场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DFN5x6-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；65A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；

数据手册

1+
￥5.1205 ￥5.39
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￥4.997 ￥5.26
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￥4.921 ￥5.18
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￥4.845 ￥5.1

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型号：FDS86240-VB 编号：C19188130

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块。SOP8；N—Channel沟道,150V；7.7A；RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥5.3105 ￥5.59
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￥4.3415 ￥4.57
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￥3.857 ￥4.06
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￥3.382 ￥3.56
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￥2.755 ￥2.9
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￥2.603 ￥2.74

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型号：IPB120N06S4-03-VB 编号：C7428983

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。TO263；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥5.377 ￥5.66
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￥5.2535 ￥5.53
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￥5.1775 ￥5.45
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￥5.092 ￥5.36

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型号：BUK9635-55A,118 编号：C549974

封装：D2PAK

品牌：Nexperia(安世)

逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用TrenchMOS技术封装在塑料外壳中。该产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定，适用于汽车关键应用。

数据手册

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￥5.94
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￥5.81
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￥5.72
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￥5.5174 ￥5.63

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型号：IPD053N08N3G-VB 编号：C7569122

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于广泛的电子设备和系统，包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块。TO252；N—Channel沟道,80V；75A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；

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￥6.194 ￥6.52
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￥4.9875 ￥5.25
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￥3.7905 ￥3.99
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￥3.4295 ￥3.61
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￥3.249 ￥3.42

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型号：CSD18533KCS-VB 编号：C2680845

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

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￥6.194 ￥6.52
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￥4.9875 ￥5.25
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￥4.389 ￥4.62
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￥3.249 ￥3.42

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型号：RU7570L-VB 编号：C19632036

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于广泛的电子设备和系统，包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块。TO252；N—Channel沟道,80V；75A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；

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￥6.194 ￥6.52
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￥4.389 ￥4.62
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￥3.4295 ￥3.61
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￥3.249 ￥3.42

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型号：CMF20N50 编号：C5203943

封装：TO-220F

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。

数据手册

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￥6.32
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￥4.36
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￥3.76
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￥3.22

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型号：hy3810p-VB 编号：C7525076

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管，适用于中功率的应用场合，可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。TO220；N—Channel沟道,100V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；

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￥6.3935 ￥6.73
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￥6.251 ￥6.58
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￥6.1655 ￥6.49
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￥6.0705 ￥6.39

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型号：IPD90P03P4L-04-VB 编号：C7429004

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款功率场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源管理、电动工具、电机控制和LED照明等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-100A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥6.403 ￥6.74
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￥5.301 ￥5.58
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￥4.693 ￥4.94
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￥3.9995 ￥4.21
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￥3.6955 ￥3.89
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￥3.553 ￥3.74

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型号：VBZQA120N03 编号：C700742

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥6.403 ￥6.74
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￥5.1965 ￥5.47
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￥4.598 ￥4.84
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￥3.9995 ￥4.21
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￥3.4295 ￥3.61
1000+
￥3.249 ￥3.42

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型号：CMA20N50C 编号：C5337950

封装：TO-3P

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用先进技术生产，该技术特别针对最小化导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换向模式下的高能脉冲进行了优化。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。

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￥6.41
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￥5.18
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￥4.47
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￥3.86
480+
￥3.5
960+
￥3.31

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型号：SUP53P06-20-E3-VB 编号：C19711362

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于直流-直流转换器、功率因数校正模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥6.7575 ￥7.95
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￥5.5845 ￥6.57
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￥4.216 ￥4.96
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￥3.9015 ￥4.59
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￥3.7485 ￥4.41

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型号：BSC12DN20NS3 G-VB 编号：C7525059

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源模块、LED照明模块和汽车电子模块等领域。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥6.8115 ￥7.17
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￥6.65 ￥7
30+
￥6.536 ￥6.88
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￥6.4315 ￥6.77

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型号：SPP80P06PG-VB 编号：C878783

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于直流-直流转换器、功率因数校正模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥7.31 ￥8.6
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￥6.1455 ￥7.23
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￥4.879 ￥5.74
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￥3.8335 ￥4.51
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￥3.689 ￥4.34

有货

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型号：CMH20N50 编号：C5203945

封装：TO-247

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。

数据手册

1+
￥7.62
10+
￥6.34
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￥5.64
90+
￥4.84

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型号：BSC118N10NS G-VB 编号：C19711214

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；65A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；

