场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSS138 编号：C18195371

封装：SOT-23

品牌：LJ(朗捷)

特性：低导通电阻。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏

20+
￥0.1711
200+
￥0.1333
600+
￥0.1123
3000+
￥0.0997
9000+
￥0.0887
21000+
￥0.0829

有货

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型号：YJH03N06A 编号：C2942410

封装：SOT-89

品牌：YANGJIE(扬杰)

采用沟槽功率中压MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

5+
￥0.4938
50+
￥0.397
150+
￥0.3486

有货

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型号：KF10N60F-U/PSF 编号：C5274815

封装：TO-220AB

品牌：KEC

这种平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和出色的雪崩特性。它主要适用于有源功率因数校正和开关模式电源。

数据手册

1+
￥3.73
10+
￥3.32
50+
￥2.74
100+
￥2.54
500+
￥2.42

有货

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型号：2SK2145-GR(TE85L,F 编号：C5367351

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频低噪声放大器应用，在一个 SM5（超小型 5 引脚）封装中包含两个器件。

1+
￥4.45
10+
￥3.55
30+
￥3.1
100+
￥2.65
500+
￥2.38

有货

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型号：LM5D40N10 编号：C3647066

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Leiditech(雷卯电子)

LM5D40N10采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。

数据手册

1+
￥4.5505 ￥4.79
10+
￥3.686 ￥3.88
30+
￥3.249 ￥3.42
100+
￥2.8215 ￥2.97
500+
￥2.451 ￥2.58
1000+
￥2.318 ￥2.44

有货

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型号：UCC27532DBVR 编号：C2677173

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO、35V VDD、CMOS 输入和分离输出的 2.5A/5A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 140

数据手册

1+
￥5.232 ￥5.45
10+
￥4.257 ￥4.95
30+
￥3.5568 ￥4.68
100+
￥3.3212 ￥4.37
500+
￥3.2148 ￥4.23
1000+
￥3.1692 ￥4.17

有货

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型号：OP275GSZ 编号：C147933

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

双极性/JFET双通道音频运算放大器

数据手册

1+
￥22.96
10+
￥19.61
30+
￥17.62

有货

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型号：2N7002KW 编号：C18164535

封装：SOT-323

品牌：DIYI(迪一/芯诺)

特性：高密度单元设计，实现低RDS(ON)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力

10+
￥0.1926 ￥0.3852
100+
￥0.15225 ￥0.3045
300+
￥0.13205 ￥0.2641
3000+
￥0.11695 ￥0.2339
6000+
￥0.10485 ￥0.2097
9000+
￥0.0988 ￥0.1976

有货

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型号：XCH6003 编号：C53155321

封装：SOT-23-3L

品牌：XCH(旭昌辉)

10+
￥0.19392 ￥0.2424
100+
￥0.18968 ￥0.2371
300+
￥0.18688 ￥0.2336
1000+
￥0.184 ￥0.23

有货

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型号：XCH3N10 编号：C53155320

封装：SOT-23-3L

品牌：XCH(旭昌辉)

5+
￥0.22536 ￥0.2817
50+
￥0.2204 ￥0.2755
150+
￥0.21712 ￥0.2714
500+
￥0.21384 ￥0.2673

有货

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型号：PMV30UN2R-VB 编号：C45662631

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。

10+
￥0.22724 ￥0.2392
100+
￥0.2223 ￥0.234
300+
￥0.218975 ￥0.2305
1000+
￥0.215745 ￥0.2271

有货

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型号：YJL3134KAX 编号：C20605873

封装：SOT-563

品牌：YANGJIE(扬杰)

采用法国功率低压MOSFET技术。具有高功率和电流处理能力。湿度敏感度等级为1级。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

10+
￥0.271
100+
￥0.2192
300+
￥0.1933

有货

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型号：XCH4N80N 编号：C53155323

封装：TO-251

品牌：XCH(旭昌辉)

5+
￥0.44024 ￥0.5503
50+
￥0.43056 ￥0.5382
150+
￥0.42416 ￥0.5302
500+
￥0.41768 ￥0.5221

有货

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型号：XCH5N65F 编号：C53155324

封装：TO220-AB

品牌：XCH(旭昌辉)

5+
￥0.62896 ￥0.7862
50+
￥0.61512 ￥0.7689
150+
￥0.60592 ￥0.7574
500+
￥0.59664 ￥0.7458

有货

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型号：LG50N10AP 编号：C53155329

封装：TO-220C

品牌：XCH(旭昌辉)

5+
￥0.9748 ￥1.2185
50+
￥0.95336 ￥1.1917
150+
￥0.93912 ￥1.1739
500+
￥0.9248 ￥1.156

有货

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型号：P1403E 编号：C6939784

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P1403E采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.102728 ￥1.2531
50+
￥0.86592 ￥0.984
150+
￥0.764368 ￥0.8686
500+
￥0.637736 ￥0.7247
2500+
￥0.581328 ￥0.6606
5000+
￥0.547536 ￥0.6222

