场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF5800TRPBF-VB 编号：C20754984

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.69065 ￥0.727
50+
￥0.674595 ￥0.7101
150+
￥0.663765 ￥0.6987
500+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：BSS138AKS-QX 编号：C22557888

封装：TSSOP-6

品牌：Nexperia(安世)

双N沟道增强型场效应晶体管，采用沟槽MOSFET技术，采用非常小的SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

5+
￥0.6908
50+
￥0.6793
150+
￥0.6715

有货

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型号：WPM3012-3/TR 编号：C239638

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3012 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下可实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥0.6945
50+
￥0.5705
150+
￥0.4806
500+
￥0.4064
2500+
￥0.3938

有货

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型号：FDG6303N-VB 编号：C725029

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

数据手册

50+
￥0.7965
500+
￥0.7375
1000+
￥0.708
5000+
￥0.6785
10000+
￥0.649

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型号：ESE01P13K 编号：C42434098

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE01P13K 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7394
50+
￥0.7221
150+
￥0.7106

有货

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型号：AO6403-VB 编号：C724964

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.745705 ￥0.8773
50+
￥0.731085 ￥0.8601
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￥0.72131 ￥0.8486
500+
￥0.71162 ￥0.8372

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型号：CMSA1653 编号：C7427447

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA1653采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并最大程度降低电源转换应用的损耗。该器件适合用作开关电源(SMPS)、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管(FET)。

5+
￥0.7573
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￥0.598
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￥0.5183
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￥0.4585
2500+
￥0.4107
5000+
￥0.3868

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型号：2SK3074-VB 编号：C19188262

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等功率和较小封装体积的电子设备和模块中。SOT89-3；N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.6~1.5V；

5+
￥0.793645 ￥0.9337
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￥0.77724 ￥0.9144
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￥0.766275 ￥0.9015
500+
￥0.755395 ￥0.8887

有货

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型号：SPP9435AS8RG-VB 编号：C878964

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.801465 ￥0.9429
50+
￥0.78336 ￥0.9216
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￥0.77129 ￥0.9074
500+
￥0.75922 ￥0.8932

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型号：FDC658P-VB 编号：C7463523

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.8209
50+
￥0.8039
150+
￥0.7925
500+
￥0.7812

有货

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型号：FDC6420C-NL-VB 编号：C7463645

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥0.8209
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￥0.8039
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￥0.7925
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￥0.7812

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型号：DOS27517 编号：C52140037

封装：SOT-23-5

品牌：DOINGTER(杜因特)

单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。

5+
￥0.8257
50+
￥0.6577
150+
￥0.5737
500+
￥0.5107

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型号：74HC02N 编号：C507193

封装：DIP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

特性：输出驱动能力：10个低功耗肖特基TTL负载。输出可直接与CMOS、NMOS和TTL接口。工作电压范围：2.0至6.0V。低输入电流：1.0A。具有CMOS器件的高抗噪特性。符合JEDEC标准7A的要求。 ESD性能：人体模型2000V；机器模型200V。芯片复杂度：40个场效应晶体管或10个等效门。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.8466
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￥0.665
150+
￥0.5742
500+
￥0.5061
2000+
￥0.4516
5000+
￥0.4244

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型号：STP9527 编号：C2682812

封装：SOP-8

品牌：STANSON(司坦森)

SuSCRIPTIONSTP9527是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路

数据手册

5+
￥0.8595
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￥0.6963
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￥0.6147
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￥0.5535
2500+
￥0.4308
5000+
￥0.4064

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型号：PMV164ENER 编号：C3280959

封装：TO-236AB

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装。

5+
￥0.8646
50+
￥0.8523
150+
￥0.844
500+
￥0.8358

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型号：PMV50XPR 编号：C547261

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

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￥0.8722
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￥0.8552
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￥0.8439

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型号：PMH850UPEH 编号：C2981747

封装：DFN0606-3

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小型DFN0606-3 (SOT8001) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

5+
￥0.9441
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￥0.9306
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￥0.9216
500+
￥0.9126

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型号：CMSA8972 编号：C5203799

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA8972采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并将功率转换应用的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。

数据手册

1+
￥0.9448
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￥0.9243
30+
￥0.9106
100+
￥0.897

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型号：BSP295-VB 编号：C7463562

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

5+
￥0.97682 ￥1.1492
50+
￥0.95506 ￥1.1236
150+
￥0.940525 ￥1.1065
500+
￥0.92599 ￥1.0894

有货

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型号：VBA1311 编号：C416225

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥0.990335 ￥1.1651
50+
￥0.968235 ￥1.1391
150+
￥0.95353 ￥1.1218
500+
￥0.93874 ￥1.1044

有货

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型号：VBA2333 编号：C416234

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.99104 ￥1.0432
50+
￥0.970805 ￥1.0219
150+
￥0.957315 ￥1.0077
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￥0.94373 ￥0.9934

有货

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型号：SSM9435GM-VB 编号：C693169

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.99237 ￥1.0446
50+
￥0.972135 ￥1.0233
150+
￥0.958645 ￥1.0091
500+
￥0.94506 ￥0.9948

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型号：WNM01N10-3/TR 编号：C506233

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

N-Channel增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.9948
100+
￥0.81
300+
￥0.7308
1000+
￥0.632

有货

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型号：PMV28ENEAR 编号：C553090

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥1.0124
50+
￥0.9923
150+
￥0.979
500+
￥0.9656

订货

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型号：SI1406DH-T1-GE3-VB 编号：C20626387

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于低功率控制和驱动应用，包括传感器接口模块、电池管理模块、LED驱动模块等领域。SC70-6；N—Channel沟道,30V；4.5A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~2.5V；

5+
￥1.041865 ￥1.0967
50+
￥1.017545 ￥1.0711
150+
￥1.0013 ￥1.054
500+
￥0.985055 ￥1.0369

有货

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型号：IRFL014NTRPBF-VB 编号：C5179590

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

5+
￥1.092595 ￥1.1501
50+
￥1.068275 ￥1.1245
150+
￥1.05203 ￥1.1074
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￥1.035785 ￥1.0903

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型号：SI1470DH-T1-GE3-VB 编号：C7494632

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于低功率控制和驱动应用，包括传感器接口模块、电池管理模块、LED驱动模块等领域。SC70-6；N—Channel沟道,30V；4.5A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~2.5V；

5+
￥1.09616 ￥1.2896
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￥1.074315 ￥1.2639
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￥1.059865 ￥1.2469
500+
￥1.04533 ￥1.2298

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型号：CMD60P06 编号：C6939705

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于电源管理电路。典型应用包括PWM DC-DC转换器、便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、电池充电器、电信电源系统和电话电源系统）的电源管理

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￥1.0967
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￥1.0369

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型号：STD60NF3LLT4-VB 编号：C5456608

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥1.1305 ￥1.33
10+
￥1.1135 ￥1.31
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￥1.0965 ￥1.29
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￥1.0795 ￥1.27

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型号：SI4435DDY-T1-E3-VB 编号：C7494599

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥1.13713 ￥1.3378
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￥1.11367 ￥1.3102
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￥1.097945 ￥1.2917
500+
￥0.95064 ￥1.1184

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