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1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
型号：IRF7343TRPBF-VB 编号：C558150
封装：SO-8
品牌：VBsemi(微碧半导体)
台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
    型号：SI4559ADY-T1-E3-VB 编号：C5878842
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
    型号：SI4599DY-T1-GE3-VB 编号：C6705316
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

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    型号：IRF3205ZPBF-VB 编号：C7429007
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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    型号：ZXMC6A09DN8TC-VB 编号：C4355082
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
    数据手册

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
    型号：VBA5638 编号：C416206
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
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    型号：STP80NF70-VB 编号：C7463568
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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    型号：RU7088R-VB 编号：C878832
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
    数据手册

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    型号：IXFH140N10P-VB 编号：C19626844
    封装：TO-247
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:150A
    型号：IRFP4410ZPBF-VB 编号：C7494551
    封装：TO-247AC
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
    型号：ZXMC4559DN8TA-VB 编号：C879006
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：BUK7509-55A-VB 编号：C878788
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：IRF3205PBF-VB 编号：C5355755
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
    数据手册

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      ￥5.928 ￥6.24

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：K4145-VB 编号：C878790
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
    数据手册

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    • 500+

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
    型号：FDS4897AC-NL-VB 编号：C7463686
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

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    N沟道,电流:120A,耐压:60V
    型号：CSD18533KCS-VB 编号：C2680845
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
    数据手册

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A 4.9A
    型号：SI4559EY-T1-E3-VB 编号：C5441246
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
    数据手册

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
    型号：AO4614B&40V-VB 编号：C7494511
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A 4.9A
    型号：FDS4559-NL-VB 编号：C558125
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
    数据手册

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      ￥2.071 ￥2.18

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      ￥1.9855 ￥2.09

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
    型号：AO4611-VB 编号：C557956
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
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