有货

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型号：PMH400UNEH 编号：C3288241

封装：DFN0606-3

品牌：Nexperia(安世)

5+
￥1.7103
50+
￥1.6902
150+
￥1.6767

有货

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型号：SN74CBTLV3125DBQR 编号：C2674550

封装：SSOP-16-150mil

品牌：TI(德州仪器)

SN74CBTLV3125 具有断电保护功能的 3.3V、1:1 (SPST)、4 通道 FET 总线开关

数据手册

1+
￥2.56
10+
￥1.99
30+
￥1.75

有货

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型号：DMP4011SPSQ-13-VB 编号：C45662512

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-40V；-40A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.3V；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于多种电子领域和模块。

1+
￥3.325 ￥3.5
10+
￥3.249 ￥3.42
30+
￥3.2015 ￥3.37
100+
￥3.154 ￥3.32

有货

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型号：SiLM2660CD-DG 编号：C41433639

封装：TSSOP-16

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开，并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能，可对深度放电的电池进行低电流预充电，并且它还集成了一个PACK+电压监测器，供主机检测PACK+电压

1+
￥4.11
10+
￥3.31
30+
￥2.91
100+
￥2.51
500+
￥2.27

有货

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型号：IAUC26N10S5L245 编号：C3647068

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Leiditech(雷卯电子)

IAUC26N10S5L245采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性，适用于……

数据手册

1+
￥4.2631 ￥4.79
10+
￥3.4532 ￥3.88
30+
￥3.0438 ￥3.42
100+
￥2.6433 ￥2.97
500+
￥2.2962 ￥2.58
1000+
￥2.1716 ￥2.44

有货

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型号：GSA25N65EF 编号：C5375286

封装：TO-220F

品牌：XCH(旭昌辉)

芯片采用超结工艺制造，具有极低的导通电阻，适用于高功率密度和高能效的电源电路。

1+
￥8.22 ￥10.96
10+
￥6.9975 ￥9.33
25+
￥6.24 ￥8.32
100+
￥5.4525 ￥7.27
500+
￥5.1 ￥6.8
1000+
￥4.95 ￥6.6

有货

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型号：FCP11N60 编号：C242277

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET是第一代高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用

1+
￥14.05
10+
￥12.8686 ￥13.69
50+
￥11.298 ￥13.45
100+
￥11.0964 ￥13.21

有货

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型号：TLE98932QTW62SXUMA1 编号：C22423816

封装：TQFP-48(7x7)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：32位Arm Cortex M3内核，最高60 MHz。单电源供电，5.5 V至28 V。FLASH0最高32 KB，FLASH1最高256 KB（带EEPROM仿真），RAM最高32 KB。应用：汽车辅助驱动电机控制，如泵、风扇、HVAC、执行器、天窗

1+
￥67.81
10+
￥57.91
30+
￥51.87

有货

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型号：SI2301CDS-T1-GE3-CN 编号：C42436845

封装：SOT-23

品牌：ChipNobo(无边界)

50+
￥0.0441
500+
￥0.0429
3000+
￥0.0422

有货

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型号：2SK3018FPDT106 编号：C507473

封装：SOT-323

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动（2.5V），适用于便携式设备。驱动电路简单。易于并联使用。应用：接口。开关（30V，100mA）

10+
￥0.3181
100+
￥0.2557
300+
￥0.2245

有货

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型号：IPD350N06LGBTMA1-VB 编号：C45662559

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。

1+
￥1.6815 ￥1.77
10+
￥1.6435 ￥1.73
30+
￥1.6245 ￥1.71
100+
￥1.596 ￥1.68

有货

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型号：SN74CBT1G125DCKR 编号：C2674686

封装：SC-70-5

品牌：TI(德州仪器)

SN74CBT1G125 具有直通式引脚排列的 5V、1:1 (SPST)、单通道通用 FET 总线开关

数据手册

5+
￥1.6873
50+
￥1.3135
150+
￥1.1533

有货

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型号：NVD6416ANLT4G-VF01-VB 编号：C45662564

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,100V；25A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率管理应用，包括电源逆变器、LED照明驱动和工业控制等，具有广泛的应用前景

1+
￥2.394 ￥2.52
10+
￥2.3465 ￥2.47
30+
￥2.3085 ￥2.43
100+
￥2.2705 ￥2.39

有货

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型号：CSD18540Q5B-VB 编号：C45662546

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款单极性N型沟道场效应，采用SGT工艺制造，适用于电源模块、电动汽车驱动器、电池管理系统等领域。

1+
￥4.5885 ￥4.83
10+
￥4.4935 ￥4.73
30+
￥4.427 ￥4.66
100+
￥4.3605 ￥4.59

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