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2个N沟道耐压:40V 电流:25A

型号：SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS) 编号：C19626229

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Tokmas(托克马斯)

这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

5+
￥2.1608
50+
￥1.682
150+
￥1.4768
490+
￥1.2465
2450+
￥1.1325
4900+
￥1.064

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:21.8A

型号：APM3055LUC-TRL-VB 编号：C5878784

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

1+
￥2.21 ￥2.6
10+
￥1.768 ￥2.08
30+
￥1.5725 ￥1.85
100+
￥1.343 ￥1.58
500+
￥1.2325 ￥1.45
1000+
￥1.173 ￥1.38

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:90A

型号：CMSA90P04B 编号：C5371903

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA90P04B采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。

数据手册

5+
￥2.2459
50+
￥1.7676
150+
￥1.5626
500+
￥1.2879
2500+
￥1.174
5000+
￥1.1056

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:80A

型号：IRLR7821TRPBF-VB 编号：C7429061

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥2.299 ￥2.42
10+
￥1.805 ￥1.9
30+
￥1.596 ￥1.68
100+
￥1.33 ￥1.4
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:10A

型号：IRF7471TRPBF-VB 编号：C5878807

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性，适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,40V；10A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.329 ￥2.74
10+
￥1.8275 ￥2.15
30+
￥1.6065 ￥1.89
100+
￥1.343 ￥1.58
500+
￥1.2325 ￥1.45
1000+
￥1.156 ￥1.36

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:10A

型号：FQD12N20TM-VB 编号：C19632057

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。TO252；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；

1+
￥2.35
10+
￥2.29
30+
￥2.26
100+
￥2.22

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:6.5A

型号：2SJ288-VB 编号：C5240558

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.356 ￥2.48
10+
￥1.862 ￥1.96
30+
￥1.653 ￥1.74
100+
￥1.387 ￥1.46
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:80A

型号：AP70T03GH-VB 编号：C878912

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

1+
￥2.397 ￥2.82
10+
￥1.955 ￥2.3
30+
￥1.7595 ￥2.07
100+
￥1.53 ￥1.8
500+
￥1.156 ￥1.36
1000+
￥1.0965 ￥1.29

有货

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1个P沟道耐压:30V

型号：2SJ383-VB 编号：C879112

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-38A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.432 ￥2.56
10+
￥1.9475 ￥2.05
30+
￥1.729 ￥1.82
100+
￥1.4725 ￥1.55
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:10A

型号：MTD6N15T4G-VB 编号：C725116

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。TO252；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥2.451 ￥2.58
10+
￥2.394 ￥2.52
30+
￥2.356 ￥2.48
100+
￥2.3275 ￥2.45

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:10.5A

型号：SM4307PSKC-TRG-VB 编号：C558280

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.499 ￥2.94
10+
￥1.989 ￥2.34
30+
￥1.768 ￥2.08
100+
￥1.4875 ￥1.75
500+
￥1.1985 ￥1.41
1000+
￥1.122 ￥1.32

有货

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低噪声JFET单运算放大器

型号：TL071IDT 编号：C2652251

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

TL071是一种高速结型场效应晶体管输入单运算放大器。该结型场效应晶体管输入运算放大器在一个单片集成电路中集成了良好匹配的高压结型场效应晶体管和双极型晶体管。该器件具有高摆率、低输入偏置电流和失调电流以及低失调电压温度系数。

数据手册

1+
￥2.51
10+
￥1.96
30+
￥1.72
100+
￥1.42
500+
￥1.29

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:35A

型号：2SK3483-VB 编号：C20417541

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适合用于家用电器模块中的功率开关器件、照明模块中的功率开关器件等领域。TO251；N—Channel沟道,100V；35A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥2.584 ￥2.72
10+
￥2.5175 ￥2.65
30+
￥2.4795 ￥2.61
80+
￥2.4415 ￥2.57

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:40A

型号：SUD40N10-25-E3-VB 编号：C5878859

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.584 ￥2.72
10+
￥2.5175 ￥2.65
30+
￥2.4795 ￥2.61
100+
￥2.4415 ￥2.57

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:40A

型号：25N10GH-HF-VB 编号：C18794916

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.5925 ￥3.05
10+
￥2.5415 ￥2.99
30+
￥2.499 ￥2.94
100+
￥2.465 ￥2.9

