场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥2.329 ￥2.74
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￥2.0825 ￥2.45
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￥1.955 ￥2.3
100+
￥1.836 ￥2.16
500+
￥1.7595 ￥2.07
1000+
￥1.7255 ￥2.03

有货

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型号：SI2323DS-T1-E3-MS 编号：C5343295

封装：SOT-23

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。

数据手册

10+
￥0.300815 ￥0.3539
100+
￥0.239275 ￥0.2815
300+
￥0.208505 ￥0.2453
3000+
￥0.18479 ￥0.2174
6000+
￥0.166345 ￥0.1957
9000+
￥0.15708 ￥0.1848

有货

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型号：PMZB600UNEYL 编号：C547298

封装：SOT-883-3

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小型OFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

10+
￥0.3054
100+
￥0.2483
300+
￥0.2197
1000+
￥0.192351 ￥0.1983
5000+
￥0.175764 ￥0.1812
10000+
￥0.167422 ￥0.1726

有货

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型号：NX138AKMYL 编号：C3290147

封装：SOT-883

采用沟槽式MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚、超小型DFN1006 - 3（SOT883）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥0.4083
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￥0.3307
300+
￥0.2919
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￥0.245507 ￥0.2531
5000+
￥0.222906 ￥0.2298
10000+
￥0.211654 ￥0.2182

有货

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型号：ESGNH10R90 编号：C42412302

封装：PDFN-8L(3x3)

ESGNH10R90 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.9944
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￥0.8684
150+
￥0.8144
500+
￥0.747
2500+
￥0.717

有货

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型号：FDG6301N 编号：C236893

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用专属的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。

数据手册

5+
￥1.1404
50+
￥0.9067
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￥0.8065
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￥0.6816
3000+
￥0.5713
6000+
￥0.5379

有货

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型号：FDG6303N 编号：C512895

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。

数据手册

5+
￥1.2595
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￥0.9776
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￥0.8567
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￥0.706
3000+
￥0.6389
6000+
￥0.5986

有货

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型号：AON6407(ES) 编号：C42412354

封装：PDFN-8L(5x6)

AON6407(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.4668
50+
￥1.2778
150+
￥1.1968
500+
￥1.0957
2500+
￥1.0507
5000+
￥1.0237

有货

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型号：PMV50EPEAR 编号：C478012

封装：SOT-23

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥1.6946
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￥1.3136
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￥1.1503
500+
￥0.9465
3000+
￥0.8558
6000+
￥0.8014

有货

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型号：FDD5614P 编号：C3647112

封装：TO-252-2

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥1.75275 ￥1.845
50+
￥1.381965 ￥1.4547
150+
￥1.22303 ￥1.2874
500+
￥0.987335 ￥1.0393

有货

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型号：AP180N03G-ES 编号：C41409349

封装：PDFN-8L(5x6)

AP180N03G-ES 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.8773
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￥1.4741
150+
￥1.3013
500+
￥1.0857
2500+
￥0.9897
5000+
￥0.932

有货

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型号：AO4430 编号：C49011885

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

N- 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。该器件适合用作负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极电荷。

5+
￥1.9726
50+
￥1.5369
150+
￥1.3501
500+
￥1.1171

有货

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型号：AON6484(ES) 编号：C42412245

封装：PDFN-8L(5x6)

AON6484(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

1+
￥1.99
10+
￥1.74
30+
￥1.63
100+
￥1.5
500+
￥1.44
1000+
￥1.4

有货

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型号：FDS5670-NL-VB 编号：C5878792

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.0145 ￥2.37
10+
￥1.751 ￥2.06
30+
￥1.6405 ￥1.93
100+
￥1.496 ￥1.76
500+
￥1.4365 ￥1.69
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￥1.394 ￥1.64

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型号：SI4948BEY-T1-E3-VB 编号：C558271

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.9525 ￥4.65
10+
￥3.196 ￥3.76
30+
￥2.822 ￥3.32
100+
￥2.448 ￥2.88
500+
￥2.1335 ￥2.51
1000+
￥2.0145 ￥2.37

