场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：OPA659IDBVT 编号：C2057443

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

OPA659 650MHz 单位增益稳定 JFET 输入放大器

数据手册

单价：
￥39.493687 / 个

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型号：IXTH24N50 编号：C19270215

封装：TO-247-3

品牌：Littelfuse/IXYS

1+
￥127.22
10+
￥123.87

有货

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型号：ATM9435PPA 编号：C915745

封装：SOP-8

品牌：Agertech(艾吉芯)

ATM9435PPA采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至 -4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

数据手册

10+
￥0.3639
100+
￥0.2943
300+
￥0.2595
1000+
￥0.2334
4000+
￥0.1864
8000+
￥0.1759

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型号：YJG15G15A 编号：C20605761

封装：PDFN5060-8L

品牌：YANGJIE(扬杰)

采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具备出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。湿度敏感度等级为1级。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

1+
￥3.03
10+
￥2.44
30+
￥2.19
100+
￥1.87
500+
￥1.73
1000+
￥1.64

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型号：YJH03N10A 编号：C2942415

封装：SOT-89

品牌：YANGJIE(扬杰)

Trench Power MV MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级。无卤

5+
￥0.7394
50+
￥0.585
150+
￥0.5079
1000+
￥0.45
2000+
￥0.4037
5000+
￥0.3805

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型号：PE5E4BA 编号：C532972

封装：DFN-8(3x3)

品牌：NIKO-SEM(尼克森)

特性：无铅、无卤且符合RoHS标准。低RDS(ON)以最小化传导损耗。欧姆区域具有良好的RDS(ON)比率。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。应用：保护电路应用。逻辑/负载开关电路应用

数据手册

5+
￥0.9847
50+
￥0.7748
150+
￥0.6848
500+
￥0.5726
2500+
￥0.4715
5000+
￥0.4415

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型号：YJS10G06A 编号：C20605946

封装：SOP-8

品牌：YANGJIE(扬杰)

采用分裂栅沟槽MOSFET技术。低导通电阻和品质因数。极低的开关损耗。出色的稳定性和均匀性。湿度敏感度等级为3级。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

5+
￥1.6312
50+
￥1.3119
150+
￥1.1751
500+
￥1.0043
2500+
￥0.9283
4000+
￥0.8826

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型号：GAN190-650EBEZ 编号：C20235670

封装：DFN8080-8

品牌：Nexperia(安世)

GAN140 - 650EBE是一款通用型650 V、190 mΩ的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），采用8 mm x 8 mm的DFN表面贴装封装。它是一款常关型增强模式器件，性能卓越。

1+
￥42.9
10+
￥42.28
30+
￥41.87
100+
￥41.46

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型号：SI2306BDS-T1-E3-VB 编号：C45662624

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT-23；N—Channel沟道,30V；5A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；这是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率功率控制和开关应用。

100+
￥0.4995
1000+
￥0.481
3000+
￥0.4625
6000+
￥0.4255
10000+
￥0.4144

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型号：PMH260UNEH 编号：C3277682

封装：DFN0606-3

品牌：Nexperia(安世)

5+
￥1.3747
50+
￥1.0939
150+
￥0.9736
500+
￥0.8234
2500+
￥0.7566
5000+
￥0.7165

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型号：OP275GPZ 编号：C155741

封装：DIP-8

品牌：ADI(亚德诺)

双极性/JFET双通道音频运算放大器

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单价：
￥28.8144 / 个

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型号：IPD031N06L3GATMA1-VB 编号：C45662553

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款单N型MOSFET，采用SGT技术制造，适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域，可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中，以实现稳定的能量转换和高性能输出。

10+
￥4.374
100+
￥4.212
200+
￥3.888
1000+
￥3.726
2000+
￥3.564

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型号：OPA659IDRBR 编号：C882383

封装：VSON-8

品牌：TI(德州仪器)

OPA659 650MHz 单位增益稳定 JFET 输入放大器

数据手册

单价：
￥38.9016 / 个

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型号：SI2308BDS-T1-E3-VB 编号：C45662615

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。

50+
￥0.7965
500+
￥0.7375
1000+
￥0.708
5000+
￥0.6785
10000+
￥0.649

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型号：ISC060N10NM6ATMA1-VB 编号：C45662519

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。

1+
￥6.695
50+
￥6.18
100+
￥5.9225
500+
￥5.768
1000+
￥5.665

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型号：CEM3139 编号：C207746

封装：SOP-8

品牌：CET(华瑞)

特性：20V, 9A, RDS(ON) = 16mΩ @VOS = 4.5V；RDS(ON) = 20mΩ @VOS = 2.5V。 30V, -6A, RDS(ON) = 34mΩ @VSS = -10V。 RDS(ON) = 52mΩ @VSS = -4.5V。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。高功率和电流处理能力。符合RoHS标准。表面贴装封装

