场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSS123-13-F 编号：C29118101

封装：-

品牌：DIODES(美台)

这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有、高密度和先进的沟槽技术生产。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用。

10+
￥0.1822
100+
￥0.178
300+
￥0.1752

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型号：SE4606L 编号：C238713

封装：SOP-8

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：n沟道: -漏源电压（VDS） = 20V。 -漏极电流（ID） = 7A。 -导通电阻（RDS(ON)） = 20.0mΩ（VGS = 4.5V）。 p沟道: -漏源电压（VDS） = -18V。 -漏极电流（ID） = -5A。 -导通电阻（RDS(ON)） = 30mΩ（VGS = -4.5V）。应用：台式机或DC/DC转换器中的电源管理

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5+
￥0.6834
50+
￥0.5538
150+
￥0.489
500+
￥0.4404
2500+
￥0.3367
5000+
￥0.3173

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型号：SN74CBTLV3125DGVR 编号：C2674493

封装：TVSOP-14

品牌：TI(德州仪器)

SN74CBTLV3125 具有断电保护功能的 3.3V、1:1 (SPST)、4 通道 FET 总线开关

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1+
￥2.71
10+
￥2.64
30+
￥2.6

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型号：SN74CBT3125RGYR 编号：C2876769

封装：VQFN-14-EP(3.5x3.5)

品牌：TI(德州仪器)

SN74CBT3125 具有标准的 '125 型引脚排列的 5V、1:1 (SPST)、4 通道、通用 FET 总线开关

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1+
￥3.41
10+
￥3.34
30+
￥3.29
100+
￥3.24

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型号：TPS2592ALDRCR 编号：C3662909

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS2592AL 4.5V 至 13.8V、28mΩ、2A 至 3.7A 电子保险丝

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1+
￥4.55
10+
￥4.44
30+
￥4.36

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型号：CPC5602CTR 编号：C5374821

封装：SOT-223

品牌：Littelfuse(美国力特)

CPC5602 是一款 N 沟道耗尽型场效应晶体管（FET），采用了专有的第三代垂直 DMOS 工艺。第三代工艺在经济高效的硅栅工艺中实现了高压 MOSFET 性能。垂直 DMOS 工艺制造出的器件可靠性极高，尤其适用于电信、安防和电源等严苛的应用环境

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1+
￥5.7
10+
￥4.68
30+
￥4.17

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型号：TK18A50D(STA4,X,M) 编号：C471287

封装：TO-220F-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.22Ω (典型值)。高正向传输导纳：|Yfs| = 8.5S (典型值)。低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器应用

1+
￥10.23
10+
￥9.99
50+
￥9.83

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型号：SAV-541+ 编号：C3279678

封装：SC-70-4

品牌：Mini-Circuits

是一款超低噪声、高IP3晶体管器件，采用E-PHEMT技术，可在单正电源电压下工作。在2.5 GHz以下具有出色的噪声系数，将低噪声系数与高IP3性能集于一身，是要求苛刻的基站应用的理想放大器。可提供组装成完整模块的产品，具备50Ω输入/输出，实现噪声匹配并经过全面规格测试。

1+
￥21.38
10+
￥18.3
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￥16.47

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型号：GAN190-650FBEZ 编号：C20235671

封装：DFN5060-5

品牌：Nexperia(安世)

GAN190 - 650FBE 是一款通用型 650 V、190 mΩ 的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），采用 5 mm x 6 mm DFN 表面贴装封装。它是一款常关型增强模式器件，性能卓越。

1+
￥46.99
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￥46.43
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￥46.05
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￥45.68

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型号：UC1710J 编号：C5218806

封装：CDIP-8

品牌：TI(德州仪器)

采用高速肖特基工艺制造，用于在低电平控制功能和高功率开关设备（特别是功率MOSFET）之间进行接口。这些设备接受低电流数字输入，以激活一个高电流图腾柱输出，该输出可以提供或吸收至少6A的电流。VIN和VC的电源电压可以独立地在4.7V至18V的范围内变化。这些设备还具有带迟滞的欠压锁定功能。

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1+
￥248.31
10+
￥240.49

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型号：SSM3J130TU,LF 编号：C6342361

封装：2-2U1A

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 63.2mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 41.1mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 31.0mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 25.8mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)