有货

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60V 35A

型号：IXTU12N06T-VB 编号：C5355681

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥2.6315 ￥2.77
10+
￥2.071 ￥2.18
30+
￥1.824 ￥1.92
80+
￥1.5295 ￥1.61
480+
￥1.387 ￥1.46
960+
￥1.311 ￥1.38

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:5A

型号：IRFR825TRPBF-VB 编号：C19711333

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率场效应晶体管（FET），采用SJ_Deep-Trench技术制造，具有稳定可靠的性能和高效的功率处理能力。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。TO252；N—Channel沟道,650V；5A；RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；

1+
￥2.6605 ￥3.13
10+
￥2.601 ￥3.06
30+
￥2.5585 ￥3.01
100+
￥2.516 ￥2.96

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:5A

型号：HFD6N60U-VB 编号：C20755356

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率场效应晶体管（FET），采用SJ_Deep-Trench技术制造，具有稳定可靠的性能和高效的功率处理能力。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。TO252；N—Channel沟道,650V；5A；RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；

1+
￥2.6605 ￥3.13
10+
￥2.601 ￥3.06
30+
￥2.5585 ￥3.01
100+
￥2.516 ￥2.96

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：IRLHS6376TRPBF-VB 编号：C7463528

封装：DFN-6(2x2)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双通道N沟道场效应晶体管，采用rench技术，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电池管理、电源开关和LED照明等领域的模块中DFN6(2X2)；2个N—Channel沟道,30V；5.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=1~2.5V；

1+
￥2.669 ￥3.14
10+
￥2.6095 ￥3.07
30+
￥2.5755 ￥3.03
100+
￥2.5415 ￥2.99

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:35A

型号：FTU36N06N-VB 编号：C878768

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

1+
￥2.6885 ￥2.83
10+
￥2.109 ￥2.22
30+
￥1.862 ￥1.96
80+
￥1.558 ￥1.64
480+
￥1.4155 ￥1.49
800+
￥1.3395 ￥1.41

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:40A

型号：RSD200N10-VB 编号：C7463470

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.703 ￥3.18
10+
￥2.652 ￥3.12
30+
￥2.618 ￥3.08
100+
￥2.5755 ￥3.03

有货

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2个P沟道耐压:60V 电流:5.3A

型号：FDS9958-NL-VB 编号：C558132

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.7075 ￥2.85
10+
￥2.6505 ￥2.79
30+
￥2.6125 ￥2.75
100+
￥2.5745 ￥2.71

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:40A

型号：IPD30N10S3L-34-VB 编号：C5179528

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.7075 ￥2.85
10+
￥2.6505 ￥2.79
30+
￥2.603 ￥2.74
100+
￥2.565 ￥2.7

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:25A

型号：BUK453-60A-VB 编号：C19711231

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电动工具和家用电器、汽车电子系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.793 ￥2.94
10+
￥2.1945 ￥2.31
50+
￥1.938 ￥2.04
100+
￥1.615 ￥1.7
500+
￥1.4725 ￥1.55
1000+
￥1.387 ￥1.46

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:40A

型号：IPD35N10S3L-26-VB 编号：C7428994

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.793 ￥2.94
10+
￥2.7265 ￥2.87
30+
￥2.6885 ￥2.83
100+
￥2.6505 ￥2.79

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:11A

型号：VBZA4409 编号：C700584

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.84
10+
￥2.53
30+
￥2.39
100+
￥2.23
500+
￥1.73
1000+
￥1.68

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:9A

型号：VBA5615 编号：C7429146

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电路板设计和安装。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；9/-8A；RDS(ON)=15/17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V；

1+
￥2.8475 ￥3.35
10+
￥2.788 ￥3.28
30+
￥2.754 ￥3.24
100+
￥2.7115 ￥3.19

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:97A

型号：IPD90N06S4L-06-VB 编号：C7463563

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥2.907 ￥3.42
10+
￥2.839 ￥3.34
30+
￥2.7965 ￥3.29
100+
￥2.754 ￥3.24

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:13.5A

型号：TPC8118-VB 编号：C19632180

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

1+
￥2.9325 ￥3.45
10+
￥2.3035 ￥2.71
30+
￥2.04 ￥2.4
100+
￥1.7 ￥2
500+
￥1.547 ￥1.82
1000+
￥1.462 ￥1.72

有货

立即购买

1个N沟道耐压:100V 电流:40A

型号：IRFR3410TRPBF-VB 编号：C6705280

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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