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首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管
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P沟道增强型场效应晶体管
型号：BC3401 编号：C5362100
封装：SOT-23
品牌：CBI(创基)
电流:4.2A 电压:30V
数据手册

  • 10+

    ￥0.2627

  • 100+

    ￥0.2089

  • 300+

    ￥0.1819

  • 3000+

    ￥0.1561

  • 6000+

    ￥0.14

  • 9000+

    ￥0.1319
  • 有货
    • 立即购买
    场效应晶体管，硅N沟道结型，适用于音频低噪声放大器应用
    型号：2SK2145-BL(TE85L,F 编号：C5271170
    封装：SOT-753
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    适用于音频低噪声放大器应用，在一个 SM5（超小型 5 引脚）封装中包含两个器件。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.17

    • 10+

      ￥4.18

    • 30+

      ￥3.68
  • 有货
    • 立即购买
    集成驱动器和高速场效应晶体管/低速场效应晶体管的智能相位解决方案
    型号：MPQ6400DG-01-AEC1-LF-Z 编号：C6909652
    封装：QFN-6(2x2)
    品牌：MPS(芯源)
    是一款单片半桥IntelliPhaseTM解决方案，内置内部功率MOSFET和栅极驱动器。它可在较宽的输入电源范围内实现60A的连续输出电流。采用单片IC方法，每相可驱动高达60A的电流。集成驱动器和MOSFET通过优化死区时间和降低寄生电感来提供高效率。该器件可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，工作频率范围为100kHz至3MHz。简化系统设计的特性包括用于监测电感电流的精确电流检测（Accu-SenseTM）和用于报告结温的温度检测。非常适合对效率和小尺寸要求较高的服务器应用。采用非常小的TQFN-23（3mmx6mm）封装。

    • 1+

      ￥16.7946

    • 50+

      ￥14.3369

    • 100+

      ￥13.5176
  • 有货
    • 立即购买
    2.5V驱动，N沟道MOS场效应晶体管
    型号：2SK3018FPDT106 编号：C507473
    封装：SOT-323
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动（2.5V），适用于便携式设备。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用：接口。 开关（30V，100mA）

    • 10+

      ￥0.3055

    • 100+

      ￥0.2431

    • 300+

      ￥0.2119
  • 有货
    • 立即购买
    双N沟道增强模式场效应晶体管 耐压:20V 电流:7A
    型号：SE8810A(ESD) 编号：C238647
    封装：SOT-23-6
    品牌：SINO-IC(光宇睿芯)
    特性：对于单个MOSFET。 VDS = 20 V。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 4.5V @ Ids = 7A。 RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 2.5V @ Ids = 4A。应用：电池保护。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.527

    • 50+

      ￥0.4166

    • 150+

      ￥0.3614

    • 500+

      ￥0.32

    • 3000+

      ￥0.2869

    • 6000+

      ￥0.2703
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道硅MOS型场效应晶体管，2.5V驱动，低导通电阻
    型号：SSM6N15AFE,LM 编号：C3034752
    封装：SOT-563(SOT-666)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：2.5V驱动。 N沟道2合1。 低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω (max) (VGS = 4.0V)；RDS(ON) = 6.0Ω (max) (VGS = 2.5V)。应用：负载开关应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9378

    • 50+

      ￥0.7306

    • 150+

      ￥0.6418

    • 500+

      ￥0.5311
  • 有货
    • 立即购买
    汽车级P沟道80V（D-S）、175°C CMOS场效应晶体管
    型号：SQS181ELNW-T1_GE3 编号：C22414861
    封装：PowerPAK1212-8SLW
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：沟道功率 MOSFET。AEC-Q101 认证。100% Rg 和 UIS 测试。材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档

    • 1+

      ￥8.77

    • 10+

      ￥7.4

    • 30+

      ￥6.65
  • 有货
    • 立即购买
    TL08xx 结型场效应晶体管输入运算放大器
    型号：TL081CDR 编号：C67474
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    TL081 单通道、30V、3MHz、13V/μs 压摆率、输入接近 V+、JFET 输入运算放大器
    数据手册