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型号：TMC5240ATJ+T 编号：C7494373

封装：TQFN-32

品牌：TRINAMIC

TMC5240是一款智能高性能步进电机控制器和驱动IC，具备串行通信接口（SPI、UART）和强大的诊断功能。它将用于自动目标定位的灵活、加加速度优化的斜坡发生器，与基于256细分、内置分度器和完全集成的36V、3.0A MAX H桥以及非耗散集成电流感应（ICS）的行业最先进步进电机驱动器相结合。 ADI-Trinamic先进的StealthChop2斩波器可确保在实现最高效率和最佳电机转矩的同时，实现绝对无噪音运行。高度集成、高能效和小尺寸设计，使系统能够实现小型化和可扩展性，从而提供经济高效的解决方案。该完整解决方案将学习成本降至最低，同时提供一流的性能。 H桥场效应晶体管（FET）的阻抗极低，从而实现高驱动效率并将产生的热量降至最低。典型的总R o N（高端 + 低端）为0.23Ω。假设使用四层PCB，每个H桥在室温下的最大RMS电流为I RMS = 2.1A RMS。每个H桥的最大输出电流为I MAX = 5.0A MAX，受过流保护（OCP）限制。由于该电流受散热因素限制，实际的最大RMS电流将取决于应用的散热特性（PCB接地层、散热器、通风等）。每个H桥的最大满量程电流为1 FS = 3.0A，可通过连接到IREF的外部电阻进行设置。此电流定义为嵌入式电流驱动调节电路的最大电流设置。非耗散ICS消除了笨重的外部功率电阻，与基于外部检测电阻的主流应用相比，可显著节省空间和功率，同时保持相同的整体精度。 TMC5240具备丰富的诊断和保护功能，如短路保护/OCP、热关断和欠压锁定（UVLO）。在热关断和UVLO事件期间，驱动器将被禁用。此外，TMC5240还提供测量驱动器温度、估算电机温度和测量一个外部模拟输入的功能。 TMC5240采用小型TQFN32 5mm x 5mm封装和具有散热优化的带裸露焊盘的TSSOP38 9.7mm x 4.4mm封装。

1+
￥48.08
10+
￥41.35
30+
￥37.25
100+
￥33.82

有货

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型号：PMDPB70XP,115 编号：C552755

封装：DFN2020-6(2x2)

采用沟槽MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于小型无引脚超薄SOT1118表面贴装器件（SMD）塑料封装中。

数据手册

5+
￥50.25
50+
￥49.806
150+
￥49.6157
500+
￥49.3783
3000+
￥49.2726
6000+
￥49.2092

有货

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型号：2SK3541-GK 编号：C42402303

封装：SOT-723

品牌：GOODWORK(固得沃克)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

20+
￥0.12393 ￥0.1377
200+
￥0.0972 ￥0.108
600+
￥0.08235 ￥0.0915
2000+
￥0.07344 ￥0.0816
8000+
￥0.0657 ￥0.073
16000+
￥0.06156 ￥0.0684

有货

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型号：NDS0610 编号：C83570

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0610 可用于最高要求 120mA DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

数据手册

5+
￥0.5103
50+
￥0.4061
150+
￥0.354
500+
￥0.315
3000+
￥0.2457
6000+
￥0.2301

有货

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型号：NX7002AKS,115 编号：C426837

封装：TSSOP-6(SOT-363)

双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装在非常小的SOT363（SC-88）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。

数据手册

10+
￥0.5107
100+
￥0.4152
300+
￥0.3674
3000+
￥0.318336 ￥0.3316
6000+
￥0.290784 ￥0.3029
9000+
￥0.277056 ￥0.2886

有货

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型号：MS30N06DF 编号：C22399563

封装：DFN3X3-8L

此款N沟道场效应晶体管采用紧凑的DFN3x3，具备漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，RDS:10V@10A=28MR,广泛应用于电池管理、负载开关、电机控制、LED驱动、便携式设备、嵌入式系统及众多消费电子产品的电源管理

5+
￥0.663
50+
￥0.579
150+
￥0.543
500+
￥0.498
2500+
￥0.478
5000+
￥0.466

有货

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型号：TX15N10B 编号：C448634

封装：TO-252

品牌：XDS(芯鼎盛)

TX15N10B 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，并且适用于需要极小外形尺寸表面贴装封装的低在线功率损耗应用

数据手册

5+
￥0.8436
50+
￥0.7386
150+
￥0.6936
500+
￥0.6374
2500+
￥0.5751
5000+
￥0.5601

有货

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型号：TX50N06 编号：C448633

封装：TO-252

品牌：XDS(芯鼎盛)

TX50N06 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用

数据手册

5+
￥1.5701
50+
￥1.2274
150+
￥1.0805
500+
￥0.8973
2500+
￥0.7953
5000+
￥0.7463

有货

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型号：150N03NF-ES 编号：C41409348

封装：PDFN-8L(5x6)

150N03NF-ES 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.6
50+
￥1.39
150+
￥1.3
500+
￥1.19
2500+
￥1.14
5000+
￥1.11

有货

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型号：EG27517 编号：C2987449

封装：SOT-23-5

品牌：EG(屹晶微)

EG27517单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小。

数据手册

5+
￥1.7036
50+
￥1.3117
150+
￥1.1437
500+
￥0.9342
3000+
￥0.8624

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型号：IRF7343TRPBF-VB 编号：C558150

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

数据手册

1+
￥2.5415 ￥2.99
10+
￥2.2695 ￥2.67
30+
￥2.1335 ￥2.51
100+
￥1.9975 ￥2.35
500+
￥1.751 ￥2.06
1000+
￥1.7085 ￥2.01

有货

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型号：AOD409-MS 编号：C3647113

封装：TO-252-2

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进的技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

1+
￥2.546 ￥2.68
10+
￥2.0425 ￥2.15
30+
￥1.824 ￥1.92
100+
￥1.5485 ￥1.63
500+
￥1.3015 ￥1.37
1000+
￥1.2255 ￥1.29

有货

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型号：SI4559ADY-T1-E3-VB 编号：C5878842

封装：SO-8