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1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
型号：SI4599DY-T1-GE3-VB 编号：C6705316
封装：SO-8
品牌：VBsemi(微碧半导体)
台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
    型号：IRF7343TRPBF-VB 编号：C558150
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
    型号：SI4559ADY-T1-E3-VB 编号：C5878842
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A 4.9A
    型号：ZXMC6A09DN8TC-VB 编号：C4355082
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
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    型号：FDS4897AC-NL-VB 编号：C7463686
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

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    型号：IRF3205ZPBF-VB 编号：C7429007
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：VBM1606 编号：C481016
    封装：ITO-220AB-3
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A 4.9A
    型号：SI4559EY-T1-E3-VB 编号：C5441246
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
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    型号：VBA5638 编号：C416206
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：2SK3069-VB 编号：C19188261
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：CSD18534KCS-VB 编号：C693305
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：STP80NF70-VB 编号：C7463568
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：IRF3205PBF-VB 编号：C5355755
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：HRF3205-VB 编号：C7569010
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
    型号：VBZA4611 编号：C700591
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
    数据手册

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
    型号：AO4614B&40V-VB 编号：C7494511
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
    型号：AO4611-VB 编号：C557956
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
    数据手册

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
    型号：ZXMC4559DN8TA-VB 编号：C879006
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：STP90N55F4-VB 编号：C878831
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：BUK7509-55A-VB 编号：C878788
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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