场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：CSD19536KTT-VB 编号：C45662536

封装：TO-263

台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道,100V；180A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；是一款单通道N型场效应管，采用Trench工艺，适用于各种电子领域和电源模块。

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￥12.04
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型号：IXTH120N20X4-VB 编号：C46527444

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；200V；120A；RDS(ON)=8.5(mΩ)；VGS=±20V；Vth=4V；采用SGT技术；

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型号：MP86920GLV-Z 编号：C6675180

封装：LGA-27(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP86920 是一款单片半桥驱动器，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，它可实现 20A 的连续输出电流。由于优化的死区时间和降低的寄生电感，集成的驱动器和 MOSFET 实现了高效率。该器件可与三态输出控制器配合使用，工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。它还具备通用电流检测和温度检测功能。MP86920 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。它采用 LGA - 27（4mmx5mm）封装。

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￥20.8909
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型号：OP275GSZ-REEL 编号：C161797

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

双极性/JFET双通道音频运算放大器

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￥20.49
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型号：SSM6N15AFE,LM 编号：C3034752

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：2.5V驱动。 N沟道2合1。低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω (max) (VGS = 4.0V)；RDS(ON) = 6.0Ω (max) (VGS = 2.5V)。应用：负载开关应用

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￥0.9336
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￥0.7265
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型号：FDC6321C 编号：C890873

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

这些双N和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代负载开关应用中的数字晶体管。由于不需要偏置电阻，这种双数字FET可以替代多个具有不同偏置电阻的数字晶体管。

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型号：2SK2145-BL(TE85L,F 编号：C5271170

封装：SOT-753

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频低噪声放大器应用，在一个 SM5（超小型 5 引脚）封装中包含两个器件。

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￥5.17
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型号：SQS181ELNW-T1_GE3 编号：C22414861

封装：PowerPAK1212-8SLW

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟道功率 MOSFET。AEC-Q101 认证。100% Rg 和 UIS 测试。材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档

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￥8.59
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型号：MPQ6400DG-01-AEC1-LF-Z 编号：C6909652

封装：QFN-6(2x2)

品牌：MPS(芯源)

是一款单片半桥IntelliPhaseTM解决方案，内置内部功率MOSFET和栅极驱动器。它可在较宽的输入电源范围内实现60A的连续输出电流。采用单片IC方法，每相可驱动高达60A的电流。集成驱动器和MOSFET通过优化死区时间和降低寄生电感来提供高效率。该器件可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，工作频率范围为100kHz至3MHz。简化系统设计的特性包括用于监测电感电流的精确电流检测（Accu-SenseTM）和用于报告结温的温度检测。非常适合对效率和小尺寸要求较高的服务器应用。采用非常小的TQFN-23（3mmx6mm）封装。

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￥16.7946
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型号：ISC025N08NM5LF2ATMA1 编号：C22670494

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于热插拔、电池保护和电子保险丝应用。极低的导通电阻RDS(on)。宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥26.02
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型号：YJL05N04C 编号：C20605858

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：YANGJIE(扬杰)

沟槽功率中压MOSFET技术高速开关

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型号：SE8810A(ESD) 编号：C238647

封装：SOT-23-6

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：对于单个MOSFET。 VDS = 20 V。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 4.5V @ Ids = 7A。 RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 2.5V @ Ids = 4A。应用：电池保护。负载开关

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型号：SN74CBT1G125DBVR 编号：C2653276

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

SN74CBT1G125 具有直通式引脚排列的 5V、1:1 (SPST)、单通道通用 FET 总线开关

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型号：TL082CMX/NOPB 编号：C2057567

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TL082-N 双通道、30V、4MHz、13V/μs 压摆率、输入接近 V+、JFET 输入运算放大器

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型号：GAN190-650FBEZ 编号：C20235671

封装：DFN5060-5

品牌：Nexperia(安世)

GAN190 - 650FBE 是一款通用型 650 V、190 mΩ 的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），采用 5 mm x 6 mm DFN 表面贴装封装。它是一款常关型增强模式器件，性能卓越。

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型号：SE8205A 编号：C238644

封装：SOT-23-6

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：对于单个MOSFET: VDS = 20 V。 RDS(ON) = 21mΩ @ VGS=4.5。应用：电池保护。负载开关

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￥0.2348
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￥0.1829
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型号：SE4606L 编号：C238713

封装：SOP-8

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：n沟道: -漏源电压（VDS） = 20V。 -漏极电流（ID） = 7A。 -导通电阻（RDS(ON)） = 20.0mΩ（VGS = 4.5V）。 p沟道: -漏源电压（VDS） = -18V。 -漏极电流（ID） = -5A。 -导通电阻（RDS(ON)） = 30mΩ（VGS = -4.5V）。应用：台式机或DC/DC转换器中的电源管理

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￥0.5538
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￥0.489
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￥0.4404
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￥0.3173

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型号：BSS123-13-F 编号：C29118101

封装：-

品牌：DIODES(美台)

这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有、高密度和先进的沟槽技术生产。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用。

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型号：SSM3J130TU,LF 编号：C6342361

封装：2-2U1A

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 63.2mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 41.1mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 31.0mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 25.8mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)