场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共4037件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：H2305N-VB 编号：C20755159

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：2SK2980ZZ-TR-E-VB 编号：C20755252

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：IRLML5103GTRPBF-VB 编号：C20755527

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：NTR4503NT3G-VB 编号：C20755382

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：NDS355AN-NL-VB 编号：C19190103

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：PMV33UPE-VB 编号：C18795004

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SI2338DS-T1-E3-VB 编号：C18212491

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：UT2304G-AE3-R-VB 编号：C20755067

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：BM3407-VB 编号：C20755145

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：PMV32UP-VB 编号：C20755388

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SI2304BDS-T1-GE3-VB 编号：C18212489

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：UT3401ZG-AE3-R-VB 编号：C20754962

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AP2321GN-HF-VB 编号：C19626713

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：CPH3348-VB 编号：C7494609

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AO3409A-VB 编号：C19626766

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SI2316BDS-T1-GE3-VB 编号：C19190235

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：CES2342-VB 编号：C19626677

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：APM2305BAC-VB 编号：C20755060

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2303BDS-T1-GE3-VB 编号：C7568765

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：FDN357N-NL-VB 编号：C18794982

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：ME2306A-VB 编号：C879079

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：RSR025P03TL-VB 编号：C18212480

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SI2306BDS-T1-GE3-VB 编号：C7494608

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：HM2318A-VB 编号：C7568800

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：VB1218X 编号：C516872

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；8A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1.5V；

数据手册

5+
￥0.53567 ￥0.6302
50+
￥0.42755 ￥0.503
150+
￥0.373405 ￥0.4393
500+
￥0.33286 ￥0.3916
3000+
￥0.290955 ￥0.3423
6000+
￥0.27472 ￥0.3232

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SPP3401S23RG-VB 编号：C19190171

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.535925 ￥0.6305
50+
￥0.42772 ￥0.5032
150+
￥0.373575 ￥0.4395
500+
￥0.33303 ￥0.3918
3000+
￥0.30056 ￥0.3536
6000+
￥0.284325 ￥0.3345

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：BSS316N-VB 编号：C709924

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.537625 ￥0.6325
50+
￥0.430695 ￥0.5067
150+
￥0.37723 ￥0.4438
500+
￥0.33711 ￥0.3966
3000+
￥0.27234 ￥0.3204
6000+
￥0.256275 ￥0.3015

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：IRLML2030TRPBF-VB 编号：C5878821

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.538645 ￥0.6337
50+
￥0.430525 ￥0.5065
150+
￥0.376465 ￥0.4429
500+
￥0.33592 ￥0.3952
3000+
￥0.280925 ￥0.3305
6000+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SSM3K333R-VB 编号：C693205

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.538815 ￥0.6339
50+
￥0.428825 ￥0.5045
150+
￥0.373915 ￥0.4399
500+
￥0.33269 ￥0.3914
3000+
￥0.29971 ￥0.3526
6000+
￥0.28322 ￥0.3332

有货

立即购买

N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：NX138BKWX-VB 编号：C45662539

封装：SC-70-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SC70-3，N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)是一款单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于电压驱动应用。

5+
￥0.54207 ￥0.5706
50+
￥0.43263 ￥0.4554
150+
￥0.37791 ￥0.3978
500+
￥0.33687 ￥0.3546
3000+
￥0.304 ￥0.32
6000+
￥0.28766 ￥0.3028

有货

立即购买

共135页，4037条记录到页

<上一页
1
...
42
43
44
45
46
...
135
下一页

立创商城为您提供场效应晶体管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买场效应晶体管提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content