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￥8.721 ￥9.18
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￥7.2105 ￥7.59
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￥5.0255 ￥5.29
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￥4.845 ￥5.1

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型号：IRLB3036PBF-VB 编号：C20755366

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于高功率控制和驱动应用。TO220；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=1.6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥9.31 ￥9.8
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￥7.695 ￥8.1
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￥6.8115 ￥7.17
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￥5.814 ￥6.12
500+
￥5.3675 ￥5.65
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￥5.168 ￥5.44

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型号：STB23NM50N-VB 编号：C18212571

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道功率场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和可靠性，广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用，包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。TO263；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥9.7835 ￥11.51
10+
￥9.5795 ￥11.27
50+
￥8.432 ￥9.92
100+
￥8.296 ￥9.76

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型号：UCC27611DRVT 编号：C139645

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27611是一款单通道高速栅极驱动器，针对5V驱动进行了优化，尤其适用于增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。驱动电压VREF由内部线性稳压器精确控制在5V。UCC27611具备非对称轨到轨峰值电流驱动能力，源电流为4A，灌电流为6A

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1+
￥11
10+
￥9.72
30+
￥8.81

有货

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型号：TPS54394PWP 编号：C544503

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

TPS54394 带有集成场效应晶体管 (FET) 的 3A 双通道同步降压转换器

数据手册

1+
￥11.76
10+
￥9.89
30+
￥8.72
100+
￥7.53

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型号：BTS6133D 编号：C152388

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于Smart SIPMOS芯片堆叠技术中。具备嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥16.06
10+
￥13.65
30+
￥12.14
100+
￥9.78

有货

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型号：NTH4LN067N65S3H-HXY 编号：C48972082

封装：TO-247-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为650V N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），具备良好的导通特性和开关性能。其最大漏极电流ID为29A，导通电阻RDON低至60mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统能效。器件采用成熟半导体工艺制造，具备较高的耐用性和稳定性，适用于多种高性能电源转换场景，如高效节能电源、智能电网设备及可再生能源系统中的功率控制单元。

1+
￥25.1085 ￥26.43
10+
￥21.546 ￥22.68
30+
￥19.4275 ￥20.45
90+
￥17.29 ￥18.2
510+
￥16.302 ￥17.16
990+
￥15.8555 ￥16.69

有货

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型号：ADR443ARZ-REEL7 编号：C659571

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列是一组电压基准源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，该系列产品在电压随温度变化时的非线性得到了极大改善。相比掩埋齐纳基准源，XFET基准源具有更好的噪声性能，并且可在低电源电压裕量（500 mV）下工作

数据手册

1+
￥35.44
10+
￥34.57
30+
￥33.99
100+
￥33.0759 ￥33.41

有货

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型号：BRCS2302MAQ 编号：C36499090

封装：SOT-23

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

AEC-Q101车规场效应晶体管 N沟道 20V 3A

20+
￥0.0913
200+
￥0.0892
600+
￥0.0878

有货

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型号：WNM6012-3/TR 编号：C2941870

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM6012是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.098736 ￥0.2904
100+
￥0.061536 ￥0.2564
300+
￥0.033516 ￥0.2394
1000+
￥0.031738 ￥0.2267
5000+
￥0.03031 ￥0.2165
10000+
￥0.029596 ￥0.2114

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型号：WNM2030A-3/TR 编号：C2931325

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。是无铅产品。

数据手册

20+
￥0.1882
200+
￥0.1488
600+
￥0.1269
2000+
￥0.1138

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型号：BRCS3401MCQ 编号：C36499009

封装：SOT-23-3

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

AEC-Q101车规场效应晶体管 P沟道3401

10+
￥0.2187
100+
￥0.2136
300+
￥0.2102
1000+
￥0.2068

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型号：BSS215PH6327XTSA1-VB 编号：C45662606

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-20V；-3.5A；RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=-0.7~-2V；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。具有优异的性能参数，适用于多种电路应用例如移动设备模块、LED照明驱动模块、电源管理模块。

10+
￥0.22724 ￥0.2392
100+
￥0.2223 ￥0.234
300+
￥0.218975 ￥0.2305
1000+
￥0.215745 ￥0.2271

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型号：FDN327N-VB 编号：C45662632

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。

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￥0.22724 ￥0.2392
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￥0.2223 ￥0.234
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￥0.218975 ￥0.2305
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￥0.215745 ￥0.2271

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