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首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管
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车规场效应晶体管
型号：BR2N7002LK2Q 编号：C36499079
封装：SOT-23
品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)
AEC-Q101车规场效应晶体管 N沟道 60V 0.36A

  • 1+

    ￥0.1683

  • 200+

    ￥0.0672

  • 500+

    ￥0.065

  • 1000+

    ￥0.0638
  • 订货
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    预售商品
    车规场效应晶体管
    型号：BRBSS84Q 编号：C36499058
    封装：SOT-23
    品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)
    AEC-Q101车规场效应晶体管 P沟道 50V 0.13A带ESD

    • 1+

      ￥0.2112

    • 200+

      ￥0.0843

    • 500+

      ￥0.0815

    • 1000+

      ￥0.0801
  • 订货
    • 我要订货
    预售商品
    30V, N通道, 增强模式场效应晶体管
    型号：PXN6R7-30QLJ 编号：C3278433
    封装：MLPAK(3.3x3.3)
    品牌：Nexperia(安世)

    • 1+

      ￥2.7528

    • 200+

      ￥1.0653

    • 500+

      ￥1.0279

    • 1000+

      ￥1.0094
  • 订货
    • 我要订货
    预售商品
    车规场效应晶体管
    型号：BRCS2310MAQ 编号：C36499002
    封装：SOT-23
    品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)
    AEC-Q101车规场效应晶体管 电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换

    • 1+

      ￥0.5294

    • 200+

      ￥0.2113

    • 500+

      ￥0.2042

    • 1000+

      ￥0.2007
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    • 我要订货
    预售商品
    双N沟道和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管,电流:0.5A,耐压:25V
    型号：FDG6321C-F169 编号：C3276254
    封装：-
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 1+

      ￥1.0732

    • 200+

      ￥0.4154

    • 500+

      ￥0.4008

    • 1000+

      ￥0.3936
  • 订货
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    预售商品
    N-通道硅结型场效应晶体管,电流:20mA,耐压:30V
    型号：2SK160A-T1B-A 编号：C3283095
    封装：-
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

    • 1+

      ￥1.0732

    • 200+

      ￥0.4154

    • 500+

      ￥0.4008

    • 1000+

      ￥0.3936
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    预售商品
    22V输入，10A集成场效应晶体管(FET)转换器
    型号：FX026 编号：C2072943
    封装：VQFN-CLIP-28-EP(3.5x4.5)
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS51362 具有超低静态电流的 3V 至 22V、10A 同步降压转换器
    数据手册

    • 单价：

      ￥13.611902 / 个
    我要订货
    预售商品
    N-通道MOS场效应晶体管,电流:2.5A,耐压:30V
    型号：2SK3105-T1B-A 编号：C3283237
    封装：-
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

    • 1+

      ￥3.3

    • 200+

      ￥1.28

    • 500+

      ￥1.23

    • 1000+

      ￥1.21
  • 订货
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    预售商品
    具有过压保护和阻断场效应晶体管 (FET) 控制的电子熔丝 (eFuse)
    型号：TPS2592AADRCT 编号：C3662921
    封装：VSON-10(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS2592AA 4.5V 至 13.8V、28mΩ、2A 至 3.7A 电子保险丝
    数据手册

    • 单价：

      ￥9.1524 / 个
    我要订货
    预售商品
    60V 5A 硅 N 沟道热场效应晶体管
    型号：RJF0604JPD-00#J3 编号：C3230029
    封装：DPAK-3
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

    • 1+

      ￥6.05

    • 200+

      ￥2.34

    • 500+

      ￥2.26

    • 1000+

      ￥2.22
  • 订货
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    预售商品
    -60V, -10A, P沟道热场效应晶体管
    型号：RJE0618JSP-00#J0 编号：C3235470
    封装：SOP-8
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

    • 1+

      ￥7.41

    • 200+

      ￥2.87

    • 500+

      ￥2.77

    • 1000+

      ￥2.72
  • 订货
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    预售商品
    -60V, -1.5A, P沟道热场效应晶体管
    型号：RJE0623JSP-00#J0 编号：C3235467
    封装：SOP-8
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

    • 单价：

      ￥20.311027 / 个
    我要订货
    预售商品
    60V 1.5A N 沟道热场效应晶体管
    型号：RJF0614JSP-00#J0 编号：C3235486
    封装：SOP-8
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

    • 1+

      ￥8.29

    • 200+

      ￥3.21

    • 500+

      ￥3.1

    • 1000+

      ￥3.04
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    预售商品
    60V 1.5A 硅 N 沟道热场效应晶体管
    型号：RJF0610JSP-00#J0 编号：C3235476
    封装：SOP-8
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

    • 1+

      ￥8.56

    • 200+

      ￥3.32

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      ￥3.2

    • 1000+

      ￥3.14
  • 订货
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    预售商品
    -60V, -1.5A, P沟道热场效应晶体管功率开关
    型号：RJE0617JSP-00#J0 编号：C3235487
    封装：SOP-8
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

    • 1+

      ￥10.14

    • 200+

      ￥3.93

    • 500+

      ￥3.79

    • 1000+

      ￥3.72
  • 订货
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    预售商品
    60V, 30A 硅 N 沟道热场效应晶体管
    型号：RJF0619JPE-00#J3 编号：C3220299
    封装：SC-83
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

    • 1+

      ￥10.66

    • 200+

      ￥4.13

    • 500+

      ￥3.98

    • 1000+

      ￥3.91
  • 订货
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    预售商品
    1W异质结场效应晶体管,电流:300mA,耐压:9V
    型号：XF1001-SC-0G0T 编号：C3280286
    封装：SOT-89
    品牌：MACOM

