场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：HUF76629D3ST-VB 编号：C20755300

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥4.655 ￥4.9
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￥3.7525 ￥3.95
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￥2.85 ￥3
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￥2.5745 ￥2.71
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￥2.4415 ￥2.57

有货

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型号：VBA5615 编号：C7429146

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电路板设计和安装。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；9/-8A；RDS(ON)=15/17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V；

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￥4.828 ￥5.68
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￥3.961 ￥4.66
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￥3.5275 ￥4.15
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￥3.1025 ￥3.65
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￥2.584 ￥3.04
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￥2.448 ￥2.88

有货

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型号：IPD35N10S3L-26-VB 编号：C7428994

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥4.864 ￥5.12
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￥3.9615 ￥4.17
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￥3.5055 ￥3.69
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￥3.059 ￥3.22
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￥2.4415 ￥2.57

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型号：PBSM5240PFH,115 编号：C551819

封装：SOT-1118

品牌：Nexperia(安世)

组合了 PNP 低 VCEsat 小信号突破 (BISS) 晶体管和 N 沟道沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用无引脚中功率 DFN2020-6 (SOT1118) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

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￥4.91
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￥4.82
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￥4.75
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￥4.69

有货

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型号：IRFR3411TRPBF-VB 编号：C7429042

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥4.9305 ￥5.19
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￥4.028 ￥4.24
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￥2.4415 ￥2.57

有货

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型号：PMV250EPEA215 编号：C3275832

封装：SOT-23(TO-236AB)

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥4.96
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￥3.6
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￥3.15
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￥2.88
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￥2.74

有货

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型号：FQP27P06-VB 编号：C7463430

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于不同电子应用领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-45A；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥4.9685 ￥5.23
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型号：JCS8N65FB-O-F-N-B-VB 编号：C19626846

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用，提供稳定可靠的电气特性。TO220F；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~5V；

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￥5.0065 ￥5.89
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￥4.0715 ￥4.79
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￥2.856 ￥3.36
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￥2.7115 ￥3.19

有货

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型号：IPD122N10N3G-VB 编号：C20417530

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

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￥5.202 ￥6.12
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￥4.2245 ￥4.97
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￥3.74 ￥4.4
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￥2.822 ￥3.32

有货

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型号：IRLR3636TRPBF-VB 编号：C558183

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

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￥5.2275 ￥6.15
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￥4.25 ￥5
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￥3.7655 ￥4.43
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￥3.281 ￥3.86
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￥2.839 ￥3.34

有货

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型号：2SK3069-VB 编号：C19188261

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥5.542 ￥6.52
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￥4.4625 ￥5.25
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￥3.927 ￥4.62
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￥3.3915 ￥3.99
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￥2.907 ￥3.42

有货

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型号：IPD60N10S4L-12-VB 编号：C7568831

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.586 ￥5.88
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￥4.4935 ￥4.73
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￥3.952 ￥4.16
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￥3.4105 ￥3.59
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￥3.0875 ￥3.25
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￥2.926 ￥3.08

有货

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型号：IRFR3418TRPBF-VB 编号：C7494462

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于广泛的电子设备和系统，包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块。TO252；N—Channel沟道,80V；75A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；

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￥5.7715 ￥6.79
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￥4.692 ￥5.52
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￥4.148 ￥4.88
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￥3.6125 ￥4.25
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￥3.2895 ￥3.87
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￥3.128 ￥3.68

有货

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型号：CSD18534KCS-VB 编号：C693305

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥5.797 ￥6.82
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￥4.7175 ￥5.55
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￥4.1735 ￥4.91
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￥3.638 ￥4.28
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￥3.315 ￥3.9
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￥3.145 ￥3.7

有货

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型号：PMPB95ENEAX 编号：C458195

封装：SOT1220

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无铅中功率OFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

1+
￥5.87
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￥4.86
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￥4.35
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￥3.85
500+
￥3.55
1000+
￥3.4

有货

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型号：BSC014N03LS G-VB 编号：C19190256

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥6.154 ￥7.24
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￥5.0745 ￥5.97
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￥4.539 ￥5.34
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￥4.0035 ￥4.71
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￥3.0685 ￥3.61
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￥2.907 ￥3.42

有货

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型号：IRF3205PBF-VB 编号：C5355755

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥6.194 ￥6.52
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￥4.9875 ￥5.25
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￥4.389 ￥4.62
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￥3.7905 ￥3.99
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￥3.4295 ￥3.61
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￥3.249 ￥3.42

有货

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型号：RU7570L-VB 编号：C19632036

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于广泛的电子设备和系统，包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块。TO252；N—Channel沟道,80V；75A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；

1+
￥6.194 ￥6.52
10+
￥4.9875 ￥5.25
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￥4.389 ￥4.62
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￥3.7905 ￥3.99
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￥3.4295 ￥3.61
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￥3.249 ￥3.42

