场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：AON6407(ES) 编号：C42412354

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON6407(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.4668
50+
￥1.2778
150+
￥1.1968
500+
￥1.0957
2500+
￥1.0507
5000+
￥1.0237

有货

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型号：CMSA6504A 编号：C5371902

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA6504A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将电源转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。

数据手册

5+
￥1.52532 ￥1.6056
50+
￥1.338265 ￥1.4087
150+
￥1.258085 ￥1.3243
500+
￥1.109315 ￥1.1677
2500+
￥1.06476 ￥1.1208
5000+
￥1.038065 ￥1.0927

有货

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型号：NDS355AN 编号：C236917

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要采用非常小形的表面贴装封装，实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.61
50+
￥1.297
150+
￥1.1628
500+
￥0.9955
3000+
￥0.8521
6000+
￥0.8074

有货

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型号：AP180N03G-ES 编号：C41409349

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

AP180N03G-ES 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.8773
50+
￥1.4741
150+
￥1.3013
500+
￥1.0857
2500+
￥0.9897
5000+
￥0.932

有货

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型号：AON6484(ES) 编号：C42412245

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON6484(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

1+
￥1.99
10+
￥1.74
30+
￥1.63
100+
￥1.5
500+
￥1.44
1000+
￥1.4

有货

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型号：FQD50N06-VB 编号：C725048

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥3.8475 ￥4.05
10+
￥3.1255 ￥3.29
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￥2.755 ￥2.9
100+
￥2.4035 ￥2.53
500+
￥2.0235 ￥2.13
1000+
￥1.919 ￥2.02

有货

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型号：PMXB65ENEZ 编号：C547275

封装：SOT1215

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

1+
￥4.96
10+
￥4.04
30+
￥3.57
100+
￥3.11
500+
￥2.84
1000+
￥2.7

有货

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型号：CJAC200SN04U 编号：C19268993

封装：PDFNWB5x6-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N- 沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

1+
￥5.37
10+
￥4.32
30+
￥3.8
100+
￥3.28
500+
￥2.97
1000+
￥2.81

有货

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型号：CS9N90ANHD 编号：C2897744

封装：TO-3P

品牌：CRMICRO(华润微)

CS9N90 ANHD是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P(N)，符合RoHS标准

数据手册

1+
￥6.35
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￥5.18
25+
￥4.45
100+
￥3.87
500+
￥3.52
1000+
￥3.34

有货

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型号：PMXB43UNEZ 编号：C547273

封装：DFN1010D-3

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽式MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1010D - 3（SOT1215）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

1+
￥17.41
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￥15.71
30+
￥14.64
100+
￥13.55
500+
￥13.06
1000+
￥12.85

有货

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型号：SI2323DS-T1-E3-MS 编号：C5343295

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。

数据手册

10+
￥0.343235 ￥0.3613
100+
￥0.27303 ￥0.2874
300+
￥0.23788 ￥0.2504
3000+
￥0.210805 ￥0.2219
6000+
￥0.18981 ￥0.1998
9000+
￥0.179265 ￥0.1887

有货

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型号：FDS9926A 编号：C49014307

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

是双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术，可提供出色的导通电阻。这种高密度工艺特别适合于将导通状态电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用，并且在非常小外形尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

5+
￥0.5566
50+
￥0.4366
150+
￥0.3766
500+
￥0.3316
3000+
￥0.2956

有货

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型号：CMSA150N03L 编号：C6939757

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA150N03L采用先进技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。

1+
￥1.11036 ￥1.1688
10+
￥0.960355 ￥1.0109
30+
￥0.896135 ￥0.9433
100+
￥0.815955 ￥0.8589
500+
￥0.780235 ￥0.8213
1000+
￥0.75886 ￥0.7988

有货

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型号：BSH103BKR 编号：C3280964

封装：TO-236AB

品牌：Nexperia(安世)

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

5+
￥1.2307
50+
￥0.9787
150+
￥0.8707
500+
￥0.7359
3000+
￥0.6759
6000+
￥0.6399

有货

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型号：TPC8104-H-VB 编号：C5456612

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥1.262835 ￥1.3293
50+
￥1.115205 ￥1.1739
150+
￥1.051935 ￥1.1073
500+
￥0.97299 ￥1.0242
2500+
￥0.8816 ￥0.928
4000+
￥0.86051 ￥0.9058

有货

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型号：NDS332P 编号：C258217

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑电源管理、便携式电子设备和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速高压侧开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.5177
50+
￥1.2052
150+
￥1.0713
500+
￥0.9042
3000+
￥0.8298
6000+
￥0.7851

