美台三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZXTN2010ZTA 编号：C122575

封装：SOT-89

特性：BVCEO > 60V。 IC = 5A 高连续电流。 RSAT = 30mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VESAT < 65mV @ IC = 1A。 hFE 指定至 10A，高电流增益保持。互补 PNP 类型。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

数据手册

5+
￥1.2461
50+
￥0.9783
150+
￥0.8476
1000+
￥0.703
2000+
￥0.6709

有货

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型号：MMBT3904-7-F 编号：C94514

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：互补PNP类型可用。适用于中功率放大和开关。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

20+
￥0.1318
200+
￥0.1041
600+
￥0.0887
3000+
￥0.0795
9000+
￥0.0715
21000+
￥0.0672

有货

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型号：MMBT3906-7-F 编号：C82762

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。适用于中功率放大和开关。互补NPN型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备PPAP能力

数据手册

20+
￥0.1694
200+
￥0.136
600+
￥0.1175
3000+
￥0.1063
9000+
￥0.0967
21000+
￥0.0915

有货

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型号：ZXTP2012ZTA 编号：C122574

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -4.3A，高连续电流。 RSAT = 32mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VREF(sat) < -65mV @ IC = -1A。 hFE 规定至 -10A，高电流增益保持。互补 NPN 类型。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

数据手册

5+
￥1.9702
50+
￥1.5846
150+
￥1.4194
1000+
￥1.1414
2000+
￥1.0496
5000+
￥0.9945

有货

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型号：FMMT417TD 编号：C508216

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

FMMT415/417 是 NPN 硅平面双极晶体管，专为雪崩模式下的操作而设计。严格的工艺控制和低电感封装相结合，可产生具有快速沿的大电流脉冲。

数据手册

1+
￥52.29
10+
￥46.02
30+
￥39.93
100+
￥36.73

有货

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型号：MMBTA06-7-F 编号：C151597

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。互补PNP型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

20+
￥0.2089
200+
￥0.1684
600+
￥0.1459
3000+
￥0.1196
9000+
￥0.1079
21000+
￥0.1016

有货

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型号：FMMT560TA 编号：C112348

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-500V。 IC =-150mA 高连续集电极电流。 ICM 高达-500mA 峰值脉冲电流。高达 IC =-100mA 时具有出色的 hFE 特性。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥0.687
50+
￥0.5517
150+
￥0.4841
500+
￥0.4334
3000+
￥0.3698
6000+
￥0.3495

有货

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型号：FMMT624TA 编号：C47297

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 125V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 3A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 160mΩ 低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。 hFE 指定至 3A，高电流增益保持。应用：DC-DC / DC-AC 模块。稳压器

数据手册

5+
￥0.7676
50+
￥0.6828
150+
￥0.6465
500+
￥0.6011
3000+
￥0.5207
6000+
￥0.5086

有货

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型号：FZT651TA 编号：C24098

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 3A 高连续电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 型。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.6583
50+
￥1.3103
150+
￥1.1611
1000+
￥0.975
2000+
￥0.8922
5000+
￥0.8425

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型号：FMMT491TA 编号：C141788

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。IC(continuous) = 1A。IC(peak pulse) = 2A。RCE(sat) = 195mΩ，低等效导通电阻。功率耗散：500mW。hFE特性高达2A，高电流增益保持。互补PNP类型：FMMT591。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，高可靠性

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10+
￥0.3288
100+
￥0.2621
300+
￥0.2287
3000+
￥0.2037
6000+
￥0.1837
9000+
￥0.1737

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型号：FMMT458TA 编号：C116737

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。高连续集电极电流：IC = 225mA。峰值脉冲电流：ICM = 1A。功耗：500mW。高达100mA的出色hFE特性。互补PNP类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6266
50+
￥0.4884
150+
￥0.4193
500+
￥0.3675
3000+
￥0.326
6000+
￥0.3053

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型号：BC817-25Q-7-F 编号：C559579

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

20+
￥0.1694
200+
￥0.1521
600+
￥0.1425
3000+
￥0.1318
9000+
￥0.1268
21000+
￥0.1241

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型号：FMMT493TA 编号：C435889

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性达到 2A 以保持高电流增益。互补 PNP 类型：FMMT593。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

数据手册

5+
￥0.576
50+
￥0.4611
150+
￥0.4036
500+
￥0.3606
3000+
￥0.3261
6000+
￥0.3088

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型号：FCX690BTA 编号：C460072

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCBO > 45V。 IC = 2A 高连续集电极电流。 ICM 高达 6A 峰值脉冲电流。高增益 hFE > 400 @ 1A。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) ≤ 300mV @ 1A。互补 PNP 类型：FCX790A。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥1.2163
50+
￥0.9662
150+
￥0.8591
1000+
￥0.7254
2000+
￥0.6658

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型号：FMMT415TD 编号：C460073

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

FMMT415/417 是 NPN 硅平面双极晶体管，专为雪崩模式下的操作而设计。严格的工艺控制和低电感封装相结合，可产生具有快速沿的大电流脉冲。

数据手册

1+
￥51.52
10+
￥44.14
30+
￥39.64
100+
￥35.87

有货

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型号：MMBT4401-7-F 编号：C151826

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。适用于中功率放大和开关。互补PNP型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

20+
￥0.1965
200+
￥0.1517
600+
￥0.1268
3000+
￥0.1118
9000+
￥0.0989

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型号：DMMT5401-7-F 编号：C154733

封装：SOT-26(SC74R)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -150V，2% 匹配容差。 hFE、Vce(SAT)、Vbe(SAT) 适合中功率放大和开关。单个 SOT26 (SC74R) 封装中的双晶体管，占用空间为两个等效 SOT23 晶体管的一半。外延平面管芯结构。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色” 器件

数据手册

5+
￥0.7537
50+
￥0.5874
150+
￥0.5043
500+
￥0.442
3000+
￥0.3921
6000+
￥0.3672

有货

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型号：FMMT619TA 编号：C15331

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。连续集电极电流 IC = 2A。功率耗散 625mW。低饱和电压：VCE(sat) < 200mV @ 1A。 RCE(sat) = 68mΩ，低等效导通电阻。 hFE 特性高达 6A，高电流增益保持。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC / DC-AC 转换器

数据手册

5+
￥0.9439
50+
￥0.758
150+
￥0.6651
500+
￥0.5954
3000+
￥0.5121
6000+
￥0.4842

有货

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型号：ZX5T1951GTA 编号：C155516

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -6A 连续集电极电流。低饱和电压 VCE(sat) < -95mV 最大值 @ -1A。 RCE(sat) = 40mΩ 低等效导通电阻。 hFE 指定至 -10A 以实现高增益保持。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。 DC-DC 模块

数据手册

5+
￥1.8545
50+
￥1.5007
150+
￥1.349
1000+
￥1.1598
2000+
￥1.0756
5000+
￥1.025

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型号：FZT857TA 编号：C460220

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 300V。高连续集电极电流 IC = 3.5A。峰值脉冲电流 ICM = 5A。极低饱和电压 VCE(SAT) < 155mV @ 1A。低等效导通电阻 RCE(SAT) = 87mΩ。 hFE 高达 3A 时仍有高增益保持。互补 PNP 型：FZT957。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

1+
￥3.62
10+
￥2.92
30+
￥2.57
100+
￥2.22
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￥1.83
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