    • 1+

      ￥58.02

    • 200+

      ￥22.46

    • 500+

      ￥21.67

    • 1000+

      ￥21.28
  • 订货
    • 我要订货
    预售商品
    N通道增强模式场效应晶体管,电流:0.55A,耐压:60V
    型号：PMR780SN115 编号：C3289620
    封装：SC-75
    品牌：Nexperia(安世)

    • 1+

      ￥0.644

    • 200+

      ￥0.2492

    • 500+

      ￥0.2405

    • 1000+

      ￥0.2362
  • 订货
    • 我要订货
    预售商品
    7V、17A同步场效应晶体管互补驱动同步半桥
    型号：CD22402E 编号：C17528878
    封装：PDIP-24
    品牌：TI(德州仪器)

    • 1+

      ￥77.23

    • 165+

      ￥30.82

    • 495+

      ￥29.79

    • 990+

      ￥29.28
  • 订货
    • 我要订货
    UCC2751x单通道、高速、低侧栅极驱动器
    型号：UCC27517DBVR 编号：C99395
    封装：SOT-23-5
    品牌：TI(德州仪器)
    UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。 当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9531

    • 50+

      ￥0.745

    • 150+

      ￥0.6435

    • 500+

      ￥0.5528

    • 3000+

      ￥0.4652

    • 6000+

      ￥0.4502
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:25V 电流:0.22A
    型号：FDV301N 编号：C15310
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2467

    • 200+

      ￥0.1927

    • 600+

      ￥0.1687

    • 3000+

      ￥0.1221

    • 9000+

      ￥0.1149

    • 21000+

      ￥0.1101
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：PMV65XPEAR 编号：C2889116
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装
    数据手册

    • 1+

      ￥2.63

    • 10+

      ￥2.08

    • 30+

      ￥1.85

    • 100+

      ￥1.5132 ￥1.56

    • 500+

      ￥1.3774 ￥1.42

    • 1000+

      ￥1.2707 ￥1.31
  • 有货
    • 立即购买
    降压型 5A 4.5V~42V
    型号：TPS54540DDAR 编号：C95286
    封装：SOIC-8-EP
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS54540是一款42V,5A,降压稳压器,此稳压器具有一个集成的高侧MOSFET。按照ISO7637标准,此器件能够耐受高达45V的抛负载脉冲。电流模控制提供了简单的外部补偿和灵活的组件选择。一个146uA静态运行电流和2uA关断电流。100kHz至2.5MHz的固定开关频率。轻负载条件下使用集成型引导(BOOT)再充电场效应晶体管(FET)实现的低压降。
    数据手册

    • 1+

      ￥8.68

    • 10+

      ￥7.61

    • 30+

      ￥6.6

    • 100+

      ￥5.41

    • 500+

      ￥5.1

    • 1000+

      ￥4.95
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:20V 电流:0.87A
    型号：PMGD280UN,115 编号：C135817
    封装：TSSOP-6(SOT-363)
    品牌：Nexperia(安世)
    采用TrenchMOS™技术、塑料封装的双N沟道增强型场效应晶体管。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6791

    • 50+

      ￥1.3448

    • 150+

      ￥1.2016

    • 500+

      ￥0.97166 ￥1.0228

    • 3000+

      ￥0.89604 ￥0.9432

    • 6000+

      ￥0.850725 ￥0.8955
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:6A
    型号：ST3422A 编号：C2682907
    封装：SOT-23-3L
    品牌：STANSON(司坦森)
    ST3422A是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关的电池供电电路
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5174

    • 50+

      ￥0.4166

    • 150+

      ￥0.3662

    • 500+

      ￥0.3284

    • 3000+

      ￥0.2504

    • 6000+

      ￥0.2352
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:50V 电流:510mA
    型号：NDC7002N(UMW) 编号：C404322
    封装：SOT-23-6
    品牌：UMW(友台半导体)
    这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺旨在最大限度地降低导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6448

    • 50+

      ￥0.5044

    • 150+

      ￥0.4342

    • 500+

      ￥0.3816

    • 3000+

      ￥0.3195

    • 6000+

      ￥0.2984
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A
    型号：PMXB65ENEZ 编号：C547275
    封装：SOT1215
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.16

    • 10+

      ￥4.23

    • 30+

      ￥3.77

    • 100+

      ￥3.2107 ￥3.31

    • 500+

      ￥2.9488 ￥3.04

    • 1000+

      ￥2.813 ￥2.9
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：NX7002AKVL 编号：C551606
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4382

    • 100+

      ￥0.3474

    • 300+

      ￥0.302

    • 1000+

      ￥0.259863 ￥0.2679

    • 5000+

      ￥0.233479 ￥0.2407

    • 10000+

      ￥0.220287 ￥0.2271
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:1A
    型号：PMF170XP,115 编号：C389353
    封装：SOT-323
    品牌：Nexperia(安世)
    采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用SOT323（SC - 70）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.916

    • 50+

      ￥0.7262

    • 150+

      ￥0.6312

    • 500+

      ￥0.543297 ￥0.5601

    • 3000+

      ￥0.488007 ￥0.5031

    • 6000+

      ￥0.460362 ￥0.4746
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:30V 电流:180mA
    型号：NX3020NAKS,115 编号：C179400
    封装：TSSOP-6(SOT-363)
    品牌：Nexperia(安世)
    双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装封装 (SMD) 塑料封装。
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