场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

逻辑电平 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用塑料封装和 TrenchMOS 技术。该产品已通过相关 AEC 标准认证，适用于汽车关键应用。

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型号：IMZA120R014M1HXKSA1-HXY 编号：C50346532

封装：TO-247-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流ID可达165A，导通电阻RDON低至13毫欧，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。碳化硅材料的使用使其具备更高的击穿电场强度和热导率，适用于高电压、高频率和高功率密度的电源转换系统。该器件可广泛应用于高效能电力电子设备中，如智能电网、可再生能源系统及高精度电机控制模块，为系统提供稳定、可靠的电力支持。

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￥118.123 ￥124.34
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￥112.689 ￥118.62
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￥95.095 ￥100.1

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型号：2N7002P,215(ES) 编号：C42412339

封装：SOT-23

2N7002P,215(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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型号：BSS138DW 编号：C42415543

封装：SOT-363

品牌：GOODWORK(固得沃克)

N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别调整，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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￥0.18027 ￥0.2003
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型号：AO3422A 编号：C2681222

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。宽栅极驱动电压范围：2.5V-12V。适用于作为负载开关。漏源击穿电压（V(BR)DS）：60V。连续漏极电流（ID）：2.1A。导通电阻（RDS(ON)）: -VGS = 10V时，小于105mΩ。应用：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。便携式设备负载开关

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￥0.2675
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型号：SI2318DS-T1-E3-MS 编号：C5343294

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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型号：2N7002BK,215 编号：C282405

封装：SOT-23

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：PRF15BC102RB6RC 编号：C2655259

封装：0402

品牌：muRata(村田)

PRF 系列片式 PTC 热敏电阻利用正温度系数（PTC）特性（即电阻在特定温度以上会急剧增大），用于场效应晶体管（FET）、功率 IC 及其他发热区域的过热检测。利用电阻的急剧变化可实现出色的抗噪性能。电阻的急剧变化使得通过一个非常简单的串联 PTC 热敏电阻的电路，就能精确检测多个区域的过热情况

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型号：2N7002PV,115 编号：C551422

封装：SOT-666

双N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装为超小型SOT666表面贴装器件 (SMD)。

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￥0.7163
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型号：2N7002NXAKR 编号：C551416

封装：SOT-23

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥0.413996 ￥0.4268
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￥0.393044 ￥0.4052

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型号：AON7466(ES) 编号：C42412303

封装：PDFN-8L(3x3)

AON7466(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：AON6204(ES) 编号：C42412241

封装：PDFN-8L(5x6)

AON6204(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：FDN337N 编号：C241805

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

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型号：CMSA150N03L 编号：C6939757

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA150N03L采用先进技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。

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￥0.7623

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型号：TPC8104-H-VB 编号：C5456612

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.262835 ￥1.3293
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￥1.115205 ￥1.1739
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￥0.86051 ￥0.9058

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型号：ESDNJ03R4 编号：C42412251

封装：PDFN-8L(5x6)

ESDNJ03R4是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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型号：CMSA6504A 编号：C5371902

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA6504A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将电源转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。

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型号：EG44273 编号：C2987460

封装：SOT-23-5

品牌：EG(屹晶微)

EG44273单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小于1uA。

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型号：AO4447A-VB 编号：C724961

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

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￥2.1505 ￥2.53
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￥1.887 ￥2.22
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￥1.7765 ￥2.09
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￥1.6405 ￥1.93
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￥1.3515 ￥1.59

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型号：STS7NF60L-VB 编号：C692970

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.2355 ￥2.63
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￥1.972 ￥2.32
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￥1.4195 ￥1.67

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型号：SI4599DY-T1-GE3-VB 编号：C6705316

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

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￥2.499 ￥2.94
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￥1.734 ￥2.04
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￥1.6915 ￥1.99

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型号：PMV60ENEAR 编号：C547263

封装：SOT-23

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

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￥3.39
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￥2.74
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￥2.42
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￥2.037 ￥2.1
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￥1.843 ￥1.9
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￥1.7557 ￥1.81

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型号：CJAC130SN04L 编号：C5252725

封装：PDFNWB5x6-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用了 SGT 技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用

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￥3.53
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￥2.81
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￥2.12
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￥1.95
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￥1.85

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型号：FQD50N06-VB 编号：C725048

封装：TO-252