2R 编号：C179442

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装

数据手册

1+
￥3.25
10+
￥2.68
30+
￥2.44
100+
￥2.13
500+
￥2
1000+
￥1.83

有货

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型号：BTS6163D 编号：C534821

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片堆叠技术中，具备嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥19.98
10+
￥17.08
30+
￥15.27
100+
￥13.41
500+
￥12.57
1000+
￥12.2

有货

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型号：NX3008NBK,215 编号：C179399

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

20+
￥0.2246
200+
￥0.176
600+
￥0.149
3000+
￥0.1328
9000+
￥0.1187
21000+
￥0.1112

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型号：PMF170XP,115 编号：C389353

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用SOT323（SC - 70）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥1.007
50+
￥0.8046
150+
￥0.7178
500+
￥0.6096
3000+
￥0.5614
6000+
￥0.5325

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型号：PMV45EN2R 编号：C426872

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

1+
￥8.21
10+
￥7.14
30+
￥6.61
100+
￥6.08
500+
￥5.76
1000+
￥5.6

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型号：BTS441RG 编号：C5185777

封装：TO-263-4

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，采用智能SIPMOS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。绿色产品（符合RoHS标准）

数据手册

1+
￥29.73
10+
￥26.38
30+
￥24.39
100+
￥22.38
500+
￥21.45
1000+
￥21.03

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型号：WNM6002-3/TR 编号：C501342

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM66002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

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20+
￥0.2142
200+
￥0.1743
600+
￥0.1521
3000+
￥0.1388
9000+
￥0.1272
21000+
￥0.121

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型号：CMSA80P06A 编号：C22364965

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻。该器件适用于负载开关或PWM应用。

1+
￥2.185 ￥2.3
10+
￥1.7005 ￥1.79
30+
￥1.501 ￥1.58
100+
￥1.2445 ￥1.31
500+
￥1.197 ￥1.26
1000+
￥1.121 ￥1.18

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型号：VBI2658 编号：C416322

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.4035 ￥2.53
10+
￥1.9095 ￥2.01
30+
￥1.7005 ￥1.79
100+
￥1.4345 ￥1.51
500+
￥1.2255 ￥1.29
1000+
￥1.1495 ￥1.21

有货

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型号：BSH111BKR 编号：C88712

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥1.1319
50+
￥0.8841
150+
￥0.7779
500+
￥0.6454
3000+
￥0.5619
6000+
￥0.5265

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型号：FDD5614P 编号：C3647112

封装：TO-252-2

品牌：MSKSEMI(美森科)

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥1.831125 ￥1.9275
50+
￥1.46262 ￥1.5396
150+
￥1.304635 ￥1.3733
500+
￥1.070365 ￥1.1267

有货

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型号：UCC27517ADBVR 编号：C2653784

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27517A 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。通过使用本身能够大大减少击穿电流的设计，UCC27517A 能够拉、灌高、峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为13ns）。 UCC27517A 器件能够处理输入上的–5V 电压。

数据手册

1+
￥3.36
10+
￥2.75
30+
￥2.49
100+
￥2.16
500+
￥1.81

有货

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型号：NX7002AKVL 编号：C551606

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

10+
￥0.4382
100+
￥0.3474
300+
￥0.302
1000+
￥0.2679
5000+
￥0.2407
10000+
￥0.2271

有货

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型号：WNM2021-3/TR 编号：C239556

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2021 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.5595
100+
￥0.4596
300+
￥0.3872
1000+
￥0.3275
5000+
￥0.3173
10000+
￥0.3123

有货

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型号：STP4925A(UMW) 编号：C5338310

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

双P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。

5+
￥0.7028
50+
￥0.6129
150+
￥0.5744
500+
￥0.5264
3000+
￥0.505
6000+
￥0.4921

有货

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型号：NX7002BKMYL 编号：C551611

封装：SOT-883

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1006 - 3（SOT883）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥0.7716
50+
￥0.6089
150+
￥0.5275
500+
￥0.4665
2500+
￥0.4177
5000+
￥0.3933

有货

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型号：BSS84AKM,315 编号：C549761

封装：SOT-883

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽式MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型SOT883（SC - 101）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥2.254
50+
￥1.9138
150+
￥1.768
500+
￥1.5861
2500+
￥1.5051
5000+
￥1.4564

有货

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型号：CMSA5950A 编号：C5203728

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA5950A采用先进技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。

数据手册

1+
￥3.743 ￥3.94
10+
￥3.0685 ￥3.23
30+
￥2.736 ￥2.88
100+
￥2.4035 ￥2.53
500+
￥1.957 ￥2.06
1000+
￥1.862 ￥1.96

有货

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型号：UCC27516DRSR 编号：C3655221

封装：SON-6(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

数据手册

1+
￥3.89
10+
￥3.3
30+
￥2.89
100+
￥2.55
500+
￥2.44
1000+
￥2.38

有货

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型号：CMD5970 编号：C5203726

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。

数据手册

1+
￥4.123 ￥4.34
10+
￥3.6765 ￥3.87
30+
￥3.4485 ￥3.63
100+
￥3.23 ￥3.4
500+
￥2.964 ￥3.12
1000+
￥2.888 ￥3.04

有货

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型号：PMV37ENEAR 编号：C553095

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

1+
￥8.81
10+
￥7.73
30+
￥7.19
100+
￥6.65
500+
￥6.33

有货

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型号：LMG2100R044RARR 编号：C22453052

封装：VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件由两个100V GaN FET组成，采用半桥配置，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小

数据手册

1+
￥37.25
10+
￥32.41
30+
￥29.46
100+
￥26.98

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