    • 1000+

      ￥0.9246

    • 5000+

      ￥0.8844
    我要订货
    双路N沟道和P沟道数字场效应晶体管
    型号：FDC6321C 编号：C890873
    封装：TSOT-23-6
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双N和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代负载开关应用中的数字晶体管。由于不需要偏置电阻，这种双数字FET可以替代多个具有不同偏置电阻的数字晶体管。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.64

    • 10+

      ￥2.05

    • 30+

      ￥1.8

    • 100+

      ￥1.49
  • 有货
    • 立即购买
    60V自保护低侧智能场效应晶体管MOSFET开关
    型号：BSP75NTA 编号：C172450
    封装：SOT-223-4
    品牌：DIODES(美台)
    BSP75N 是一款自保护型低侧 IntelliFET MOSFET。它具有单片过温、过流、过压（有源钳位）和 ESD 保护逻辑电平功能。它旨在用作通用开关
    数据手册

    • 单价：

      ￥2.89263 / 个
    我要订货
    2.5A和5A，35V最大值VDD场效应晶体管（FET）和绝缘栅双极晶体管(IGBT）单栅极驱动器
    型号：UCC27532DBVR 编号：C2677173
    封装：SOT-23-6
    品牌：TI(德州仪器)
    具有 8V UVLO、35V VDD、CMOS 输入和分离输出的 2.5A/5A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 140
    数据手册

    • 1+

      ￥7.61

    • 10+

      ￥6.41

    • 30+

      ￥5.75

    • 100+

      ￥5
  • 有货
    • 立即购买
    TL082 宽带宽双结型场效应晶体管输入运算放大器
    型号：TL082CMX/NOPB 编号：C2057567
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    TL082-N 双通道、30V、4MHz、13V/μs 压摆率、输入接近 V+、JFET 输入运算放大器
    数据手册

    • 1+

      ￥10.82

    • 10+

      ￥9.12

    • 30+

      ￥8.05
  • 有货
    • 立即购买
    采用LGA封装、集成高速/低速场效应晶体管（FET）和驱动器的智能相位解决方案
    型号：MP86920GLV-Z 编号：C6675180
    封装：LGA-27(4x5)
    品牌：MPS(芯源)
    MP86920 是一款单片半桥驱动器，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，它可实现 20A 的连续输出电流。由于优化的死区时间和降低的寄生电感，集成的驱动器和 MOSFET 实现了高效率。该器件可与三态输出控制器配合使用，工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。它还具备通用电流检测和温度检测功能。MP86920 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。它采用 LGA - 27（4mmx5mm）封装。

    • 1+

      ￥20.8909

    • 50+

      ￥19.4162

    • 100+

      ￥15.4838
  • 有货
    • 立即购买
    650V，TO-220封装，单NMOS场效应晶体管
    型号：FCP260N65S3-VB 编号：C45350914
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；12A；RDS(ON)=360(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30VVth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

    • 1+

      ￥10.3

    • 10+

      ￥8.52

    • 50+

      ￥7.54
  • 有货
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    650V SJ_Multi-EPI，TO220封装，单NMOS场效应晶体管
    型号：SIHP12N60E-GE3-VB 编号：C46527798
    封装：TO-220
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；12A；RDS(ON)=360(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；

    • 1+

      ￥10.75

    • 10+

      ￥8.96

    • 50+

      ￥7.99
  • 有货
    • 立即购买
    650V，TO-220封装，单NMOS场效应晶体管
    型号：SIHP12N65E-GE3-VB 编号：C46527799
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；12A；RDS(ON)=360(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；

    • 1+

      ￥10.75

    • 10+

      ￥8.96

    • 50+

      ￥7.99
  • 有货
    • 立即购买
    600V SJ_Multi-EPI，TO247封装，单NMOS场效应晶体管
    型号：APT6029BLLG-VB 编号：C45350903
    封装：TO-247AC
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；600V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30VVth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

    • 1+

      ￥16.61

    • 10+

      ￥14.06

    • 30+

      ￥12.46
  • 有货
    • 立即购买
    650V SJ_Multi-EPI，TO220封装，单NMOS场效应晶体管
    型号：IPP65R115CFD7AAKSA1-VB 编号：C45662404
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

