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1个N沟道耐压:60V 电流:58A

型号：FDD10AN06A0-VB 编号：C7428954

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥3.4255 ￥4.03
10+
￥2.7795 ￥3.27
30+
￥2.4565 ￥2.89
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￥2.1335 ￥2.51
500+
￥1.938 ￥2.28
1000+
￥1.836 ￥2.16

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:85A

型号：SM4028NSUC-TRG-VB 编号：C558279

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册

1+
￥3.4255 ￥4.03
10+
￥2.7795 ￥3.27
30+
￥2.4565 ￥2.89
100+
￥2.1335 ￥2.51
500+
￥1.938 ￥2.28
1000+
￥1.836 ￥2.16

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:11A

型号：CMF11N60B 编号：C5371875

封装：TO-220F

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造。这项最新技术专门设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正

数据手册

1+
￥3.4295 ￥3.61
10+
￥2.7645 ￥2.91
50+
￥2.432 ￥2.56
100+
￥2.0995 ￥2.21
500+
￥1.9 ￥2
1000+
￥1.7955 ￥1.89

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:58A

型号：IPD50N06S4-09-VB 编号：C7428996

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥3.4765 ￥4.09
10+
￥2.822 ￥3.32
30+
￥2.499 ￥2.94
100+
￥2.176 ￥2.56
500+
￥1.9805 ￥2.33
1000+
￥1.887 ￥2.22

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:5.3A 4.9A

型号：SI4559EY-T1-E3-VB 编号：C5441246

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

数据手册

1+
￥3.4765 ￥4.09
10+
￥2.822 ￥3.32
30+
￥2.499 ￥2.94
100+
￥2.176 ￥2.56
500+
￥1.9805 ￥2.33
1000+
￥1.887 ￥2.22

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:85A

型号：NTD5406NG-VB 编号：C19632268

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

1+
￥3.4765 ￥4.09
10+
￥2.822 ￥3.32
30+
￥2.499 ￥2.94
100+
￥2.176 ￥2.56
500+
￥1.9805 ￥2.33
1000+
￥1.887 ￥2.22

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:58A

型号：SQD50N05-11L-GE3-VB 编号：C5382709

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥3.4765 ￥4.09
10+
￥2.822 ￥3.32
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￥2.499 ￥2.94
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￥2.176 ￥2.56
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￥1.9805 ￥2.33
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￥1.887 ￥2.22

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:58A

型号：2SK3402-Z-E1-AZ-VB 编号：C7494598

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥3.4765 ￥4.09
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￥2.822 ￥3.32
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￥2.499 ￥2.94
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￥1.9805 ￥2.33
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￥1.887 ￥2.22

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:85A

型号：VBZE50N04 编号：C700650

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册

1+
￥3.5615 ￥4.19
10+
￥2.907 ￥3.42
30+
￥2.584 ￥3.04
100+
￥2.261 ￥2.66
500+
￥1.955 ￥2.3
1000+
￥1.853 ￥2.18

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:58A

型号：SQD50N06-09L-GE3-VB 编号：C7463652

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥3.621 ￥4.26
10+
￥2.9665 ￥3.49
30+
￥2.6435 ￥3.11
100+
￥2.3205 ￥2.73
500+
￥1.938 ￥2.28
1000+
￥1.836 ￥2.16

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:3A

型号：PMDPB95XNE2X 编号：C552758

封装：DFN2020-6(2x2)

品牌：Nexperia(安世)

双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于小型无引脚 OFN2020-6 (SOT1118) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥3.57
30+
￥3.53

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:58A

型号：STD35NF06LT4&15-VB 编号：C6705326

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥3.6635 ￥4.31
10+
￥3.0175 ￥3.55
30+
￥2.6945 ￥3.17
100+
￥2.3715 ￥2.79
500+
￥2.176 ￥2.56
1000+
￥2.074 ￥2.44

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:5.3A

型号：VBA5638 编号：C416206

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

数据手册

1+
￥3.672 ￥4.32
10+
￥3.0175 ￥3.55
30+
￥2.6945 ￥3.17
100+
￥2.3715 ￥2.79
500+
￥1.802 ￥2.12
1000+
￥1.7085 ￥2.01

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:7A

型号：HAT2028RJ-VB 编号：C709981

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥3.686 ￥3.88
10+
￥3.021 ￥3.18
30+
￥2.6885 ￥2.83
100+
￥2.356 ￥2.48
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:45A

型号：BSZ120P03NS3 G-VB 编号：C20755294

封装：DFN3x3-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。适用于多种电路应用，能够提供可靠的功率控制和保护。DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-45A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.8V；

1+
￥3.7335 ￥3.93
10+
￥3.002 ￥3.16
30+
￥2.641 ￥2.78
100+
￥2.28 ￥2.4
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:10A