有货

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型号：BSC022N03S G-VB 编号：C7569125

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥6.2605 ￥6.59
10+
￥5.054 ￥5.32
30+
￥4.446 ￥4.68
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￥3.8475 ￥4.05
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￥3.4295 ￥3.61
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￥3.249 ￥3.42

有货

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型号：TPS54336ADDAR 编号：C97668

封装：HSOP-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

TPS5433xA系列器件为同步转换器,输入电压范围介于4.5V和28V之间。该系列器件集成有低侧开关场效应晶体管(FET),免除了对外部二极管的需求,从而减少了组件数。通过使能引脚可以将关断电源电流减小至2uA。该降压转换器的基准电压在整个温度范围内保持1.5%的精度,可为各类负载提供精确稳压。

数据手册

1+
￥6.27
10+
￥5.07
30+
￥4.47
100+
￥3.87

有货

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型号：HRF3205-VB 编号：C7569010

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥6.6025 ￥6.95
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￥5.396 ￥5.68
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￥4.389 ￥4.62
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￥3.7905 ￥3.99
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有货

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型号：SI7812DN-VB 编号：C19711377

封装：QFN-8L(3x3)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种应用场景。QFN8(3X3)；N—Channel沟道,100V；35.3A；RDS(ON)=17.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥7.277 ￥7.66
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￥6.0135 ￥6.33
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￥5.3295 ￥5.61
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￥4.541 ￥4.78
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￥4.199 ￥4.42
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￥4.0375 ￥4.25

有货

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型号：IRFH9310TRPBF-VB 编号：C7463908

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于DC-DC转换器、电源开关和逆变器、高效率和高功率密度的应用中。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-100A；RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥8.7305 ￥9.19
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￥7.3245 ￥7.71
30+
￥6.5455 ￥6.89
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￥5.6715 ￥5.97
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￥4.7025 ￥4.95
1000+
￥4.522 ￥4.76

有货

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型号：SUM110N04-2M1P-E3-VB 编号：C19711361

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；150A；RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

1+
￥8.8995 ￥10.47
10+
￥7.548 ￥8.88
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￥6.8085 ￥8.01
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￥5.967 ￥7.02
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￥5.593 ￥6.58
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￥5.423 ￥6.38

有货

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型号：BUK9Y14-40B,115 编号：C550037

封装：SOT-669

品牌：Nexperia(安世)

逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用塑料封装，使用高性能汽车（HPA）TrenchMOS技术。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，可用于汽车关键应用。

数据手册

1+
￥9.56
10+
￥8.11
30+
￥7.32
100+
￥6.42
500+
￥6.02
1500+
￥5.84

有货

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型号：BSC12DN20NS3 G-VB 编号：C7525059

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源模块、LED照明模块和汽车电子模块等领域。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥10.944 ￥11.52
10+
￥9.2625 ￥9.75
30+
￥8.208 ￥8.64
100+
￥7.1345 ￥7.51
500+
￥6.6405 ￥6.99
1000+
￥6.4315 ￥6.77

有货

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型号：IPB60R190C6-VB 编号：C18795000

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道功率场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和可靠性，广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用，包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。TO263；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥14.756 ￥17.36
10+
￥12.5885 ￥14.81
50+
￥11.2285 ￥13.21
100+
￥9.8345 ￥11.57
500+
￥9.2055 ￥10.83
1000+
￥8.9335 ￥10.51

有货

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型号：IRFP064NPBF-VB 编号：C7429039

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种领域的功率电子应用。TO247；N—Channel沟道,60V；150A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；

1+
￥15.713 ￥16.54
10+
￥13.186 ￥13.88
30+
￥11.609 ￥12.22
90+
￥9.994 ￥10.52
510+
￥9.2625 ￥9.75
990+
￥8.9395 ￥9.41

有货

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型号：BTS6133D 编号：C152388

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于Smart SIPMOS芯片堆叠技术中。具备嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥15.86
10+
￥13.45
30+
￥11.94
100+
￥9.58

有货

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型号：NTH4LN067N65S3H-HXY 编号：C48972082

封装：TO-247-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为650V N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），具备良好的导通特性和开关性能。其最大漏极电流ID为29A，导通电阻RDON低至60mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统能效。器件采用成熟半导体工艺制造，具备较高的耐用性和稳定性，适用于多种高性能电源转换场景，如高效节能电源、智能电网设备及可再生能源系统中的功率控制单元。

1+
￥25.1085 ￥26.43
10+
￥21.546 ￥22.68
30+
￥19.4275 ￥20.45
90+
￥17.29 ￥18.2
510+
￥16.302 ￥17.16
990+
￥15.8555 ￥16.69

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