    • 1+

      ￥16.61

    • 10+

      ￥14.06

    • 50+

      ￥12.46
  • 有货
    • 立即购买
    单N沟道 SJ_Multi-EPI TO247 650V MOS场效应晶体管
    型号：IPW65R115CFD7AXKSA1-VB 编号：C45662441
    封装：TO-247
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

    • 1+

      ￥17.36

    • 10+

      ￥14.81

    • 30+

      ￥13.21
  • 有货
    • 立即购买
    650V 单 NMOS 场效应晶体管
    型号：IPP65R125C7XKSA1-VB 编号：C45662405
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

    • 1+

      ￥17.36

    • 10+

      ￥14.81

    • 50+

      ￥13.21
  • 有货
    • 立即购买
    TO220 SJ_Multi-EPI 650V 单NMOS场效应晶体管
    型号：IPP60R160P7XKSA1-VB 编号：C45662396
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

    • 1+

      ￥17.36

    • 10+

      ￥14.81

    • 50+

      ￥13.21
  • 有货
    • 立即购买
    650V 单 NMOS 场效应晶体管
    型号：IPW65R125CFD7XKSA1-VB 编号：C45662443
    封装：TO-247
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

    • 1+

      ￥17.36

    • 10+

      ￥14.81

    • 30+

      ￥13.21
  • 有货
    • 立即购买
    650V，TO220SJ封装，Multi-EPI单NMOS场效应晶体管
    型号：IPP65R150CFDAAKSA1-VB 编号：C45662408
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

    • 1+

      ￥17.36

    • 10+

      ￥14.81

    • 50+

      ￥13.21
  • 有货
    • 立即购买
    650V SJ_Multi-EPI，TO220封装，单NMOS场效应晶体管
    型号：NTP190N65S3HF-VB 编号：C46527478
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；

    • 1+

      ￥17.36

    • 10+

      ￥14.81

    • 50+

      ￥13.21
  • 有货
    • 立即购买
    650V 单 NMOS 场效应晶体管
    型号：FCH099N60E-VB 编号：C45350908
    封装：TO-247
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；36A；RDS(ON)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30VVth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

    • 1+

      ￥28.19

    • 10+

      ￥24.1

    • 30+

      ￥21.67
  • 有货
    • 立即购买
    650V SJ_Multi-EPI TO-247单NMOS场效应晶体管
    型号：STW45N60DM2AG-VB 编号：C46527870
    封装：TO-247
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；36A；RDS(ON)=75(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；

    • 1+

      ￥29.37

    • 10+

      ￥25.28

    • 30+

      ￥22.85
  • 有货
    • 立即购买
    650V SJ_Multi-EPI TO247单NMOS场效应晶体管
    型号：STW56N65DM2-VB 编号：C46527874
    封装：TO-247AC
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；47A；RDS(ON)=50(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；

    • 1+

      ￥36.4

    • 10+

      ￥31.51

    • 30+

      ￥28.53
  • 有货
    • 立即购买
    650V SJ_Multi-EPI TO247单NMOS场效应晶体管
    型号：IPW65R070C6FKSA1-VB 编号：C45662436
    封装：TO-247AC
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道,650V；47A；RDS(ON)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术

    • 1+

      ￥36.4

    • 10+

      ￥31.51

    • 30+

      ￥28.53
  • 有货
    • 立即购买
    集成高速/低速场效应晶体管（FET）和驱动器的智能相位解决方案
    型号：MP86905GR-Z 编号：C3655435
    封装：QFN-23(4x4)
    品牌：MPS(芯源)
    MP86905 是一款单片半桥芯片，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86905 在较宽的输入电源范围内可实现 50A 的连续输出电流。MP86905 采用单片 IC 方案，每相可驱动高达 50A 的电流。驱动器和 MOSFET 的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86905 的工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。MP86905 具备诸多特性，可简化系统设计。MP86905 可与具有三态 PWM 信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86905 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。MP86905 采用小型 FC - QFN（4mmx4mm）封装。

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    LFx5x 结型场效应晶体管输入运算放大器
    型号：LF256H/NOPB 编号：C1346405
    封装：TO-99-8
    品牌：TI(德州仪器)
    LF256 单通道、40V、5MHz、FET 输入运算放大器
    数据手册

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