场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：WNM2016-3/TR-VB 编号：C6705334

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.39349 ￥0.4142
100+
￥0.31141 ￥0.3278
300+
￥0.27037 ￥0.2846
3000+
￥0.24814 ￥0.2612
6000+
￥0.223535 ￥0.2353
9000+
￥0.211185 ￥0.2223

有货

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型号：CN3302 编号：C559039

封装：SOP-8

品牌：CONSONANCE(上海如韵)

是一款升压型两节锂电池充电控制集成电路。输入电压范围到 6.5V，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，电池电压检测电路，输出过压保护电路，过温保护单元，电池电压过低保护单元，控制单元和片外场效应晶体管驱动电路等，非常适合输入，为两节锂电池的充电控制应用，具有外部元件少，功能多，电路简单等优点。除了适配器供电以外，还可以使用太阳能板供电。

数据手册

10+
￥0.3107
100+
￥0.2477
300+
￥0.2162
1000+
￥0.1925
4000+
￥0.1736
8000+
￥0.1642

有货

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型号：CR4N65A4K 编号：C2758338

封装：TO-252

品牌：CRMICRO(华润微)

CR4N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.9779
50+
￥0.7714
150+
￥0.6829
500+
￥0.5724
2500+
￥0.513
5000+
￥0.4835

有货

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型号：TX50N06 编号：C448633

封装：TO-252

品牌：XDS(芯鼎盛)

TX50N06 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用

数据手册

5+
￥1.624
50+
￥1.2813
150+
￥1.1344
500+
￥0.9511
2500+
￥0.8491
5000+
￥0.8001

有货

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型号：SI7617DN(ES) 编号：C42412335

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

1+
￥1.79
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￥1.56
30+
￥1.46
100+
￥1.34
500+
￥1.28
1000+
￥1.25

有货

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型号：BST82,215 编号：C426800

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用TrenchMOS™1技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管。产品供应情况：SOT23封装的BST82。

数据手册

5+
￥1.8612
50+
￥1.5114
150+
￥1.3615
500+
￥1.1744
3000+
￥1.0911
6000+
￥1.0411

有货

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型号：SI4946BEY-T1-E3-VB 编号：C5878845

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥2.329 ￥2.74
10+
￥2.0825 ￥2.45
30+
￥1.955 ￥2.3
100+
￥1.836 ￥2.16
500+
￥1.7595 ￥2.07
1000+
￥1.7255 ￥2.03

有货

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型号：WSF7N40 编号：C3825094

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF7N40 是 N 沟道增强型 VDMOS 场效应晶体管，采用自对准平面技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。

数据手册

1+
￥2.475 ￥2.75
10+
￥1.926 ￥2.14
30+
￥1.692 ￥1.88
100+
￥1.404 ￥1.56
500+
￥1.269 ￥1.41
1000+
￥1.188 ￥1.32

有货

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型号：PMV60ENEAR 编号：C547263

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

1+
￥3.48
10+
￥2.83
30+
￥2.51
100+
￥2.19
500+
￥1.99
1000+
￥1.89

有货

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型号：PMV240SPR 编号：C5361354

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P-沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

1+
￥3.56
10+
￥2.88
30+
￥2.59
100+
￥2.23
500+
￥2.06
1000+
￥1.97

有货

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型号：PRF15BC102RB6RC 编号：C2655259

封装：0402

品牌：muRata(村田)

PRF 系列片式 PTC 热敏电阻利用正温度系数（PTC）特性（即电阻在特定温度以上会急剧增大），用于场效应晶体管（FET）、功率 IC 及其他发热区域的过热检测。利用电阻的急剧变化可实现出色的抗噪性能。电阻的急剧变化使得通过一个非常简单的串联 PTC 热敏电阻的电路，就能精确检测多个区域的过热情况