场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：CMSA75N68 编号：C5203870

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA75N68采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并将功率转换应用的损耗降至最低。该器件适用于开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用用途。

数据手册

5+
￥1.5715
50+
￥1.2424
150+
￥1.1013
500+
￥0.8862
3000+
￥0.8078
6000+
￥0.7608

有货

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型号：VBF2355 编号：C480959

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款P型功率场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源管理、LED照明、电动工具和工业自动化等领域。TO251；P—Channel沟道,-30V；-20A；RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.649295 ￥1.7361
50+
￥1.29504 ￥1.3632
160+
￥1.143515 ￥1.2037
480+
￥0.95399 ￥1.0042
2400+
￥0.86963 ￥0.9154
4800+
￥0.818995 ￥0.8621

有货

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型号：IRFR420PBF-VB 编号：C19188170

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；

1+
￥1.6745 ￥1.97
10+
￥1.6405 ￥1.93
30+
￥1.615 ￥1.9
100+
￥1.5895 ￥1.87

有货

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型号：FQD3N50CTF-VB 编号：C18212467

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；

1+
￥1.6745 ￥1.97
10+
￥1.6405 ￥1.93
30+
￥1.615 ￥1.9
100+
￥1.5895 ￥1.87

有货

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型号：RFD8P05SM9A-VB 编号：C20755051

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.6915 ￥1.99
10+
￥1.6575 ￥1.95
30+
￥1.632 ￥1.92
100+
￥1.598 ￥1.88

有货

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型号：STD3NK50ZT4-VB 编号：C7494540

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；

1+
￥1.7 ￥2
10+
￥1.666 ￥1.96
30+
￥1.6405 ￥1.93
100+
￥1.6235 ￥1.91

有货

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型号：FDS6673BZ-NL-VB 编号：C7463696

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

1+
￥1.717 ￥2.02
10+
￥1.683 ￥1.98
30+
￥1.6575 ￥1.95
100+
￥1.632 ￥1.92

有货

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型号：AP9474GM-HF-VB 编号：C7463668

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.734 ￥2.04
10+
￥1.6915 ￥1.99
30+
￥1.6745 ￥1.97
100+
￥1.649 ￥1.94

有货

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型号：IRFHM9331TRPBF-VB 编号：C7525049

封装：DFN3x3-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。适用于多种电路应用，能够提供可靠的功率控制和保护。DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-45A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.8V；

1+
￥1.7425 ￥2.05
10+
￥1.7 ￥2
30+
￥1.6745 ￥1.97
100+
￥1.6405 ￥1.93

有货

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型号：NTD3055LT4G-VB 编号：C20417471

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

5+
￥1.77514 ￥2.0884
50+
￥1.393915 ￥1.6399
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￥1.23046 ￥1.4476
500+
￥1.02663 ￥1.2078
2500+
￥0.93585 ￥1.101
5000+
￥0.881365 ￥1.0369

有货

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型号：2SJ598-Z-E1-AZ-VB 编号：C7463695

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.7765 ￥2.09
10+
￥1.7425 ￥2.05
30+
￥1.7085 ￥2.01
100+
￥1.683 ￥1.98

有货

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型号：AM20P06-135D-T1-PF-VB 编号：C5444617

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥1.7765 ￥2.09
10+
￥1.734 ￥2.04
30+
￥1.7085 ￥2.01
100+
￥1.683 ￥1.98

有货

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型号：STP601D 编号：C2682830

封装：TO-252

品牌：STANSON(司坦森)

STP601/STP601D是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。STP601D专门设计用于提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化

数据手册

5+
￥1.8391
50+
￥1.4563
150+
￥1.2923
500+
￥1.0876

有货

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型号：NDS9945-NL-VB 编号：C710032

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.8445 ￥2.17
10+
￥1.802 ￥2.12
30+
￥1.7765 ￥2.09
100+
￥1.7425 ￥2.05

有货

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型号：T20P06LG-VB 编号：C18795014

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.8905 ￥1.99
10+
￥1.8525 ￥1.95
30+
￥1.824 ￥1.92
100+
￥1.786 ￥1.88

有货

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型号：PHT8N06LT-VB 编号：C7494438

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

5+
￥1.91845 ￥2.257
50+
￥1.537225 ￥1.8085
150+
￥1.37377 ￥1.6162
500+
￥1.16994 ￥1.3764
2500+
￥0.980475 ￥1.1535
5000+
￥0.92599 ￥1.0894

有货

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型号：2SK3402-Z-E1-AZ-VB 编号：C7494598

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.938 ￥2.28
10+
￥1.8955 ￥2.23
30+
￥1.8615 ￥2.19
100+
￥1.836 ￥2.16

有货

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型号：IRFU3505PBF-VB 编号：C7463628

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO251；N—Channel沟道,60V；55A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.9465 ￥2.29
10+
￥1.904 ￥2.24
30+
￥1.8785 ￥2.21
80+
￥1.683 ￥1.98

有货

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型号：RFD15P05SM-VB 编号：C710052

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥1.995 ￥2.1
10+
￥1.9475 ￥2.05
30+
￥1.919 ￥2.02
100+
￥1.8905 ￥1.99

有货

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型号：CMF5015 编号：C7470622

封装：TO-220F

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关性能和出色的品质。这些器件非常适合用于高效开关DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。

5+
￥2.0014
50+
￥1.4638
150+
￥1.2843
500+
￥1.0603
2000+
￥0.9606
5000+
￥0.9007

有货

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型号：SI4840BDY-T1-E3-VB 编号：C6705318

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性，适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,40V；10A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.03
10+
￥1.78
30+
￥1.68
100+
￥1.54
500+
￥1.37
1000+
￥1.34

有货

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型号：FDD10N20LZTM-VB 编号：C7463448

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。TO252；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；

1+
￥2.091 ￥2.46
10+
￥2.0485 ￥2.41
30+
￥2.0145 ￥2.37
100+
￥1.989 ￥2.34

有货

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型号：IRF8714TRPBF-VB 编号：C7429022

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

5+
￥2.094275 ￥2.2045
50+
￥1.668105 ￥1.7559
150+
￥1.485515 ￥1.5637
500+
￥1.25761 ￥1.3238
2500+
￥1.04595 ￥1.101
4000+
￥0.985055 ￥1.0369

有货

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型号：BUK6D230-80EX 编号：C549791

封装：DFN-6-MD(2x2)

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用中功率DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥2.1126
50+
￥1.7023
150+
￥1.5265

有货

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型号：QM3003M3-VB 编号：C7524992

封装：DFN3x3-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。适用于多种电路应用，能够提供可靠的功率控制和保护。DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-45A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.8V；

1+
￥2.1185 ￥2.23
10+
￥2.071 ￥2.18
30+
￥2.033 ￥2.14
100+
￥2.0045 ￥2.11

有货

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型号：UP9971G-S08-R-VB 编号：C7569072

封装：SOP-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥2.128 ￥2.24
10+
￥2.0805 ￥2.19
30+
￥2.052 ￥2.16
100+
￥2.0235 ￥2.13

有货

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型号：P2003EVG-VB 编号：C20754946

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；