场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型功率场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的热稳定性和可靠性。适用于高压应用场景，中等功率需求。TO252；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥2.958 ￥3.48
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￥2.89 ￥3.4
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￥2.7965 ￥3.29

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型号：VBE165R05S 编号：C7429150

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率场效应晶体管（FET），采用SJ_Deep-Trench技术制造，具有稳定可靠的性能和高效的功率处理能力。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。TO252；N—Channel沟道,650V；5A；RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；

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￥3.0685 ￥3.61
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￥3.009 ￥3.54
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￥2.9665 ￥3.49
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￥2.924 ￥3.44

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型号：IRF7380TRPBF-VB 编号：C7494500

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用了Trench技术，具有高效率和可靠性，适用于各种低功耗和中功率电源管理应用，提供了优异的功率转换和电流驱动能力。SOP8；2个N—Channel沟道,80V；3.5A；RDS(ON)=62mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3.5~5V；

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￥3.1025 ￥3.65
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￥3.0345 ￥3.57
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￥2.992 ￥3.52
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￥2.9495 ￥3.47

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型号：IPD038N06N3G-VB 编号：C7463497

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥3.145 ￥3.7
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￥3.077 ￥3.62
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￥2.992 ￥3.52

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型号：FR9020-VB 编号：C20417520

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥3.42 ￥3.6
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￥2.755 ￥2.9
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型号：STD10PF06T4-VB 编号：C693216

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥3.42 ￥3.6
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型号：IPD042P03L3 G-VB 编号：C7428986

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；

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￥3.42 ￥3.6
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型号：2SJ530STL-E-VB 编号：C5444614

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥3.42 ￥3.6
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型号：HM100P03K-VB 编号：C7525074

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款功率场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源管理、电动工具、电机控制和LED照明等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-100A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥3.434 ￥4.04
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型号：PXP9R1-30QLJ 编号：C3288678

封装：MLPAK(3.3x3.3)

品牌：Nexperia(安世)

P- 沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，封装为 MLPAK33 (SOT8002) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥3.52
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型号：FDG6321C 编号：C258213

封装：SC-88(SC-70-6)

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

数据手册

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￥3.54
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￥2.57

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型号：P9006EDG-VB 编号：C710044

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥3.5435 ￥3.73
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型号：PXP020-20QXJ 编号：C3278432

封装：MLPAK(3.3x3.3)

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。

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￥3.58
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￥2.1504 ￥2.24
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￥1.9008 ￥1.98

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型号：615N-VB 编号：C5179582

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

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￥3.6575 ￥3.85
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￥2.9925 ￥3.15
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￥2.6695 ￥2.81
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型号：VBE1615 编号：C416257

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥3.672 ￥4.32
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￥3.0175 ￥3.55
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￥1.836 ￥2.16
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￥1.734 ￥2.04

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型号：SUD50N04-8M8P-4GE3-VB 编号：C7525109

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

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￥3.7335 ￥3.93
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￥3.002 ￥3.16
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型号：VBZE50N06 编号：C700651

封装：TO-252-2

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥3.7335 ￥3.93
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￥3.002 ￥3.16
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型号：HS50N06DA-VB 编号：C878957

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥3.7335 ￥3.93
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￥3.002 ￥3.16
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型号：VBZE10N20 编号：C700620

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。TO252；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；

数据手册

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￥3.74 ￥4.4
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￥3.0345 ￥3.57
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￥1.887 ￥2.22

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型号：IRFR3505TRPBF-VB 编号：C7524893

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥3.781 ￥3.98
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￥1.957 ￥2.06

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型号：MDD1752RH-VB 编号：C725108

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册

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￥3.8285 ￥4.03
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￥3.097 ￥3.26
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￥2.736 ￥2.88
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￥2.375 ￥2.5
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￥1.919 ￥2.02
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￥1.805 ￥1.9

有货

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型号：IRLR2905ZTRPBF-VB 编号：C5878823

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥3.8285 ￥4.03
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￥3.1065 ￥3.27
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￥2.7455 ￥2.89
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￥2.052 ￥2.16

有货

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型号：IPD031N06L3G-VB 编号：C7463446

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥3.8335 ￥4.51
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￥3.7485 ￥4.41
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￥3.6975 ￥4.35
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￥3.6465 ￥4.29

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型号：STB170NF04-VB 编号：C2680799

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于中功率和中电压的场合，可广泛应用于各种电子设备和模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；100A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥4.284 ￥5.04
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￥3.468 ￥4.08
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￥2.873 ￥3.38
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有货

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型号：VBZL80N04 编号：C700695

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于中功率和中电压的场合，可广泛应用于各种电子设备和模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；110A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥4.335 ￥5.1
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￥3.5275 ￥4.15
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￥2.8645 ￥3.37
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￥2.2185 ￥2.61
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￥2.0995 ￥2.47

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型号：AOD482-VB 编号：C558068

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥4.5815 ￥5.39
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￥3.7655 ￥4.43
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￥2.261 ￥2.66

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型号：VBFB1104N 编号：C480962

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适合用于家用电器模块中的功率开关器件、照明模块中的功率开关器件等领域。TO251；N—Channel沟道,100V；35A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥4.59 ￥5.4
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￥3.7825 ￥4.45
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￥3.3745 ￥3.97
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￥2.499 ￥2.94
480+
￥2.261 ￥2.66
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￥2.1335 ￥2.51

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型号：IPD90N04S4-02-VB 编号：C7463525

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于中等功率控制和驱动应用，包括电机驱动模块、电源转换模块、电动工具控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；120A；RDS(ON)=1.6mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

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￥4.811 ￥5.66
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￥4.7005 ￥5.53
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￥4.6325 ￥5.45
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￥4.556 ￥5.36

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型号：NDT014L 编号：C274610

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换。

数据手册

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￥4.9
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￥4.78
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￥4.69
100+
￥4.61

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型号：BUK7212-55B,118 编号：C461187

封装：DPAK

品牌：Nexperia(安世)

采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定，可用于汽车关键应用。

数据手册

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￥5.1156 ￥8.82
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￥3.4992 ￥7.29
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￥2.451 ￥6.45
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￥2.09 ￥5.5
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￥1.9304 ￥5.08
1000+
￥1.8582 ￥4.89

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