场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

预售商品

型号：PXN6R7-30QLJ 编号：C3278433

封装：MLPAK(3.3x3.3)

品牌：Nexperia(安世)

3000+
￥3.42
6000+
￥3.36
9000+
￥3.3

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型号：BRCS2310MAQ 编号：C36499002

封装：SOT-23

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

AEC-Q101车规场效应晶体管电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换

1+
￥0.5294
200+
￥0.2113
500+
￥0.2042
1000+
￥0.2007

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型号：FDG6321C-F169 编号：C3276254

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥1.0732
200+
￥0.4154
500+
￥0.4008
1000+
￥0.3936

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型号：FX026 编号：C2072943

封装：VQFN-CLIP-28-EP(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

TPS51362 具有超低静态电流的 3V 至 22V、10A 同步降压转换器

数据手册

单价：
￥13.382496 / 个

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型号：2SK160A-T1B-A 编号：C3283095

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥1.0732
200+
￥0.4154
500+
￥0.4008
1000+
￥0.3936

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预售商品

型号：2SK3105-T1B-A 编号：C3283237

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥3.3
200+
￥1.28
500+
￥1.23
1000+
￥1.21

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型号：ZXMS6006SGQTA 编号：C17554252

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

单价：
￥6.170027 / 个

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预售商品

型号：TPS2592AADRCT 编号：C3662921

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS2592AA 4.5V 至 13.8V、28mΩ、2A 至 3.7A 电子保险丝

数据手册

单价：
￥8.99815 / 个

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预售商品

型号：RJF0604JPD-00#J3 编号：C3230029

封装：DPAK-3

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥6.05
200+
￥2.34
500+
￥2.26
1000+
￥2.22

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预售商品

型号：RJE0618JSP-00#J0 编号：C3235470

封装：SOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥7.41
200+
￥2.87
500+
￥2.77
1000+
￥2.72

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预售商品

型号：RJE0623JSP-00#J0 编号：C3235467

封装：SOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥7.56
200+
￥2.93
500+
￥2.82
1000+
￥2.77

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预售商品

型号：RJF0614JSP-00#J0 编号：C3235486

封装：SOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥8.29
200+
￥3.21
500+
￥3.1
1000+
￥3.04

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预售商品

型号：RJF0610JSP-00#J0 编号：C3235476

封装：SOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥8.56
200+
￥3.32
500+
￥3.2
1000+
￥3.14

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预售商品

型号：RJE0617JSP-00#J0 编号：C3235487

封装：SOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥10.14
200+
￥3.93
500+
￥3.79
1000+
￥3.72

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预售商品

型号：RJF0619JPE-00#J3 编号：C3220299

封装：SC-83

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥10.66
200+
￥4.13
500+
￥3.98
1000+
￥3.91

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型号：XF1001-SC-0G0T 编号：C3280286

封装：SOT-89

品牌：MACOM

1+
￥58.02
200+
￥22.46
500+
￥21.67
1000+
￥21.28

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型号：PMR780SN115 编号：C3289620

封装：SC-75

品牌：Nexperia(安世)

1+
￥0.644
200+
￥0.2492
500+
￥0.2405
1000+
￥0.2362

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型号：CD22402E 编号：C17528878

封装：PDIP-24

品牌：TI(德州仪器)

1+
￥77.23
165+
￥30.82
495+
￥29.79
990+
￥29.28

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型号：TPS54540DDAR 编号：C95286

封装：SOIC-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

TPS54540是一款42V,5A,降压稳压器,此稳压器具有一个集成的高侧MOSFET。按照ISO7637标准,此器件能够耐受高达45V的抛负载脉冲。电流模控制提供了简单的外部补偿和灵活的组件选择。一个146uA静态运行电流和2uA关断电流。100kHz至2.5MHz的固定开关频率。轻负载条件下使用集成型引导(BOOT)再充电场效应晶体管(FET)实现的低压降。

数据手册

1+
￥8.64
10+
￥7.69
30+
￥6.78
100+
￥5.72
500+
￥5.44
1000+
￥5.3

有货

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型号：FDV301N 编号：C15310

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

数据手册

10+
￥0.2667
100+
￥0.2127
300+
￥0.1887
1500+
￥0.1421
4500+
￥0.1349
10500+
￥0.13

有货

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型号：UCC27517DBVR 编号：C99395

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

数据手册

5+
￥1.7463
50+
￥1.3997
150+
￥1.2305
500+
￥1.0796
3000+
￥0.9336
6000+
￥0.9087

有货

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型号：2N7002BK,215 编号：C282405

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

10+
￥0.4485
100+
￥0.3525
300+
￥0.3045
3000+
￥0.2647
6000+
￥0.2359
9000+
￥0.2215

有货

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型号：BSS138BK,215 编号：C282529

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N-沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装

数据手册

5+
￥0.5878
50+
￥0.4668
150+
￥0.4064
500+
￥0.361
3000+
￥0.3167
6000+
￥0.2985

有货

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型号：MS50N06 编号：C2902884

封装：TO-252-2

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥0.71098 ￥0.7484
50+
￥0.572755 ￥0.6029
150+
￥0.50369 ￥0.5302
500+
￥0.45182 ￥0.4756
2500+
￥0.39539 ￥0.4162
5000+
￥0.37468 ￥0.3944

有货

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型号：NDC7002N(UMW) 编号：C404322

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺旨在最大限度地降低导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关。

数据手册

5+
￥0.6442
50+
￥0.5038
150+
￥0.4336
500+
￥0.381
3000+
￥0.3189
6000+
￥0.2978

有货

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型号：BSS123-7-F 编号：C85107

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高密度先进沟槽技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如：小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、开关应用

数据手册

20+
￥0.2668
200+
￥0.2162
600+
￥0.1881
3000+
￥0.1622
9000+
￥0.1476
21000+
￥0.1397

有货

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型号：PMGD280UN,115 编号：C135817

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

采用TrenchMOS™技术、塑料封装的双N沟道增强型场效应晶体管。

数据手册

5+
￥0.8078
50+
￥0.6356
150+
￥0.5495
500+
￥0.4849
3000+
￥0.4332
6000+
￥0.4073

有货

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型号：FDN337N 编号：C241805

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

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