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描述

价格(含税)

库存

操作

型号：TL084IDR 编号：C12601

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

TL084 四通道、30V、3MHz、13V/μs 压摆率、输入接近 V+、JFET 输入运算放大器

数据手册

5+
￥1.0922
50+
￥0.8591
150+
￥0.7592
500+
￥0.5837
2500+
￥0.5282
5000+
￥0.4949

有货

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型号：TL082IDR 编号：C6966

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TL082 双通道、30V、3MHz、13V/μs 压摆率、输入接近 V+、JFET 输入运算放大器

数据手册

5+
￥0.5188
50+
￥0.4087
150+
￥0.3521
500+
￥0.3054
2500+
￥0.2891
5000+
￥0.2781

有货

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型号：TL084CDR 编号：C8956

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

TL084 四通道、30V、3MHz、13V/μs 压摆率、输入接近 V+、JFET 输入运算放大器

数据手册

5+
￥1.0201
50+
￥0.8069
150+
￥0.7155
500+
￥0.6015
2500+
￥0.5079
5000+
￥0.4775

有货

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型号：SI2302DS 编号：C5310967

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.1754
200+
￥0.1368
600+
￥0.1154
3000+
￥0.0959
9000+
￥0.0847
21000+
￥0.0787

有货

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型号：OPA1642AIDR 编号：C67640

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

OPA1642 双通道 SoundPlus™ 高性能、JFET 输入音频运算放大器

数据手册

1+
￥7.5
10+
￥6.1
30+
￥5.33
100+
￥4.46
500+
￥4.07
1000+
￥3.89

有货

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型号：4953 编号：C717603

封装：SO-8

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻：VDS = -30V，ID = -5.1A，RDS(ON) ≤ 55mΩ，VGS = -10V。低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用。表面贴装器件

数据手册

5+
￥0.496565 ￥0.5227
50+
￥0.397195 ￥0.4181
150+
￥0.347415 ￥0.3657
500+
￥0.310175 ￥0.3265
3000+
￥0.269895 ￥0.2841
6000+
￥0.25498 ￥0.2684

有货

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型号：SI2312M-6AF 编号：C48587179

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,20V,6.8A,16mΩ@4.5V

10+
￥0.2856
100+
￥0.2237
300+
￥0.1928
3000+
￥0.1696
6000+
￥0.151
9000+
￥0.1417

有货

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型号：TPS27081ADDCR 编号：C128404

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS27081A 具有可调节上升时间的 8V、3A、44mΩ 负载开关

数据手册

5+
￥1.7503
50+
￥1.3567
150+
￥1.1881
500+
￥0.9776
3000+
￥0.8839
6000+
￥0.8277

有货

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型号：BSP75N 编号：C5375305

封装：SOT-223

品牌：Slkor(萨科微)

自保护低端MOSFET。具备单片过热、过流、过压（有源钳位）和静电放电保护的逻辑电平功能

数据手册

1+
￥5.0255 ￥5.29
10+
￥4.0375 ￥4.25
30+
￥3.553 ￥3.74
100+
￥3.059 ￥3.22
500+
￥2.7645 ￥2.91
1000+
￥2.6125 ￥2.75

有货

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型号：BSP75NTA 编号：C172450

封装：SOT-223-4

品牌：DIODES(美台)

BSP75N 是一款自保护型低侧 IntelliFET MOSFET。它具有单片过温、过流、过压（有源钳位）和 ESD 保护逻辑电平功能。它旨在用作通用开关

数据手册

1+
￥4.92
10+
￥4.06
30+
￥3.63
100+
￥3.2
500+
￥2.8
1000+
￥2.67

有货

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型号：2N7002-6AF 编号：C48587181

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,60V,0.34A,1.3Ω@4.5V

50+
￥0.102
500+
￥0.08
3000+
￥0.0678
6000+
￥0.0605
24000+
￥0.0541
51000+
￥0.0507

有货

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型号：BSS84-6AF 编号：C48587206

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

P沟道,-60V,-0.17A,3.5Ω@-4.5V

50+
￥0.0911
500+
￥0.0714
3000+
￥0.0605
6000+
￥0.054
24000+
￥0.0483
51000+
￥0.0453

有货

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型号：TPM6052PK3 编号：C42407112

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥2.7056 ￥3.56
10+
￥2.166 ￥2.85
30+
￥1.8924 ￥2.49
100+
￥1.6264 ￥2.14
500+
￥1.4668 ￥1.93
1000+
￥1.3832 ￥1.82

有货

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型号：SI2301M-6AF 编号：C48587212

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

P沟道,-20V,-3A,58.6mΩ@-4.5V

50+
￥0.1226
500+
￥0.0962
3000+
￥0.0815
6000+
￥0.0727
24000+
￥0.065
51000+
￥0.0609

有货

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型号：AO4407-L 编号：C41376493

封装：SOP-8

品牌：PIELENST(派量)

这款是P沟道增强型MOSFET,VDS电压30V，ID电流10.5A。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥0.6275
50+
￥0.4979
150+
￥0.4331
500+
￥0.3845
2500+
￥0.3456
5000+
￥0.3261

有货

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型号：YJG40G10AQ 编号：C20169460

封装：PDFN5060-8L

品牌：YANGJIE(扬杰)

采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻。湿度敏感度等级为1级。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级

1+
￥2.68
10+
￥2.39
30+
￥2.24
100+
￥2.1
500+
￥2.01
1000+
￥1.97

有货

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型号：YJG40G10B 编号：C20605783

封装：PDFN5060-8L

品牌：YANGJIE(扬杰)

漏源电压（VDS）为 100V，漏极电流（ID）为 40A，在 VGS = 10V 时，静态漏源导通电阻 RDS(ON) < 21mΩ；在 VGS = 6V 时，RDS(ON) < 25mΩ。经过 100% EAS 测试和 100% VDS 测试。采用分裂栅沟槽 MOSFET 技术。出色的散热封装。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。湿度敏感度等级为 1 级。环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。无卤