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1个P沟道耐压:30V

型号：SI4435DDY-T1-E3-VB 编号：C7494599

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

5+
￥1.13713 ￥1.3378
50+
￥1.11367 ￥1.3102
150+
￥1.097945 ￥1.2917
500+
￥0.95064 ￥1.1184

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:20A

型号：STN4488L 编号：C2682798

封装：SOP-8

品牌：STANSON(司坦森)

STN4488L 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造的 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。它适用于便携式或电池供电系统中的电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.1401
50+
￥0.9952
150+
￥0.9331
500+
￥0.8556
2500+
￥0.7797
5000+
￥0.759

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:70A

型号：AOD400-VB 编号：C879104

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

数据手册

1+
￥1.1475 ￥1.35
10+
￥1.122 ￥1.32
30+
￥1.105 ￥1.3
100+
￥1.088 ￥1.28

有货

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2个P沟道耐压:50V 电流:170mA

型号：BSS84AKV,115 编号：C456110

封装：SOT-666

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽式MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型扁平引脚SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥1.1574
50+
￥0.9439
150+
￥0.8524
500+
￥0.7382
2500+
￥0.6873
4000+
￥0.6568

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:70A

型号：NTD4815NT4G-VB 编号：C879126

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

数据手册

1+
￥1.1645 ￥1.37
10+
￥1.139 ￥1.34
30+
￥1.122 ￥1.32
100+
￥1.105 ￥1.3

有货

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1个P沟道耐压:12V 电流:5.1A

型号：WPM1481-6/TR 编号：C239798

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM1481 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥1.1966
50+
￥0.983
150+
￥0.8281
500+
￥0.7003

有货

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低侧单通道驱动芯片

型号：EG1416 编号：C5346625

封装：SOT23-5

品牌：EG(屹晶微)

低册单通道驱动芯片 EG1416单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小于1uA。

数据手册

5+
￥1.2508
50+
￥0.9786
150+
￥0.862
500+
￥0.7164

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:18A

型号：ST18N10D 编号：C2682823

封装：TO-252-2

品牌：STANSON(司坦森)

ST18N10D是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。ST18N10D专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化

数据手册

5+
￥1.253
50+
￥0.9858
150+
￥0.8713
500+
￥0.7285
2500+
￥0.6213
5000+
￥0.5831

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:70A

型号：FDD8778-VB 编号：C7463576

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

1+
￥1.258 ￥1.48
10+
￥1.2325 ￥1.45
30+
￥1.2155 ￥1.43
100+
￥1.1985 ￥1.41

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4A

型号：BSV236SP-VB 编号：C7524945

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道MOS场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电子模块和电路设计。SC70-6；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；

1+
￥1.292 ￥1.52
10+
￥1.2665 ￥1.49
30+
￥1.2495 ￥1.47
100+
￥1.2325 ￥1.45

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:7.6A

型号：SI4850EY-T1-E3-VB 编号：C18795040

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，具有较高的工作稳定性和可靠性，适用于需要中小功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；

1+
￥1.292 ￥1.52
10+
￥1.258 ￥1.48
30+
￥1.241 ￥1.46
100+
￥1.224 ￥1.44

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4A

型号：SI1441EDH-T1-GE3-VB 编号：C7494560

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道MOS场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电子模块和电路设计。SC70-6；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；

1+
￥1.3005 ￥1.53
10+
￥1.2665 ￥1.49
30+
￥1.2495 ￥1.47
100+
￥1.2325 ￥1.45

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:10A

型号：IRF7469TRPBF-VB 编号：C7429016

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性，适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,40V；10A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.3005 ￥1.53
10+
￥1.275 ￥1.5
30+
￥1.2495 ￥1.47
100+
￥1.2325 ￥1.45

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:38A

型号：APM3095PUC-TRL-VB 编号：C558092

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-38A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥1.3015 ￥1.37
10+
￥1.273 ￥1.34
30+
￥1.254 ￥1.32
100+
￥1.235 ￥1.3