有货

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型号：STP6621 编号：C2682814

封装：SOP-8

品牌：STANSON(司坦森)

STP6621是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及需要高端开关的电池供电电路

数据手册

5+
￥1.5859
50+
￥1.2331
150+
￥1.0819
500+
￥0.8933
2500+
￥0.8093
5000+
￥0.7589

有货

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型号：150N03NF-ES 编号：C41409348

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

150N03NF-ES 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.66
50+
￥1.45
150+
￥1.36
500+
￥1.25
2500+
￥1.2
5000+
￥1.17

有货

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型号：SI4850DY-T1-E3-VB 编号：C6705319

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，具有较高的工作稳定性和可靠性，适用于需要中小功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；

1+
￥1.7255 ￥2.03
10+
￥1.513 ￥1.78
30+
￥1.428 ￥1.68
100+
￥1.309 ￥1.54
500+
￥1.1645 ￥1.37
1000+
￥1.1305 ￥1.33

有货

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型号：TPC8107&9-VB 编号：C6705332

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

1+
￥2.1505 ￥2.53
10+
￥1.887 ￥2.22
30+
￥1.7765 ￥2.09
100+
￥1.632 ￥1.92
500+
￥1.445 ￥1.7
1000+
￥1.411 ￥1.66

有货

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型号：STS7NF60L-VB 编号：C692970

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.2355 ￥2.63
10+
￥1.972 ￥2.32
30+
￥1.8615 ￥2.19
100+
￥1.717 ￥2.02
500+
￥1.4535 ￥1.71
1000+
￥1.4195 ￥1.67

有货

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型号：SI4599DY-T1-GE3-VB 编号：C6705316

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

1+
￥2.499 ￥2.94
10+
￥2.227 ￥2.62
30+
￥2.0995 ￥2.47
100+
￥1.9635 ￥2.31
500+
￥1.734 ￥2.04
1000+
￥1.6915 ￥1.99

有货

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型号：IRF7343TRPBF-VB 编号：C558150

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

数据手册

1+
￥2.55 ￥3
10+
￥2.278 ￥2.68
30+
￥2.142 ￥2.52
100+
￥2.006 ￥2.36
500+
￥1.9295 ￥2.27
1000+
￥1.887 ￥2.22

有货

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型号：ESAC80SN10 编号：C42434108

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

ESAC80SN10 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

1+
￥3.21
10+
￥2.85
30+
￥2.67
100+
￥2.49
500+
￥2.38
1000+
￥2.32

有货

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型号：CJAC130SN04L 编号：C5252725

封装：PDFNWB5x6-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用了 SGT 技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用

1+
￥3.34
10+
￥2.62
30+
￥2.31
100+
￥1.93
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

有货

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型号：NDT3055L 编号：C274612

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些逻辑电平 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过专门设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换，在这些应用中需要快速开关、低线路功耗和抗瞬态能力

数据手册

1+
￥3.93
10+
￥3.15
30+
￥2.76
100+
￥2.37
500+
￥2.14
1000+
￥2.02

有货

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型号：SI2318DS-T1-E3-MS 编号：C5343294

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥0.672695 ￥0.7081
50+
￥0.54093 ￥0.5694
150+
￥0.475 ￥0.5
500+
￥0.425505 ￥0.4479
3000+
￥0.361285 ￥0.3803
6000+
￥0.341525 ￥0.3595

有货

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型号：ESDNJ03R4 编号：C42412251

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

ESDNJ03R4是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.3259
50+
￥1.1579
150+
￥1.0859
500+
￥0.996
2500+
￥0.956

有货

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型号：PRF21BD471QB5RA 编号：C2655272

封装：0805

品牌：muRata(村田)

PRF 系列片式 PTC 热敏电阻利用正温度系数（PTC）特性（即电阻在特定温度以上会急剧增大），用于场效应晶体管（FET）、功率 IC 及其他发热区域的过热检测。利用电阻的急剧变化可实现出色的抗噪性能。电阻的急剧变化使得通过一个非常简单的串联 PTC 热敏电阻的电路，就能精确检测多个区域的过热情况

5+
￥1.6275
50+
￥1.2747
150+
￥1.1235
500+
￥0.9348

有货

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型号：IRFR3607TRPBF(ES) 编号：C42434113

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRFR3607TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

1+
￥1.95
10+
￥1.69
30+
￥1.59
100+
￥1.45
500+
￥1.39
1000+
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