场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DFN-8(5x6)

台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款单极性N型沟道场效应，采用SGT工艺制造，适用于电源模块、电动汽车驱动器、电池管理系统等领域。

1+
￥7.5905 ￥7.99
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￥6.3365 ￥6.67
30+
￥5.643 ￥5.94
100+
￥4.864 ￥5.12
500+
￥4.5125 ￥4.75
1000+
￥4.3605 ￥4.59

有货

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型号：2SK2145-GR(TE85L,F 编号：C5367351

封装：SOT-23-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频低噪声放大器应用，在一个 SM5（超小型 5 引脚）封装中包含两个器件。

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￥8.35
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￥6.84
30+
￥6.01
100+
￥5.07

有货

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型号：YJL3407BL 编号：C20605884

封装：SOT-23-3L

品牌：YANGJIE(扬杰)

沟槽功率低压MOSFET技术。高密度单元设计，实现低导通电阻。高速开关。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

10+
￥0.3412
100+
￥0.275
300+
￥0.2419

有货

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型号：XCH6003 编号：C53155321

封装：SOT-23-3L

品牌：XCH(旭昌辉)

10+
￥0.3492 ￥0.4365
100+
￥0.27816 ￥0.3477
300+
￥0.24264 ￥0.3033
3000+
￥0.216 ￥0.27
6000+
￥0.19464 ￥0.2433
9000+
￥0.184 ￥0.23

有货

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型号：XCH3N10 编号：C53155320

封装：SOT-23-3L

品牌：XCH(旭昌辉)

5+
￥0.40576 ￥0.5072
50+
￥0.3232 ￥0.404
150+
￥0.28192 ￥0.3524
500+
￥0.25096 ￥0.3137
3000+
￥0.22624 ￥0.2828
6000+
￥0.21384 ￥0.2673

有货

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型号：PMV30UN2R-VB 编号：C45662631

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。

10+
￥0.4066 ￥0.428
100+
￥0.32452 ￥0.3416
300+
￥0.28348 ￥0.2984
3000+
￥0.2527 ￥0.266
6000+
￥0.228 ￥0.24
9000+
￥0.215745 ￥0.2271

有货

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型号：YJH03N06A 编号：C2942410

封装：SOT-89

品牌：YANGJIE(扬杰)

采用沟槽功率中压MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

5+
￥0.4886
50+
￥0.3918
150+
￥0.3435

有货

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型号：YJH03N10A 编号：C2942415

封装：SOT-89

品牌：YANGJIE(扬杰)

Trench Power MV MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级。无卤

5+
￥0.7394
50+
￥0.585
150+
￥0.5079
1000+
￥0.45

有货

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型号：XCH4N80N 编号：C53155323

封装：TO-251

品牌：XCH(旭昌辉)

5+
￥0.81464 ￥1.0183
50+
￥0.64536 ￥0.8067
150+
￥0.57272 ￥0.7159
1000+
￥0.48216 ￥0.6027
2000+
￥0.44184 ￥0.5523
5000+
￥0.41768 ￥0.5221

有货

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型号：SE4610 编号：C238711

封装：SOP-8

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：n 通道：VDS(V) = 30V，ID = 8.5A。RDS(ON) = 18mΩ (VGS=4.5V)，RDS(ON) = 21mΩ (VGS=2.5V)。 p 通道：VDS(V) = -30V，ID = -4.9A。RDS(ON) = 18mΩ (VGS = -4.5V)，RDS(ON) = 23mΩ (VGS=-2.5V)。应用：台式机或 DC/DC 转换器中的电源管理

数据手册

5+
￥0.8935
50+
￥0.7063
150+
￥0.6127
500+
￥0.5425
2500+
￥0.4864
4000+
￥0.4583

有货

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型号：XCH5N65F 编号：C53155324

封装：TO220-AB

品牌：XCH(旭昌辉)

5+
￥1.16376 ￥1.4547
50+
￥0.92184 ￥1.1523
150+
￥0.81816 ￥1.0227
1000+
￥0.6888 ￥0.861
2000+
￥0.6312 ￥0.789
5000+
￥0.59664 ￥0.7458

有货

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型号：P1403E 编号：C6939784

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P1403E采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.21448 ￥1.2784
50+
￥0.95361 ￥1.0038
150+
￥0.841795 ￥0.8861
500+
￥0.702335 ￥0.7393
2500+
￥0.640205 ￥0.6739
5000+
￥0.602965 ￥0.6347

有货

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型号：LG50N10AP 编号：C53155329

封装：TO-220C

品牌：XCH(旭昌辉)

5+
￥1.80384 ￥2.2548
50+
￥1.42888 ￥1.7861
150+
￥1.26816 ￥1.5852
1000+
￥1.06768 ￥1.3346
2000+
￥0.9784 ￥1.223
5000+
￥0.9248 ￥1.156

