场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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￥0.39178 ￥0.4124
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￥0.213275 ￥0.2245
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型号：MEM2302-VB 编号：C693416

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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￥0.39178 ￥0.4124
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型号：RU205B-VB 编号：C692965

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

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￥0.39178 ￥0.4124
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型号：2SK209-VB 编号：C20755055

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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型号：WFY6N02-VB 编号：C5179564

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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￥0.40204 ￥0.4232
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型号：NVR4501NT1G-VB 编号：C45662630

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。

10+
￥0.4066 ￥0.428
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￥0.32452 ￥0.3416
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￥0.28348 ￥0.2984
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￥0.228 ￥0.24
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型号：SI2302DDS-T1-GE3-VB 编号：C45662628

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。

10+
￥0.4066 ￥0.428
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￥0.32452 ￥0.3416
300+
￥0.28348 ￥0.2984
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￥0.2527 ￥0.266
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型号：ST2300 编号：C2682899

封装：SOT-23-3L

品牌：STANSON(司坦森)

ST2300 是一款 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机、笔记本电脑的电源管理以及其他电池供电电路，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗

数据手册

10+
￥0.4067
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￥0.3251
300+
￥0.2843
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￥0.217
6000+
￥0.1925
9000+
￥0.1802

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型号：MT2300ACTR-VB 编号：C558196

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.418665 ￥0.4407
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￥0.336585 ￥0.3543
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3000+
￥0.23788 ￥0.2504
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￥0.213275 ￥0.2245
9000+
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型号：DMG3414U-7-VB 编号：C18212474

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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￥0.419425 ￥0.4415
100+
￥0.337345 ￥0.3551
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￥0.296305 ￥0.3119
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型号：ST2302-VB 编号：C710091

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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10+
￥0.42218 ￥0.4444
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￥0.3401 ￥0.358
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型号：AM2302N-T1-PF-VB 编号：C6705248

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.428
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￥0.266
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￥0.24
9000+
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型号：SI2336DS-T1-GE3-VB 编号：C7429100

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.51187 ￥0.6022
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￥0.29478 ￥0.3468
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型号：FDN359AN-NL-VB 编号：C20626292

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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￥0.51612 ￥0.6072
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￥0.408 ￥0.48
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6000+
￥0.26469 ￥0.3114

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型号：GV3407-VB 编号：C5179547

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.52921 ￥0.6226
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￥0.422365 ￥0.4969
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￥0.3689 ￥0.434
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￥0.29682 ￥0.3492
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￥0.280755 ￥0.3303

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型号：DMG2307L-7-F-VB 编号：C7463646

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.552415 ￥0.6499
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￥0.390235 ￥0.4591
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￥0.34969 ￥0.4114
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￥0.29478 ￥0.3468
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￥0.278545 ￥0.3277

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型号：DMG6968U-7-VB 编号：C693092

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.570435 ￥0.6711
50+
￥0.462145 ￥0.5437
150+
￥0.408085 ￥0.4801
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￥0.367455 ￥0.4323
3000+
￥0.272425 ￥0.3205
6000+
￥0.25619 ￥0.3014

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型号：2N7002BK,215 编号：C282405

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

2400+
￥0.151246
4800+
￥0.146287
9600+
￥0.143808
19200+
￥0.136369

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型号：AFN3404S23RG-VB 编号：C879171

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.57684 ￥0.6072
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￥0.456 ￥0.48
150+
￥0.39558 ￥0.4164
500+
￥0.350265 ￥0.3687
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
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￥0.29583 ￥0.3114

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型号：NDS352AP-NL-VB 编号：C6705296

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.58919 ￥0.6202
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￥0.466165 ￥0.4907
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￥0.404605 ￥0.4259
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￥0.358435 ￥0.3773
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￥0.319865 ￥0.3367
6000+
￥0.301435 ￥0.3173

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型号：ST2341A-VB 编号：C4355100

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.591945 ￥0.6231
50+
￥0.471105 ￥0.4959
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￥0.410685 ￥0.4323
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￥0.36537 ￥0.3846
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
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￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：DMN3404L-7-F-VB 编号：C3040307

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.5985 ￥0.63
50+
￥0.47766 ￥0.5028
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￥0.41724 ￥0.4392
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￥0.371925 ￥0.3915
3000+
￥0.33573 ￥0.3534
6000+
￥0.317585 ￥0.3343

有货

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型号：SI3441DV-T1-E3-VB 编号：C20754960

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61795 ￥0.727
50+
￥0.603585 ￥0.7101
150+
￥0.593895 ￥0.6987
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￥0.58429 ￥0.6874

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型号：P6403FMG-VB 编号：C18795003

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.62909 ￥0.6622
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￥0.50597 ￥0.5326
150+
￥0.44441 ￥0.4678
500+
￥0.39824 ￥0.4192
3000+
￥0.319865 ￥0.3367
6000+
￥0.301435 ￥0.3173

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型号：SSM3K336R-VB 编号：C7568771

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.62909 ￥0.6622
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￥0.50597 ￥0.5326
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￥0.44441 ￥0.4678
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￥0.39824 ￥0.4192
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￥0.319865 ￥0.3367
6000+
￥0.301435 ￥0.3173

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型号：IRF5800TRPBF-VB 编号：C20754984

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；