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:70A

型号：AOD408-VB 编号：C878910

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

数据手册

1+
￥1.3205 ￥1.39
10+
￥1.292 ￥1.36
30+
￥1.273 ￥1.34
100+
￥1.254 ￥1.32

有货

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N沟道耐压:20V 电流:1A

型号：WNM2020A-3/TR 编号：C2941859

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2020A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥1.3225
50+
￥1.0252
150+
￥0.8977
500+
￥0.7387

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：FDC365P-VB 编号：C5179519

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.348905 ￥1.4199
50+
￥1.066375 ￥1.1225
150+
￥0.945345 ￥0.9951
500+
￥0.794295 ￥0.8361
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4A

型号：PMN27UP-VB 编号：C7494580

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道MOS场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电子模块和电路设计。SC70-6；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；

1+
￥1.3515 ￥1.59
10+
￥1.3175 ￥1.55
30+
￥1.3005 ￥1.53
100+
￥1.2835 ￥1.51

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:7.6A

型号：SI4436DY-T1-E3-VB 编号：C5179591

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，具有较高的工作稳定性和可靠性，适用于需要中小功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册

1+
￥1.36 ￥1.6
10+
￥1.3345 ￥1.57
30+
￥1.309 ￥1.54
100+
￥1.292 ￥1.52

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:80A

型号：A09N03N-VB 编号：C19190254

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥1.368 ￥1.44
10+
￥1.3395 ￥1.41
30+
￥1.3205 ￥1.39
100+
￥1.3015 ￥1.37

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:21.8A

型号：MTD20N03HDLT4G-VB 编号：C558197

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

数据手册

1+
￥1.3775 ￥1.45
10+
￥1.349 ￥1.42
30+
￥1.33 ￥1.4
100+
￥1.311 ￥1.38

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:11.6A

型号：AO4007-VB 编号：C18795032

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.387 ￥1.46
10+
￥1.3585 ￥1.43
30+
￥1.33 ￥1.4
100+
￥1.311 ￥1.38

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:11.6A

型号：IRF9332TRPBF-VB 编号：C5441228

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥1.387 ￥1.46
10+
￥1.3585 ￥1.43
30+
￥1.33 ￥1.4
100+
￥1.311 ￥1.38

有货

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1个P沟道耐压:30V

型号：SI3443DVTRPBF-VB 编号：C7568844

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.405715 ￥1.4797
50+
￥1.123185 ￥1.1823
150+
￥1.002155 ￥1.0549
500+
￥0.851105 ￥0.8959
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:40A

型号：AOD425A-VB 编号：C557965

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥1.4195 ￥1.67
10+
￥1.3855 ￥1.63
30+
￥1.36 ￥1.6
100+
￥1.343 ￥1.58

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:11.6A

型号：IRF9393TRPBF-VB 编号：C7429028

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.4365 ￥1.69
10+
￥1.411 ￥1.66
30+
￥1.3855 ￥1.63
100+
￥1.3685 ￥1.61

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:7.6A

型号：HM2305PR-VB 编号：C692951

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.47101 ￥1.7306
50+
￥1.183965 ￥1.3929
150+
￥1.06097 ￥1.2482
1000+
￥0.74953 ￥0.8818
2000+
￥0.68119 ￥0.8014
5000+
￥0.640135 ￥0.7531

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:7.6A

型号：2SJ179-VB 编号：C709608

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.49359 ￥1.5722
50+
￥1.172775 ￥1.2345
150+
￥1.03531 ￥1.0898
1000+
￥0.86374 ￥0.9092
2000+
￥0.78736 ￥0.8288
5000+
￥0.74157 ￥0.7806

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:4.5A

型号：SPD02N60S5-VB 编号：C7525100

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；

1+
￥1.53 ￥1.8
10+
￥1.496 ￥1.76
30+
￥1.4705 ￥1.73
100+
￥1.445 ￥1.7

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:12A

型号：SQ4470EY-T1-GE3-VB 编号：C20754967

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.547 ￥1.82
10+
￥1.5045 ￥1.77
30+
￥1.4875 ￥1.75
100+
￥1.462 ￥1.72

有货

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