场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IPP65R150CFDAAKSA1-VB 编号：C45662408

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

1+
￥11.08
10+
￥10.84
50+
￥10.68

有货

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型号：FCH099N60E-VB 编号：C45350908

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；36A；RDS(ON)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30VVth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

1+
￥18.59
10+
￥18.15
30+
￥17.86

有货

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型号：STW45N60DM2AG-VB 编号：C46527870

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；36A；RDS(ON)=75(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；

1+
￥19.77
10+
￥19.33
30+
￥19.04

有货

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型号：STW56N65DM2-VB 编号：C46527874

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；47A；RDS(ON)=50(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；

1+
￥27.46
10+
￥26.85
30+
￥26.44

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型号：IPW65R070C6FKSA1-VB 编号：C45662436

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道,650V；47A；RDS(ON)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

1+
￥27.46
10+
￥26.85
30+
￥26.44

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型号：MP86905GR-Z 编号：C3655435

封装：QFN-23(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP86905 是一款单片半桥芯片，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86905 在较宽的输入电源范围内可实现 50A 的连续输出电流。MP86905 采用单片 IC 方案，每相可驱动高达 50A 的电流。驱动器和 MOSFET 的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86905 的工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。MP86905 具备诸多特性，可简化系统设计。MP86905 可与具有三态 PWM 信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86905 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。MP86905 采用小型 FC - QFN（4mmx4mm）封装。

1+
￥50.5477
50+
￥44.507
100+
￥41.7818

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型号：LF256H/NOPB 编号：C1346405

封装：TO-99-8

品牌：TI(德州仪器)

LF256 单通道、40V、5MHz、FET 输入运算放大器

数据手册

单价：
￥194 / 个

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型号：SN74CBTLV3125DGVR 编号：C2674493

封装：TVSOP-14

品牌：TI(德州仪器)

SN74CBTLV3125 具有断电保护功能的 3.3V、1:1 (SPST)、4 通道 FET 总线开关

数据手册

1+
￥2.78
10+
￥2.71
30+
￥2.66

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型号：TPS2592ALDRCR 编号：C3662909

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS2592AL 4.5V 至 13.8V、28mΩ、2A 至 3.7A 电子保险丝

数据手册

1+
￥4.55
10+
￥4.44
30+
￥4.36

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型号：UCC27532QDBVRQ1 编号：C2677056

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO、35V VDD 和 CMOS 输入的汽车类 2.5A/5A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 140

数据手册

1+
￥10.03
10+
￥9.77
30+
￥9.6

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型号：TK18A50D(STA4,X,M) 编号：C471287

封装：TO-220F-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.22Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.5S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器应用