型号：IRFR220PBF-VB 编号：C18795060

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。TO252；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；

1+
￥3.7485 ￥4.41
10+
￥3.0515 ￥3.59
30+
￥2.6945 ￥3.17
100+
￥2.346 ￥2.76
500+
￥2.142 ￥2.52
1000+
￥2.0315 ￥2.39

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:58A

型号：IRLR2905ZTRPBF-VB 编号：C5878823

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥3.8285 ￥4.03
10+
￥3.1065 ￥3.27
30+
￥2.7455 ￥2.89
100+
￥2.3845 ￥2.51
500+
￥2.166 ￥2.28
1000+
￥2.052 ￥2.16

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:35A

型号：VBE5638 编号：C480958

封装：TO-252-4L

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款N+P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多种电子应用。具有双通道设计，可在电路中提供灵活的功率控制。TO252-4；N+P—Channel沟道,±60V；35/-19A；RDS(ON)=30/50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；

数据手册

1+
￥4.1515 ￥4.37
10+
￥3.3725 ￥3.55
30+
￥2.9735 ￥3.13
100+
￥2.5935 ￥2.73
500+
￥2.2135 ￥2.33
1000+
￥2.09 ￥2.2

有货

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1个P沟道耐压:30V

型号：AON7409-VB 编号：C7568863

封装：DFN3x3-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。适用于多种电路应用，能够提供可靠的功率控制和保护。DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-45A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.8V；

1+
￥4.1515 ￥4.37
10+
￥3.4295 ￥3.61
30+
￥3.059 ￥3.22
100+
￥2.698 ￥2.84
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:60A

型号：CSD16406Q3-VB 编号：C725009

封装：DFN3x3-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。DFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；

数据手册

1+
￥4.275 ￥4.5
10+
￥3.496 ￥3.68
30+
￥3.1065 ￥3.27
100+
￥2.717 ￥2.86
500+
￥2.2135 ￥2.33
1000+
￥2.0995 ￥2.21

有货

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1个N沟道耐压:12V 电流:25A

型号：VBQF2120 编号：C481057

封装：DFN-8(3x3)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench技术，能够满足不同应用场景下的功率管理和电路控制需求。QFN8(3X3)；P—Channel沟道,-12V；-25A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.5~-1.5V；

数据手册

1+
￥4.284 ￥5.04
10+
￥3.468 ￥4.08
30+
￥3.06 ￥3.6
100+
￥2.6605 ￥3.13
500+
￥2.4225 ￥2.85
1000+
￥2.295 ￥2.7

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:40A

型号：FDD3680-VB 编号：C693193

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥4.3095 ￥5.07
10+
￥3.4935 ￥4.11
30+
￥3.0855 ￥3.63
100+
￥2.686 ￥3.16
500+
￥2.3035 ￥2.71
1000+
￥2.1845 ￥2.57

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:40A

型号：2SK3150-VB 编号：C19632077

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

1+
￥4.335 ￥5.1
10+
￥3.5275 ￥4.15
30+
￥3.1195 ￥3.67
100+
￥2.72 ￥3.2
500+
￥2.4735 ￥2.91
1000+
￥2.3545 ￥2.77

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:110A

型号：VBZL80N04 编号：C700695

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于中功率和中电压的场合，可广泛应用于各种电子设备和模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；110A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥4.335 ￥5.1
10+
￥3.5275 ￥4.15
50+
￥2.8645 ￥3.37
100+
￥2.465 ￥2.9
500+
￥2.2185 ￥2.61
1000+
￥2.0995 ￥2.47

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:40A

型号：BUK7275-100A-VB 编号：C19188134

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

1+
￥4.335 ￥5.1
10+
￥3.5275 ￥4.15
30+
￥3.1195 ￥3.67
100+
￥2.72 ￥3.2
500+
￥2.4735 ￥2.91
1000+
￥2.3545 ￥2.77

有货

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2个P沟道耐压:60V 电流:5.3A

型号：HAT1126R-VB 编号：C5137428

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥4.4555 ￥4.69
10+
￥3.61 ￥3.8
30+
￥3.192 ￥3.36
100+
￥2.774 ￥2.92
500+
￥2.4035 ￥2.53
1000+
￥2.2705 ￥2.39

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:10A

型号：MTD6N15T4G-VB 编号：C725116

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。TO252；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥4.484 ￥4.72
10+
￥3.6955 ￥3.89
30+
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1个N沟道耐压:100V 电流:40A

型号：STD25NF10T4-VB 编号：C7429115

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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1个N沟道耐压:100V 电流:40A

型号：RSD200N10-VB 编号：C7463470

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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1个N沟道耐压:100V 电流:35A

型号：2SK3483-VB 编号：C20417541

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适合用于家用电器模块中的功率开关器件、照明模块中的功率开关器件等领域。TO251；N—Channel沟道,100V；35A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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