1+
￥1.1656
10+
￥0.9036
30+
￥0.7912
100+
￥0.6511
500+
￥0.5887
1000+
￥0.5512

有货

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型号：TK13A60D(STA4,X,M) 编号：C471288

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.33Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 6.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。增强模式：Vth = 2.0±0.4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

500+
￥3.27
2000+
￥3.21
10000+
￥3.15

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型号：IPWS65R050CFD7AXKSA1-VB 编号：C45662448

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道,650V；47A；RDS(ON)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

1+
￥27.46
10+
￥26.85
30+
￥26.44
90+
￥26.03

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型号：1EDI3035ASXUMA1 编号：C48982452

封装：DSO-20

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压电流隔离式SiC-MOSFET驱动器，专为高电压汽车应用而设计。该器件基于无芯变压器（CT）技术，可在低电压和高电压域之间提供8kV的电流隔离。该IC支持高达1200V的SiC-MOSFET，非常适合驱动IGBT + SiC HybridPACK Drive G2 Fusion模块。该器件具有强大的输出级，峰值电流高达20A，是高功率开关所必需的。分离输出级（TON、TOFF）由于采用独立的栅极电阻，可实现不同的导通和关断转换速率。低电压域（初级侧）支持5V和3.3V的逻辑电平

1+
￥44.05
10+
￥43.07
30+
￥42.42
100+
￥41.76

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型号：BQ24352DSGR 编号：C2865412

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

BQ24352 具有 FET、7.1 输入 OVP 的过压和过流充电器前端保护 IC

数据手册

1+
￥8.84
10+
￥8.62
30+
￥8.47
100+
￥8.32

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型号：SE110NS65FR 编号：C19631226

封装：TO-247

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

1+
￥36.52
10+
￥35.66
30+
￥35.08
90+
￥34.5

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型号：1EDI3035AS 编号：C41430551

封装：DSO-20

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压电流隔离式SiC-MOSFET驱动器，专为高电压汽车应用而设计。该器件基于无芯变压器（CT）技术，可在低电压和高电压域之间提供8kV的电流隔离。该IC支持高达1200V的SiC-MOSFET，非常适合驱动IGBT + SiC HybridPACK Drive G2 Fusion模块。该器件具有强大的输出级，峰值电流高达20A，是高功率开关所必需的。分离输出级（TON、TOFF）由于采用独立的栅极电阻，可实现不同的导通和关断转换速率。低电压域（初级侧）支持5V和3.3V的逻辑电平

1+
￥40.42
10+
￥34.4
30+
￥30.74
100+
￥27.66

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型号：PDNM6ET20V05 编号：C918811

封装：SOT-563

品牌：Prisemi(芯导)

MOSFET 提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。

数据手册

5+
￥0.7313
50+
￥0.5825
150+
￥0.5081
500+
￥0.4523
3000+
￥0.4077
6000+
￥0.3854

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型号：AP4525GEM 编号：C394797

封装：SO-8

品牌：APEC(富鼎)

数据手册

10+
￥1.5255
100+
￥1.469
200+
￥1.356
1000+
￥1.2995
2000+
￥1.243

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型号：JCS640C 编号：C2693280

封装：TO-220

品牌：吉林华微

数据手册

1+
￥3.08
10+
￥2.45
50+
￥2.18
100+
￥1.84
500+
￥1.69
1000+
￥1.6

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型号：JCS640F 编号：C2693266

封装：TO-220MF

品牌：吉林华微

数据手册

1+
￥3.41
10+
￥2.73
30+
￥2.44
100+
￥2.07
500+
￥1.91
1000+
￥1.81

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型号：LF356M 编号：C4370320

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LF356 单通道、36V、5MHz、高压摆率 (12V/μs)、输入接近 V+、JFET 输入运算放大器

数据手册

1+
￥4.82
10+
￥3.86
30+
￥3.39
100+
￥2.92
500+
￥2.64
1000+
￥2.49

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型号：3SK293(TE85L,F) 编号：C5362562

封装：SC-82A

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于电视调谐器、UHF RF放大器应用，具有出色的交叉调制性能

3000+
￥0.974625
9000+
￥0.9492

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型号：SE4606 编号：C238710

封装：SOP-8

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：n沟道，VDS(V) = 30V ，ID = 8.5A，RDS(ON) < 26mΩ (VGS=10V)，RDS(ON) < 40mΩ (VGS=4.5V)。 p沟道，VDS(V) = -30V ，ID = -4.9A，RDS(ON) < 53mΩ (VGS=10V)，RDS(ON) < 85mΩ (VGS=4.5V)。应用：台式机或DC/DC转换器的电源管理

数据手册

5+
￥0.3603
50+
￥0.3519
150+
￥0.3464
500+
￥0.3408

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预售商品

型号：PMV280ENEA215 编号：C3283270

封装：-

品牌：Nexperia(安世)

1+
￥0.4293
200+
￥0.1662
500+
￥0.1603
1000+
￥0.1575

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