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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SMS7401-VB 编号：C19632159

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.51612 ￥0.6072
50+
￥0.408 ￥0.48
150+
￥0.35394 ￥0.4164
500+
￥0.313395 ￥0.3687
3000+
￥0.280925 ￥0.3305
6000+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：FDN359AN-NL-VB 编号：C20626292

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.51612 ￥0.6072
50+
￥0.408 ￥0.48
150+
￥0.35394 ￥0.4164
500+
￥0.313395 ￥0.3687
3000+
￥0.280925 ￥0.3305
6000+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：PM606BA-VB 编号：C879096

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.51612 ￥0.6072
50+
￥0.408 ￥0.48
150+
￥0.35394 ￥0.4164
500+
￥0.313395 ￥0.3687
3000+
￥0.280925 ￥0.3305
6000+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：AM2340N-T1-PF-VB 编号：C19626795

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.51612 ￥0.6072
50+
￥0.408 ￥0.48
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￥0.35394 ￥0.4164
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￥0.313395 ￥0.3687
3000+
￥0.280925 ￥0.3305
6000+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：HM2341B-VB 编号：C20755255

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.51612 ￥0.6072
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￥0.408 ￥0.48
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￥0.280925 ￥0.3305
6000+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2303DS-T1-GE3-VB 编号：C20754934

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.51612 ￥0.6072
50+
￥0.408 ￥0.48
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￥0.35394 ￥0.4164
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￥0.313395 ￥0.3687
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￥0.280925 ￥0.3305
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￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：DMN2020LSN-7-VB 编号：C19626722

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.51612 ￥0.6072
50+
￥0.408 ￥0.48
150+
￥0.35394 ￥0.4164
500+
￥0.313395 ￥0.3687
3000+
￥0.280925 ￥0.3305
6000+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：ME2308S-VB 编号：C710012

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.516885 ￥0.6081
50+
￥0.408595 ￥0.4807
150+
￥0.35445 ￥0.417
500+
￥0.31382 ￥0.3692
3000+
￥0.28135 ￥0.331
6000+
￥0.265115 ￥0.3119

有货

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N沟道耐压:60V 电流:330mA

型号：RE1J002YNTCL-VB 编号：C45662636

封装：SC-75-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SC75-3；N—Channel沟道,60V；0.33A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电子电路中的功率控制和开关应用。

5+
￥0.51946 ￥0.5468
50+
￥0.41458 ￥0.4364
150+
￥0.36214 ￥0.3812
500+
￥0.32281 ￥0.3398
3000+
￥0.291365 ￥0.3067
6000+
￥0.275595 ￥0.2901

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：GN3401-VB 编号：C7525029

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52632 ￥0.6192
50+
￥0.4182 ￥0.492
150+
￥0.36414 ￥0.4284
500+
￥0.323595 ￥0.3807
3000+
￥0.280925 ￥0.3305
6000+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：DMP31D0U-7-VB 编号：C7525010

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52632 ￥0.6192
50+
￥0.4182 ￥0.492
150+
￥0.36414 ￥0.4284
500+
￥0.323595 ￥0.3807
3000+
￥0.280925 ￥0.3305
6000+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：DMP1045U-7-VB 编号：C7524914

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52632 ￥0.6192
50+
￥0.4182 ￥0.492
150+
￥0.36414 ￥0.4284
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￥0.323595 ￥0.3807
3000+
￥0.280925 ￥0.3305
6000+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：AO3416A-VB 编号：C7524907

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.52632 ￥0.6192
50+
￥0.4182 ￥0.492
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￥0.36414 ￥0.4284
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￥0.323595 ￥0.3807
3000+
￥0.280925 ￥0.3305
6000+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：DMN3404LQ-7-VB 编号：C7524941

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.52632 ￥0.6192
50+
￥0.4182 ￥0.492
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￥0.36414 ￥0.4284
500+
￥0.323595 ￥0.3807
3000+
￥0.280925 ￥0.3305
6000+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：IRLML6344GTRPBF-VB 编号：C5878822

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：APM2308AC-TRL-VB 编号：C5441215

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ST2315S23RG-VB 编号：C5878857

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
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￥0.42177 ￥0.4962
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￥0.36771 ￥0.4326
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￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AM2319P-T1-PF-VB 编号：C5456475

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.52989 ￥0.6234
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￥0.42177 ￥0.4962
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￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：APM2303AC-TRL-VB 编号：C5456484

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.42177 ￥0.4962
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￥0.29478 ￥0.3468
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￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：WNM3008-VB 编号：C5355692

封装：TO-236(SOT-23)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
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￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：APM2305AAC-TRL-VB 编号：C5355747

封装：TO-236(SOT-23)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
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￥0.36771 ￥0.4326
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￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ZXMP3F30FHTA-VB 编号：C5444657

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
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￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：BSR302N-VB 编号：C7524938

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.532695 ￥0.6267
50+
￥0.42517 ￥0.5002
150+
￥0.371365 ￥0.4369
500+
￥0.331075 ￥0.3895
3000+
￥0.298775 ￥0.3515
6000+
￥0.282625 ￥0.3325

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:220mA

型号：NX6008NBKSX 编号：C3291378

封装：TSSOP-6

品牌：Nexperia(安世)

双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用非常小的SOT363（SC-88）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

5+
￥0.5328
50+
￥0.4262
150+
￥0.3729
500+
￥0.3329
3000+
￥0.301
6000+
￥0.285

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：CES2307-VB 编号：C693422

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.533545 ￥0.6277
50+
￥0.42466 ￥0.4996
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￥0.37026 ￥0.4356
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￥0.329375 ￥0.3875
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￥0.296735 ￥0.3491
6000+
￥0.280415 ￥0.3299

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：DMG3415U-7-F-VB 编号：C5878786

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
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￥0.42738 ￥0.5028
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￥0.37332 ￥0.4392
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￥0.332775 ￥0.3915
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￥0.30039 ￥0.3534
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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SM2404NSAN-VB 编号：C20417564

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ME2347-VB 编号：C19626758

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.5355 ￥0.63
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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：ST2306SRG-VB 编号：C18794947

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：N0302P-VB 编号：C19190233

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.5355 ￥0.63
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