有货

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型号：IAUC26N10S5L245 编号：C3647068

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Leiditech(雷卯电子)

IAUC26N10S5L245采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性，适用于……

数据手册

1+
￥4.2631 ￥4.79
10+
￥3.4532 ￥3.88
30+
￥3.0438 ￥3.42
100+
￥2.6433 ￥2.97
500+
￥2.2962 ￥2.58
1000+
￥2.1716 ￥2.44

有货

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型号：GSA25N65EF 编号：C5375286

封装：TO-220F

品牌：XCH(旭昌辉)

芯片采用超结工艺制造，具有极低的导通电阻，适用于高功率密度和高能效的电源电路。

1+
￥7.935 ￥10.58
10+
￥6.7125 ￥8.95
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￥5.955 ￥7.94
100+
￥5.1675 ￥6.89
500+
￥4.815 ￥6.42
1000+
￥4.665 ￥6.22

有货

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型号：FCP11N60 编号：C242277

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET MOSFET是第一代高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用

1+
￥15.9565 ￥16.45
10+
￥13.9983 ￥16.09
50+
￥12.2045 ￥15.85
100+
￥12.0197 ￥15.61

有货

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型号：OPA659IDBVT 编号：C2057443

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

OPA659 650MHz 单位增益稳定 JFET 输入放大器

数据手册

1+
￥65.71
10+
￥56.95
30+
￥51.6

有货

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型号：TLE98932QTW62SXUMA1 编号：C22423816

封装：TQFP-48(7x7)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：32位Arm Cortex M3内核，最高60 MHz。单电源供电，5.5 V至28 V。FLASH0最高32 KB，FLASH1最高256 KB（带EEPROM仿真），RAM最高32 KB。应用：汽车辅助驱动电机控制，如泵、风扇、HVAC、执行器、天窗

1+
￥75.22
10+
￥64.84
30+
￥58.51

有货

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型号：2N7002KW 编号：C18164535

封装：SOT-323

品牌：DIYI(迪一/芯诺)

特性：高密度单元设计，实现低RDS(ON)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力

10+
￥0.1983 ￥0.3966
100+
￥0.15795 ￥0.3159
300+
￥0.1378 ￥0.2756
3000+
￥0.12265 ￥0.2453
6000+
￥0.11055 ￥0.2211
9000+
￥0.1045 ￥0.209

有货

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型号：SE8205A 编号：C238644

封装：SOT-23-6

品牌：SINO-IC(光宇睿芯)

特性：对于单个MOSFET: VDS = 20 V。 RDS(ON) = 21mΩ @ VGS=4.5。应用：电池保护。负载开关

数据手册

20+
￥0.2348
200+
￥0.1829
600+
￥0.1541
3000+
￥0.1368
9000+
￥0.1218
21000+
￥0.1137

有货

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型号：CB3401 编号：C5366419

封装：SOT-23

品牌：CBI(创基)

电流:4.2A 电压:30V

数据手册

10+
￥0.2375
100+
￥0.1878
300+
￥0.1629
3000+
￥0.1442
6000+
￥0.1293
9000+
￥0.1218

有货

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型号：SN74CBT1G125DBVR 编号：C2653276

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

SN74CBT1G125 具有直通式引脚排列的 5V、1:1 (SPST)、单通道通用 FET 总线开关

数据手册

5+
￥1.7889
50+
￥1.3902
150+
￥1.2194

有货

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型号：SN74CBTLV3125DBQR 编号：C2674550

封装：SSOP-16-150mil

品牌：TI(德州仪器)

SN74CBTLV3125 具有断电保护功能的 3.3V、1:1 (SPST)、4 通道 FET 总线开关

数据手册

1+
￥2.77
10+
￥2.2
30+
￥1.95

有货

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型号：IPD350N06LGBTMA1-VB 编号：C45662559

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。

1+
￥3.0875 ￥3.25
10+
￥2.451 ￥2.58
30+
￥2.185 ￥2.3
100+
￥1.843 ￥1.94
500+
￥1.691 ￥1.78
1000+
￥1.596 ￥1.68

有货

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型号：SiLM2660CD-DG 编号：C41433639

封装：TSSOP-16

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开，并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能，可对深度放电的电池进行低电流预充电，并且它还集成了一个PACK+电压监测器，供主机检测PACK+电压

1+
￥3.85
10+
￥3.08
30+
￥2.69
100+
￥2.3
500+
￥2.07

有货

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型号：NVD6416ANLT4G-VF01-VB 编号：C45662564

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,100V；25A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率管理应用，包括电源逆变器、LED照明驱动和工业控制等，具有广泛的应用前景